【分立半导体数据表M3D173PDTA144EEPNP电阻配备晶体管初步speci fi cation】,IC型号PDTA144,PDTA144 PDF资料,PDTA144经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

M3D173

PDTA144EE

PNP电阻配备晶体管

初步speci fi cation

取代1997年的数据7月3日

在分离式半导体文件， SC04

1998年7月23日

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

特点

内置的偏置电阻R1和R2

（每个典型值47千欧）

电路设计的简化

减少了部件的数量

和电路板空间。

应用

特别适用于空间

减少接口和驱动程序

电路

逆变器电路配置

无需使用外部电阻。

描述

在PNP电阻配备晶体管

一个SC- 75塑料封装。

NPN补充： PDTC144EE 。

1

3

2

1

顶视图

手册， halfpage

PDTA144EE

3

R1

1

R2

2

MAM345

3

2

Fig.1简化外形（ SC- 75 ）和符号。

记号

TYPE

数

PDTA144EE

记号

CODE

07

钉扎

针

1

2

3

描述

底座/输入

发射器/地面（+）

集电极/输出

MGA893 - 1

Fig.2

相当于逆变器

符号。

快速参考数据

符号

V

首席执行官

I

O

I

CM

P

合计

h

FE

R1

R2

------

-

R1

参数

集电极 - 发射极电压

输出直流（DC）

峰值集电极电流

总功耗

直流电流增益

输入电阻

电阻率

T

AMB

≤

25

°C

I

C

=

5

毫安; V

CE

=

5

V

条件

开基

80

33

0.8

分钟。

47

1

典型值。

马克斯。

50

100

150

61

1.2

k

单位

V

mA

mW

1998年7月23日

2

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

V

I

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

输入电压

积极

负

I

O

I

CM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

热特性

符号

R

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

T

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE

V

CESAT

V

我（关闭）

V

我（上）

R1

R2

------

-

R1

C

c

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

输入截止电压

输入导通电压

输入电阻

电阻率

集电极电容

I

E

= i

e

= 0; V

CB

=

10

V ; F = 1 MHz的

条件

I

C

= 0; V

CB

=

50

V

I

B

= 0; V

CE

=

30

V

I

B

= 0; V

CE

=

30

V ;牛逼

j

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

=

5

V

I

C

=

5

毫安; V

CE

=

5

V

I

C

=

10

毫安;我

B

=

0.5

mA

I

C

=

100 A;

V

CE

=

5

V

I

C

=

2

毫安; V

CE

=

300

mV

分钟。

80

3

33

0.8

参数

从结点到环境的热阻

注1

条件

输出直流（DC）

峰值集电极电流

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注1

65

条件

发射极开路

开基

集电极开路

分钟。

PDTA144EE

马克斯。

50

10

+10

40

100

150

+150

150

+150

V

单位

mA

mW

°C

价值

833

单位

K / W

典型值。

1.2

1.6

47

1

MAX 。 UNIT

100

1

50

90

150

0.8

61

1.2

3

pF

mV

V

k

nA

A

1998年7月23日

3

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

PDTA144EE

手册， halfpage

10

3

MBK802

手册， halfpage

(1)

(2)

(3)

10

1

MBK801

的hFE

VCEsat晶体管

(V)

(2)

(3)

10

2

10

1

10

1

10

IC （MA ）

10

2

10

2

10

1

10

IC （MA ）

10

2

V

CE

=

5

V.

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

=

40 °C.

I

C

/I

B

= 20.

(1) T

AMB

= 100

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

=

40 °C.

Fig.3

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.4

集电极 - 发射极饱和电压为

集电极电流的函数;典型值。

手册， halfpage

10

MBK804

10

2

手册， halfpage

第六章（上）

MBK803

六（关闭）

(V)

10

(1)

(2)

(3)

1

(2)

(3)

1

10

1

10

2

10

1

IC （MA ）

10

1

10

1

10

IC （MA ）

10

2

V

CE

=

5

V.

(1) T

AMB

=

40 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 100

°C.

V

CE

=

0.3

V.

(1) T

AMB

=

40 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 100

°C.

