飞利浦半导体
初步speci fi cation
PNP电阻配备晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.参考SC- 89 （ SOT490 ）标准安装条件。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V;
F = 1 MHz的
条件
I
E
= 0; V
CB
=
50
V
I
B
= 0; V
CE
=
30
V
I
B
= 0; V
CE
=
30
V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
I
C
=
5
毫安; V
CE
=
5
V
I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
C
=
100 A;
V
CE
=
5
V
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
0.3
V
分钟。
80
3
33
0.8
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
PDTA144EEF
价值
500
单位
K / W
典型值。
1.2
1.6
47
1
马克斯。
100
1
50
90
150
0.8
61
1.2
3
单位
nA
A
A
A
mV
V
V
k
pF
1999年4月20日
3
