飞利浦半导体
产品speci fi cation
全桥的垂直挠度输出电路
在LVDMOS
特点
所需的外部元件数
高效率全直流耦合垂直桥输出
电路
垂直回扫开关短的上升和下降时间
内置电路后卫
过热保护电路
改善EMC性能，由于差分输入。
概述
TDA8359J
该TDA8359J是用于90 °和110 °的电源电路
色彩偏转系统25到200赫兹场
的频率，并为4：3和16：9的显像管。该IC
包含一个垂直偏转输出电路，操作为
高效G类系统。全桥输出
电路允许偏转线圈的直流耦合
组合与单一正电源电压。
在低电压DMOS构造的IC （ LVDMOS ）
过程中，结合了双极， CMOS和DMOS
设备。 DMOS晶体管在输出级中使用的
因为没有二次击穿的。
快速参考数据
符号
耗材
V
P
V
FB
I
Q（ P） （ AV ）
I
Q（ FB ） （ AV ）
P
合计
V
I（峰 - 峰值）
I
O（ P-P ）
反激式开关
I
O（峰）
T
英镑
T
AMB
T
j
最大值（峰值）的输出电流
t
≤
1.5毫秒
55
25
±1.8
+150
+85
150
A
°C
°C
°C
电源电压
反激式电源电压
平均静态电源电流
平均静态反激式电源电流
总功耗
扫描过程中
扫描过程中
7.5
12
10
1000
18
66
15
10
10
V
V
mA
mA
W
2
×
V
P
45
参数
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
输入和输出
输入电压（峰 - 峰值）
输出电流（峰 - 峰值）
1500
3.2
mV
A
热数据;符合IEC 60747-1
储存温度
环境温度
结温
订购信息
TYPE
数
TDA8359J
包
名字
DBS9P
描述
塑料DIL -弯曲-SIL功率封装; 9导线（引线长度
12/11毫米） ;裸露的芯片焊盘
VERSION
SOT523-1
2002年1月21日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
全桥的垂直挠度输出电路
在LVDMOS
功能说明
垂直输出阶段
垂直驱动器电路具有桥结构。该
偏转线圈连接的互补之间
驱动输出放大器。差分输入电路是
电压驱动。输入电路是专门设计用于
直接连接到驱动器电路提供一个差
信号，但它也适用于单端应用程序。
与输出电流的处理器，该电流是
通过转换电阻器转换成电压
R
CV1
和R
CV2
（见图5）连接到引脚INA
和INB 。差分输入电压与比较
在测定电阻R上的电压
M
提供
反馈信息。 R两端的电压
M
is
成比例的输出电流。关系
差分输入电压和输出之间
电流被定义为：
V
I（ DIF） （对 - p）的
= I
O（ P-P ）
×
R
M
V
I（ DIF） （对 - p）的
= V
INA
V
INB
输出电流不应超过3.2 A（ PP） ，是
由R的值确定
M
和R
CV
。允许的
输入电压范围为100 mV至1.6 V的每个输入端。该
公式计算不包括内部的键合线
电阻。取决于R的值
M
和
内部接合线电阻（ 50 mΩ的典型值）
当前，在偏转线圈的实际值将是
低于计算的约5％。
反激式电源
回扫电压由反激式电源来确定
电压V
FB
。两个电源电压的原理（ G类）
允许使用的最佳电源电压V
P
用于扫描和
一个最佳的回扫电源电压V
FB
对于反激式，从而
非常高的效率来实现的。可用的反激式
穿过线圈的输出电压几乎等于V
FB
由于
到没有耦合电容器中的哪一个不
在桥配置必需的。在很短的上升和
反激式开关的下降时间主要是由下式确定
超过300 V / μs的摆率值。
保护
所述输出电路包含保护电路，用于：
过高的模温
A.输出过压
后卫电路
TDA8359J
提供一个保护电路，输出引脚后卫。
监视电路在产生一个高层次的
回扫时间。后卫电路也激活一
：满足下列条件的
在热保护（T
j
=
170
°C)
在开环状态。
该保护信号可以用于消隐显象管
和信令故障情况。垂直
该保护信号的同步脉冲可以用来通过
屏上显示（ OSD ）微控制器。
阻尼电阻补偿
高频回路的稳定性是通过将一阻尼实现
电阻R
D1
穿过偏转线圈。的当前值
在研发
D1
扫描和反激期间显著不同。
两个电阻器的电流和偏转线圈的电流流动
到测量电阻器R
M
，导致过低的偏转
线圈电流在扫描的起始位置。
在阻尼电阻的电流值的差
扫描和反激期间，必须在外部
为了实现短的稳定时间进行补偿。为
为此补偿电阻R
CMP
串联
一个齐纳二极管连接销OUTA和INA之间
（见图4） 。齐纳二极管的电压值应为
等于V
P
。 R的值
CMP
由下式计算：
(
V
FB
–
V
损失
(
FB
)
–
V
Z
) ×
R
D1
×
R
CV1
R
CMP
=
