飞利浦半导体
产品数据
先进的DDR存储器终端电源
在外部参考
NE57810
外部编程V
TT
输出电压
该NE57810允许使用外部基准电压来设置其
V
TT
输出电压。该引脚（ ExtRefIn销4 ）是用于应用程序
其中， V
TT
电压不是V
DD
除以2。这使得V
TT
电压和电流被从电源总线是不拉伸
在DDR内存的供电电压。这可能有一些优点
当你试图更好地匹配动力正在制定
从输出端出现的来自主系统的电源。这可以
可以看到在图13中。
内部基准电压由两个匹配的100 kΩ的设置
连接在V之间的电阻分压电阻
DD
和V
SS
该NE57810的引脚。
设置V的值
REF
或V
TT
可以通过两种方式来完成：通过将
外部电阻分压器，其电阻值小于5kΩ的
每个或通过连接的运算放大器是输出
输出基准电压。如果外部电阻分压器
使用时，将一个0.01
F
间的陶瓷旁路电容
ExtRefIn引脚（引脚4）和V
SS
引脚（引脚3）。的精度
当外部电阻分压器用于新的参考电压将
约0.5 ％的PLUS的公差的总和
在分隔用的电阻。
请注意，当NE57810被以这种方式操作时，该
该部分的功耗可能增加。
在外部参考
V
REF
+V
DD
V
DD
V
TT
+V
TT
NE57810
EXTREFIN
C
IN
V
SS
REFOUT
C
OUT
（ LF ）
C
OUT
（ HF ）
GND
GND
SL01679
图13.外部设定V
TT
.
2003年09月12
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