飞利浦半导体
产品数据
先进的DDR存储器终端电源
在外部参考
NE57810
级联NE57810复杂的存储系统
为高性能计算机系统，有时存储体
驱动180度的相位彼此以使得
表观访问时间被减半（偶数和奇数存储器地址）。
要做到这一点，则建议2 NE57810s时， 1至
终止每个存储器组。
层叠NE57810终结器提供了两个优势，它提高
通过使存储器的SIMM的系统噪声性能
更靠近终止子，并分配由所产生的任何热
终结制度。通过使用REFOUT引脚从一个NE57810到
该ExtRefIn销为其他NE57810 （多个）系统中使用的， 1
总是可以保证V
TT
电压是相同的。因为
的NE57810中，V的非常严格的输出电压调节
TT
输出不应该被连接在一起。这是因为
终结器会“打架”彼此，如果他们的产量是由不同
只有几毫伏。此方法既可以在正常使用
操作模式和外部设定的操作模式。
利用这种方法可以看出，在图14中。
V
REF
+V
DD
V
DD
主
NE57810
V
TT
+V
TT1
EXTREFIN
C
IN
V
SS
REFOUT
C
OUT
（ LF ）
C
OUT
（ HF ）
GND
GND
V
DD
SLAVE
NE57810
V
TT
+V
TT2
EXTREFIN
C
IN
V
SS
其他
NE57810s
REFOUT
C
OUT
（ LF ）
C
OUT
（ HF ）
GND
SL01680
图14.级联终止系统中复杂的内存系统。
2003年09月12
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