IRF646
数据表
1999年6月
网络文件编号
2169.3
14A ， 275V ， 0.280 Ohm的N通道功率
MOSFET
这种N沟道增强型硅栅功率科幻场
场效应晶体管是一种先进的功率MOSFET设计，
经过测试，并保证能承受一个特定的编辑水平
能在操作中的击穿雪崩模式。所有
这些功率MOSFET设计用于应用程序，例如
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
继电器驱动器，以及用于高功率双极开关的驱动
晶体管需要高速，低栅极驱动电源。
这些类型可以直接从集成操作
电路。
以前发育类型TA17423 。
特点
14A ， 275V
r
DS （ ON）
= 0.280
单脉冲能量额定雪崩
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
275VDC额定- 120VAC线系统操作
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
IRF646
包
TO-220AB
BRAND
IRF646
符号
D
注：订货时，使用整个零件编号。
G
S
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏极（法兰）
4-214
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
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版权
Intersil公司1999