Fig.5

输入截止电压作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.6

输入导通电压作为集电体的功能

电流;典型值。

1998年7月23日

4

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

PDTA144EE

SOT416

D

B

E

A

X

v

M

A

HE

3

Q

A

1

e1

e

bp

2

w

M

B

A1

c

Lp

细节X

0

0.5

规模

1 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

0.95

0.60

A1

最大

0.1

bp

0.30

0.15

c

0.25

0.10

D

1.8

1.4

E

0.9

0.7

e

1

e

1

0.5

H

E

1.75

1.45

L

p

0.45

0.15

Q

0.23

0.13

v

0.2

w

0.2

概要

VERSION

SOT416

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

SC-75

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1998年7月23日

5

分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D114

PDTA144EK

PNP电阻配备晶体管

产品speci fi cation

取代1997年的数据9月5日

在分离式半导体文件， SC04

1998年5月20日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

特点

内置的偏置电阻R1和R2

（每个典型值47千欧）

电路设计的简化

减少了部件的数量

和电路板空间。

应用

特别适用于空间

减少接口和驱动程序

电路

逆变器电路配置

无需使用外部电阻。

描述

在PNP电阻配备晶体管

一个SC- 59塑料封装。

NPN补充： PDTC144EK 。

钉扎

MGA893 - 1

PDTA144EK

3

R1

1

R2

2

1

顶视图

2

MAM262

Fig.1简化外形（ SC - 59）和符号。

记号

TYPE

数

PDTA144EK

2

1

3

记号

CODE

07

针

1

2

3

描述

底座/输入

发射器/地面（+）

集电极/输出

Fig.2

相当于逆变器

符号。

快速参考数据

符号

V

首席执行官

I

O

I

CM

P

合计

h

FE

R1

R2

-------

-

R1

参数

集电极 - 发射极电压

输出直流（DC）

峰值集电极电流

总功耗

直流电流增益

输入电阻

电阻率

T

AMB

≤

25

°C

I

C

=

5

毫安; V

CE

=

5

V

条件

开基

80

33

0.8

分钟。

47

1

典型值。

马克斯。

50

100

250

61

1.2

k

单位

V

mA

mW

1998年5月20日

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

V

I

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

输入电压

积极

负

I

O

I

CM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

热特性

符号

R

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

T

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE

V

CESAT

V

我（关闭）

V

我（上）

R1

R2

-------

-

R1

C

c

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

输入截止电压

输入导通电压

输入电阻

电阻率

集电极电容

I

E

= i

e

= 0; V

CB

=

10

V ; F = 1 MHz的

条件

I

E

= 0; V

CB

=

50

V

I

B

= 0; V

CE

=

30

V

I

B

= 0; V

CE

=

30

V ;牛逼

j

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

=

5

V

I

C

=

5

毫安; V

CE

=

5

V

I

C

=

10

毫安;我

B

=

0.5

mA

I

C

=

100 A;

V

CE

=

5

V

I

C

=

2

毫安; V

CE

=

0.3

V

分钟。

80

3

33

0.8

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

价值

500

输出直流（DC）

峰值集电极电流

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注1

65

条件

发射极开路

开基

集电极开路

分钟。

PDTA144EK

马克斯。

50

10

+10

40

100

250

+150

150

+150

V

单位

mA

mW

°C

单位

K / W

典型值。

1.2

1.6

47

1

马克斯。

100

1

50

90

150

0.8

61

1.2

3

单位

nA

A

mV

V

k

pF

1998年5月20日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

PDTA144EK

手册， halfpage

10

3

MBK802

手册， halfpage

(1)

(2)

(3)

10

1

MBK801

的hFE

VCEsat晶体管

(V)

(2)

(3)

10

2

10

1

10

1

10

IC （MA ）

10

2

10

2

10

1

10

IC （MA ）

10

2

V

CE

=

5

V.

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

=

40 °C.

I

C

/I

B

= 20.

(1) T

AMB

= 100

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

=

40 °C.

Fig.3

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.4

集电极 - 发射极饱和电压为

集电极电流的函数;典型值。

手册， halfpage

10

MBK804

10

2

手册， halfpage

第六章（上）

MBK803

六（关闭）

(V)

10

(1)

(2)

(3)

1

(2)

(3)

1

10

1

10

2

10

1

IC （MA ）

10

1

10

1

10

IC （MA ）

10

2

V

CE

=

5

V.

(1) T

AMB

=

40 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 100

°C.

V

CE

=

0.3

V.

(1) T

AMB

=

40 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 100

°C.

