飞利浦半导体
产品speci fi cation
全桥的垂直挠度输出电路
在LVDMOS
反激式电源电压的计算
如果在回扫时间是已知的，所需要的回扫电源
电压可以计算出通过简化公式：
R
COIL
+
R
M
V
FB
=
I
COIL
(
p
–
p
)
×
--------------------------
-
–
t
FB
x
1
–
e
其中：
L
COIL
x
=
--------------------------
-
R
COIL
+
R
M
这样计算反激电源电压
约5 ％至10％高于必需的。
垂直的功耗的计算
输出级
在IC的总功耗是由下式给出：
P
合计
= P
SUP
P
L
被供给的功率由下式给出：
P
SUP
I
COIL
(
PEAK
=
V
P
×
-----------------------
)
+
V
P
×
0.015 [A]
+
0.3 [W]
-
2
表2
计算值
价值
14
7.8
0.02
0.000641
30
8.91
3.74
5.17
TDA8359J
符号
V
P
R
M
+ R
COIL
（ HOT ）
t
垂直
x
V
FB
P
SUP
P
L
P
合计
单位
V
s
V
W
W
W
散热器计算
散热器的值可在一个标准来计算
方式与基于平均温度的方法。该
散热片的所需的热电阻被确定
由150最高芯片温度
°C.
一般我们
建议设计为平均模头温度
不超过130
°C.
E
XAMPLE
测量或给定的值：P
合计
= 6 W ;牛逼
AMB （最大值）
= 40
°C;
T
j
= 120
°C;
R
日（J -C ）
= 4 K / W ;
个（ C-H）
= 2 K / W 。
所需的散热器的热电阻由下式给出：
T
j
–
T
AMB
R
th
(
h
–
a
)
=
-----------------------
–
(
R
th
(
j
–
c
)
+
R
th
(
c
–
h
)
)
-
P
合计
当我们用我们给出的数值发现：
120
–
40
R
th
(
h
–
a
)
=
---------------------
–
(
4
+
2
)
=
7 K / W
-
6
散热器温度为：
在该式0.3 [W]表示的平均值
在反激式电源损耗。
在平均外部负载功耗
偏转线圈和所述测量电阻器将被给定
公式：
(
I
COIL
(
PEAK
)
)
P
L
=
-------------------------------
× (
R
COIL
+
R
M
)
-
3
例子
表1
应用价值
价值
1.2
2.4
5
6
0.6
50
640
A
A
mH
Hz
s
单位
2
T
h
= T
AMB
+ (R
第（八-a）的
×
P
合计
) = 40 + (7
×
6) = 82
°C
符号
I
线圈（峰值）
I
线圈（峰 - 峰值）
L
COIL
R
COIL
R
M
f
垂直
t
FB
2002年1月21日
11