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------
-
(
V
FB
–
V
损失
(
FB
)
–
I
COIL
(
PEAK
)
×
R
COIL
) ×
R
M
其中：
V
损失（FB）
是引脚V之间的电压损失
FB
和OUTA
在反激式
R
COIL
是偏转线圈电阻
V
Z
为齐纳二极管D4的电压。
2002年1月21日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
全桥的垂直挠度输出电路
在LVDMOS
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
P
V
FB
V
n
参数
电源电压
反激式电源电压
直流电压
脚OUTA
脚OUTB
引脚INA ， INB ，后卫和反馈
I
n
直流电流
销OUTA和OUTB
销OUTA和OUTB
引脚INA ， INB ，后卫和反馈
I
lu
闩锁电流
目前到任何引脚;引脚电压
1.5
×
V
P
;注意2
扫描期间（对 - p）的
在反激式（峰值） ;吨
≤
1.5毫秒
20
注1
0.5
条件
分钟。
TDA8359J
马克斯。
18
68
68
V
P
V
P
3.2
±1.8
+20
+200
+500
+5000
10
+150
+85
150
单位
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
V
V
W
°C
°C
°C
目前的任何引脚;引脚电压
200
1.5 ×
V
P
;注意2
V
es
P
合计
T
英镑
T
AMB
T
j
笔记
1.当在销OUTA电压取代的70V的电路将限制电压。
2.在t
J（下最大）
.
3.通过0相当于200 pF的电容放电
电阻器。
4.相当于100 pF的电容放电通过1.5 kΩ电阻。
5.在T热保护内部限制
j
=
170
°C.
热特性
符合IEC 60747-1 。
符号
R
日（J -C ）
R
号（j -a）的
参数
从结热阻到外壳
从结点到环境的热阻
在自由空气
条件
马克斯。
3
65
静电电压处理
总功耗
储存温度
环境温度
结温
注5
机器型号;注3
人体模型;注4
500
5000
55
25
单位
K / W
K / W
2002年1月21日
5
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产品speci fi cation
全桥的垂直挠度输出电路
在LVDMOS
特点
所需的外部元件数
高效率全直流耦合垂直桥输出
电路
垂直回扫开关短的上升和下降时间
内置电路后卫
过热保护电路
改善EMC性能，由于差分输入。
概述
TDA8359J
该TDA8359J是用于90 °和110 °的电源电路
色彩偏转系统25到200赫兹场
的频率，并为4：3和16：9的显像管。该IC
包含一个垂直偏转输出电路，操作为
高效G类系统。全桥输出
电路允许偏转线圈的直流耦合
组合与单一正电源电压。
在低电压DMOS构造的IC （ LVDMOS ）
过程中，结合了双极， CMOS和DMOS
设备。 DMOS晶体管在输出级中使用的
因为没有二次击穿的。
快速参考数据
符号
耗材
V
P
V
FB
I
Q（ P） （ AV ）
I
Q（ FB ） （ AV ）
P
合计
V
I（峰 - 峰值）
I
O（ P-P ）
反激式开关
I
O（峰）
T
英镑
T
AMB
T
j
最大值（峰值）的输出电流
t
≤
1.5毫秒
55
25
±1.8
+150
+85
150
A
°C
°C
°C
电源电压
反激式电源电压
平均静态电源电流
平均静态反激式电源电流
总功耗
扫描过程中
扫描过程中
7.5
12
10
1000
18
66
15
10
10
V
V
mA
mA
W
2
×
V
P
45
参数
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
输入和输出
输入电压（峰 - 峰值）
输出电流（峰 - 峰值）
1500
3.2
mV
A
热数据;符合IEC 60747-1
储存温度
环境温度
结温
订购信息
TYPE
数
TDA8359J
包
名字
DBS9P
描述
塑料DIL -弯曲-SIL功率封装; 9导线（引线长度
12/11毫米） ;裸露的芯片焊盘
VERSION
SOT523-1
2002年1月21日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
全桥的垂直挠度输出电路
在LVDMOS
功能说明
垂直输出阶段
垂直驱动器电路具有桥结构。该
偏转线圈连接的互补之间
驱动输出放大器。差分输入电路是
电压驱动。输入电路是专门设计用于
直接连接到驱动器电路提供一个差
信号，但它也适用于单端应用程序。
