IRF646
典型性能曲线
1.25
归一漏极至源极
击穿电压
I
D
= 250A
1.15
C，电容（pF ）
2400
除非另有规定编
（续）
3000
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
1.05
1800
C
国际空间站
1200
C
OSS
600
C
RSS
0.95
0.85
0.75
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
0
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
100
T
J
，结温（
o
C)
图10.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
图11.电容VS漏源极电压
15
12
25
o
C
I
SD
，源极到漏极电流（A）
g
fs
，跨导（ S）
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DS
≥
50V
100
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
10
9
150
o
C
6
150
o
C
1
25
o
C
3
0
0
5
10
15
20
25
I
D
，漏电流（ A）
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
SD
，源极到漏极电压（ V）
2.0
图12.跨VS漏极电流
图13.源极到漏极二极管的正向电压
20
I
D
= 14A
V
DS
= 125V
V
DS
= 50V
V
GS
，门源（ V）
16
12
V
DS
= 200V
8
4
0
0
12
24
36
48
60
Q
g
，栅极电荷（ NC）
图14.栅极至源极电压Vs栅极电荷
4-218
