IRF646
数据表
1999年6月
网络文件编号
2169.3
14A ， 275V ， 0.280 Ohm的N通道功率
MOSFET
这种N沟道增强型硅栅功率科幻场
场效应晶体管是一种先进的功率MOSFET设计，
经过测试，并保证能承受一个特定的编辑水平
能在操作中的击穿雪崩模式。所有
这些功率MOSFET设计用于应用程序，例如
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
继电器驱动器，以及用于高功率双极开关的驱动
晶体管需要高速，低栅极驱动电源。
这些类型可以直接从集成操作
电路。
以前发育类型TA17423 。
特点
14A ， 275V
r
DS （ ON）
= 0.280
单脉冲能量额定雪崩
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
275VDC额定- 120VAC线系统操作
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
IRF646
包
TO-220AB
BRAND
IRF646
符号
D
注：订货时，使用整个零件编号。
G
S
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏极（法兰）
4-214
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
IRF646
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
IRF646
275
275
14
8.8
56
±20
125
1.0
550
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
A
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
T
C
= 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩能量额定值（注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见TB334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
D（上）
I
GSS
r
DS （ ON）
g
fs
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
L
D
测量从联系人修改MOSFET
拧上Tab键切换到符号的中心显示了
DIE
内部设备
电感
测量从排水
铅的6mm （ 0.25英寸） ，从
包装以模具中心
D
L
D
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图10）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V ，T
J
= 125
o
C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, V
GS
= 10V （图7）
V
GS
=
±20V
I
D
= 8A ，V
GS
= 10V （图8,9 ）
V
DS
≥
50V ，我
D
= 8A （图12）
V
DD
= 125V ，我
D
≈
14A ，R
GS
= 9.1, R
L
= 8.6,
MOSFET开关时间基本上是
独立工作温度
民
275
2
-
-
14
-
-
6.7
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
0.200
10
16
67
53
49
39
6.6
20
1300
320
69
4.5
最大
-
4
25
250
-
±100
0.280
-
24
100
80
74
59
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
A
A
A
nA
S
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
nH
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
通态漏电流（注2 ）
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
正向跨导（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（门源+栅漏）
门源费
栅漏“米勒”充电
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部排水电感
V
GS
= 10V ，我
D
= 14A ，V
DS
= 0.8×额定BV
DSS ，
I
G（ REF ）
= 1.5毫安， （图14 ），栅极电荷
基本上是独立工作温度
-
-
-
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V中，f = 1MHz的（图11）
-
-
-
-
-
7.5
-
nH
内部源极电感
L
S
从源测量
铅的6mm （ 0.25英寸） ，从
头源极连接
PAD
-
G
L
S
S
7.5
-
nH
热阻结到外壳
热阻结到环境
R
θJC
R
θJA
自由空气操作
-
-
-
-
1
80
o
C / W
o
C / W
4-215
IRF646
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
脉冲源极到漏极电流
（注3）
符号
I
SD
I
SDM
测试条件
修改MOSFET符号
显示积分
反向P- N结
二极管
G
D
民
-
-
典型值
-
-
最大
14
56
单位
A
A
源极到漏极二极管电压（注2 ）
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
V
SD
t
rr
Q
RR
S
o
C，我
T
J
= 25
SD
= 14A ，V
GS
= 0V （图13）
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 14A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 14A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
150
1.6
-
300
3.4
1.8
640
7.2
V
ns
C
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
4. V
DD
= 50V ，起始物为
J
= 25
o
C，L = 4.5mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
AS
= 14A.
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
除非另有规定编
15
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
D
，漏电流（ A）
12
9
6
3
0
0
50
100
150
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
1
Z
θJC
归一化暂态
热阻抗（
o
C / W ）
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
P
DM
0.001
10
-5
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
T
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
t
1
t
2
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
图3.归一化最大瞬态热阻抗
4-216
QQ：2881677436 复制