与输出电流的处理器，该电流是
通过转换电阻器转换成电压
R
CV1
和R
CV2
（见图5）连接到引脚INA
和INB 。差分输入电压与比较
在测定电阻R上的电压
M
提供
反馈信息。 R两端的电压
M
is
成比例的输出电流。关系
差分输入电压和输出之间
电流被定义为：
V
I（ DIF） （对 - p）的
= I
O（ P-P ）
×
R
M
V
I（ DIF） （对 - p）的
= V
INA
V
INB
输出电流不应超过3.2 A（ PP） ，是
由R的值确定
M
和R
CV
。允许的
输入电压范围为100 mV至1.6 V的每个输入端。该
公式计算不包括内部的键合线
电阻。取决于R的值
M
和
内部接合线电阻（ 50 mΩ的典型值）
当前，在偏转线圈的实际值将是
低于计算的约5％。
反激式电源
回扫电压由反激式电源来确定
电压V
FB
。两个电源电压的原理（ G类）
允许使用的最佳电源电压V
P
用于扫描和
一个最佳的回扫电源电压V
FB
对于反激式，从而
非常高的效率来实现的。可用的反激式
穿过线圈的输出电压几乎等于V
FB
由于
到没有耦合电容器中的哪一个不
在桥配置必需的。在很短的上升和
反激式开关的下降时间主要是由下式确定
超过300 V / μs的摆率值。
保护
所述输出电路包含保护电路，用于：
过高的模温
A.输出过压
后卫电路
TDA8359J
提供一个保护电路，输出引脚后卫。
监视电路在产生一个高层次的
回扫时间。后卫电路也激活一
：满足下列条件的
在热保护（T
j
=
170
°C)
在开环状态。
该保护信号可以用于消隐显象管
和信令故障情况。垂直
该保护信号的同步脉冲可以用来通过
屏上显示（ OSD ）微控制器。
阻尼电阻补偿
高频回路的稳定性是通过将一阻尼实现
电阻R
D1
穿过偏转线圈。的当前值
在研发
D1
扫描和反激期间显著不同。
两个电阻器的电流和偏转线圈的电流流动
到测量电阻器R
M
，导致过低的偏转
线圈电流在扫描的起始位置。
在阻尼电阻的电流值的差
扫描和反激期间，必须在外部
为了实现短的稳定时间进行补偿。为
为此补偿电阻R
CMP
串联
一个齐纳二极管连接销OUTA和INA之间
（见图4） 。齐纳二极管的电压值应为
等于V
P
。 R的值
CMP
由下式计算：
(
V
FB
–
V
损失
(
FB
)
–
V
Z
) ×
R
D1
×
R
CV1
R
CMP
=
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------
-
(
V
FB
–
V
损失
(
FB
)
–
I
COIL
(
PEAK
)
×
R
COIL
) ×
R
M
其中：
V
损失（FB）
是引脚V之间的电压损失
FB
和OUTA
在反激式
R
COIL
是偏转线圈电阻
V
Z
为齐纳二极管D4的电压。
2002年1月21日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
全桥的垂直挠度输出电路
在LVDMOS
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
P
V
FB
V
n
参数
电源电压
反激式电源电压
直流电压
脚OUTA
脚OUTB
引脚INA ， INB ，后卫和反馈
I
n
直流电流
销OUTA和OUTB
销OUTA和OUTB
引脚INA ， INB ，后卫和反馈
I
lu
闩锁电流
目前到任何引脚;引脚电压
1.5
×
V
P
;注意2
扫描期间（对 - p）的
在反激式（峰值） ;吨
≤
1.5毫秒
20
注1
0.5
条件
分钟。
TDA8359J
马克斯。
18
68
68
V
P
V
P
3.2
±1.8
+20
+200
+500
+5000
10
+150
+85
150
单位
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
V
V
W
°C
°C
°C
目前的任何引脚;引脚电压
200
1.5 ×
V
P
;注意2
V
es
P
合计
T
英镑
T
AMB
T
j
笔记
1.当在销OUTA电压取代的70V的电路将限制电压。
2.在t
J（下最大）
.
3.通过0相当于200 pF的电容放电
电阻器。
4.相当于100 pF的电容放电通过1.5 kΩ电阻。
5.在T热保护内部限制
j
=
170
°C.
热特性
符合IEC 60747-1 。
符号
R
日（J -C ）
R
号（j -a）的
参数
从结热阻到外壳
从结点到环境的热阻
在自由空气
条件
马克斯。
3
65
静电电压处理
总功耗
储存温度
环境温度
结温
注5
机器型号;注3
人体模型;注4
500
5000
55
25
单位
K / W
K / W
2002年1月21日
5
QQ：2881677436 复制
