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TCD1709D
东芝CCD线性图象传感器的CCD (电荷耦合器件)
TCD1709D
该TCD1709D是一种高灵敏度,低暗电流7500
像素的CCD图像传感器。
该传感器被设计用于传真,图象和OCR 。
该器件包含一个行7500像素的光电二极管这
提供24线/毫米( 600DPI )跨A3尺寸的纸张。该
设备由5 V (脉冲) ,和12 - V电源。
特点
·
·
·
·
·
·
摄像像素数: 7500像素
摄像像素尺寸: 7微米7微米的7微米中心
光敏区域
:高灵敏度和低电压暗信号PN二极管
钟: CMOS 5 -V驱动器
电源电压: 12 V电源
封装: 68引脚CERDIP
重量:16.0克(典型值)。
最大额定值
(注1 )
特征
时钟脉冲电压
移位脉冲电压
复位脉冲电压
钳位脉冲电压
电源电压
工作温度
储存温度
符号
Vf
V
SH
V
RS
V
CP
V
OD
T
OPR
T
英镑
0.3
15
0到60
25
85
°C
°C
0.3
8
等级
单位
V
注1 :所有的电压都是相对于SS引脚(接地) 。
1
2002-11-14
TCD1709D
引脚连接
( TOP VIEW )
OS2
OS1
OD
OD
f
1A1
f
2A1
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
f
2A3
f
1A3
f
2B
SH
RS
CP
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
1
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
CP
RS
SS
f
2B
f
1A2
f
2A2
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
f
2A4
f
1A4
OD
SS
OS4
OS3
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
7500
35
2
2002-11-14
TCD1709D
电路图
SS
66
CP
68
RS
f2B
67
65
f1A2
64
f2A2
63
f2A4
50
f1A4
49
OD
48
SS
47
OS2
1
信号
产量
卜FF器
CCD模拟移位寄存器2
CCD模拟移位寄存器4
信号
产量
卜FF器
46 OS4
22 SH
移门2
D28
D27
D26
D26
D27
D28
….
PHOTO
二极管
移门1
OS1
2
信号
产量
卜FF器
CCD模拟移位寄存器1
CCD模拟移位寄存器3
信号
产量
卜FF器
S7498
S7499
S7500
D127
D126
D126
D127
S1
S2
S3
….
45 OS3
3
OD
4
OD
5
f1A1
6
f2A1
19
f2A3
20
f1A3
21
23
24
CP
f2B
RS
引脚名称
f1A1,
2, 3, 4
f2A1,
2, 3, 4
f2B
SH
RS
CP
OS1
OS2
OS3
OS4
OD
SS
NC
时钟(第1阶段)
时钟(第2阶段)
最后阶段的时钟(第2阶段)
移门
复位门
卡子门
输出信号1
输出信号2
输出信号3
输出信号4
电源
无连接
3
2002-11-14
TCD1709D
(大
=
25 ° C,V
OD
=
12 V, V
B
=
V
SH
=
V
RS
=
V
CP
=
5 V (脉冲),F
B
=
1 MHz时,
t
INT
(积分时间)
=
10毫秒,光源
=
日光灯,
负载电阻
=
100千瓦)
W
特征
灵敏度
光响应非均匀性
饱和输出电压
饱和曝光
暗信号电压
暗信号非均匀性
DC功耗
总传递效率
输出阻抗
动态范围
直流信号输出电压
直流差动误差电压
随机噪声
符号
R
PRNU
PRNU (3)
V
SAT
SE
V
DRK
DSNU
P
D
TTE
Z
o
DR
V
OS
|V
OSX
-V
OSY
|
NDS
12
1.5
0.08
92
4.5
典型值。
15
3
5
2.0
0.16
1
2
800
98
0.2
2500
6
0.7
最大
18
10
12
3
6
1040
1
7.5
300
单位
V/(lx½s)
%
mV
V
lx½s
mV
mV
mW
%
kW
V
mV
mV
(注6 )
(注7 )
(注9 )
(注10 )
(注2 )
(注8)
(注3)
(注4 )
(注5 )
(注5 )
光/电特性
注2 :测量在SE的50 % (典型值)。
PRNU的定义: PRNU =
Dc
c
100

%

哪里
?
是平均总信号输出和
,?
是从最大偏差
?
根据统一
照明(通道1) 。
在1875年的像素(通道2,通道3和通道4)的情况下,条件是与上述相同的太。
注3 : V
SAT
被定义为所有有效像素的最小饱和输出电压。
注4 : SE的定义: SE =
VSAT
(lx½s)
R
4
2002-11-14
TCD1709D
注5 : V
DRK
被定义为所有有效像素的暗信号电压平均值。
DSNU由平均值之间的差值(所限定的V
DRK
)和暗的最大值
电压。
OS
V
DRK
DSNU
注6 : DR的定义: DR =
VSAT
Vdrk
V
DRK
正比于色调(积分时间) 。
因此,短吨
INT
条件,使更广泛的DR值。
注7 :直流信号输出电压的定义如下:
OS
VOS
SS
注8 : PRNU ( 3 )被定义为一个像素,在那里测得的SE 5 %最大电压(典型值)。
注9 :直流差分误差电压被定义如下:
直流差分误差电压的定义= | V
OSX
V
OSY
|
V
OSX
:最大直流信号输出电压
V
OSY
:最小直流信号输出电压
5
2002-11-14
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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