Fig.5

输入截止电压作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.6

输入导通电压作为集电体的功能

电流;典型值。

1998年5月20日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

PDTA144EK

SOT346

E

D

B

A

X

HE

v

M

A

3

Q

A

A1

1

e1

e

bp

2

w

M

B

细节X

Lp

c

0

1

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

1.3

1.0

A

1

0.1

0.013

b

p

0.50

0.35

c

0.26

0.10

D

3.1

2.7

E

1.7

1.3

e

1.9

e

1

0.95

H

E

3.0

2.5

L

p

0.6

0.2

Q

0.33

0.23

v

0.2

w

0.2

概要

VERSION

SOT346

参考文献：

IEC

JEDEC

TO-236

EIAJ

SC-59

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1998年5月20日

5

分立半导体

数据表

M3D425

PDTA144EEF

PNP电阻配备晶体管

初步speci fi cation

1999年4月20日

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

特点

内置的偏置电阻R1和R2

（每个典型值47千欧）

电路设计的简化

减少了部件的数量

和电路板空间。

应用

特别适用于空间

减少接口和驱动程序

电路

逆变器电路配置

无需使用外部电阻。

描述

在PNP电阻配备晶体管

一个SC- 89 （ SOT490 ）塑料封装。

钉扎

针

1

2

3

描述

底座/输入

发射器/接地

集电极/输出

MGA893 - 1

PDTA144EEF

手册， halfpage

3

R1

1

R2

3

1

顶视图

2

MAM413

2

Fig.1简化外形（ SC- 89 ; SOT490 ）和符号。

记号

TYPE

数

3

2

1

记号

CODE

07

PDTA144EEF

Fig.2

相当于逆变器

符号。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

V

I

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

输入电压

积极

负

I

O

I

CM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

1.参考SC- 89 （ SOT490 ）标准安装条件。

输出直流（DC）

峰值集电极电流

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注1

65

10

40

100

250

+150

150

+150

V

mA

mW

°C

条件

发射极开路

开基

集电极开路

分钟。

马克斯。

50

10

V

单位

1999年4月20日

2

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

热特性

符号

R

日J-一

记

1.参考SC- 89 （ SOT490 ）标准安装条件。

特征

T

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE

V

CESAT

V

我（关闭）

V

我（上）

R1

R2

-------

-

R1

C

c

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

输入截止电压

输入导通电压

输入电阻

电阻率

集电极电容

I

E

= i

e

= 0; V

CB

=

10

V;

F = 1 MHz的

条件

I

E

= 0; V

CB

=

50

V

I

B

= 0; V

CE

=

30

V

I

B

= 0; V

CE

=

30

V ;牛逼

j

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

=

5

V

I

C

=

5

毫安; V

CE

=

5

V

I

C

=

10

毫安;我

B

=

0.5

mA

I

C

=

100 A;

V

CE

=

5

V

I

C

=

2

毫安; V

CE

=

0.3

V

分钟。

80

3

33

0.8

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

PDTA144EEF

价值

500

单位

K / W

典型值。

1.2

1.6

47

1

马克斯。

100

1

50

90

150

0.8

61

1.2

3

单位

nA

A

mV

V

k

pF

1999年4月20日

3

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

PDTA144EEF

手册， halfpage

10

3

MDA924

手册， halfpage

(1)

(2)

(3)

10

1

MDA923

的hFE

VCEsat晶体管

(V)

(1)

(2)

10

2

(3)

10

1

10

1

10

IC （MA ）

10

2

10

2

10

1

10

IC （MA ）

10

2

V

CE

=

5

V.

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

=

40 °C.

I

C

/I

B

= 20.

(1) T

AMB

= 100

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

=

40 °C.

Fig.3

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.4

集电极 - 发射极饱和电压为

集电极电流的函数;典型值。

手册， halfpage

10

MDA926

10

2

手册， halfpage

第六章（上）

MDA925

六（关闭）

(V)

(1)

(V)

10

(1)

(2)

1

(2)

(3)

1

10

1

10

2

10

1

IC （MA ）

10

1

10

1

10

IC （MA ）

10

2

V

CE

=

5

V.

(1) T

AMB

=

40 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 100

°C.

V

CE

=

0.3

V.

(1) T

AMB

=

40 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 100

°C.

Fig.5

输入截止电压作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.6

输入导通电压作为集电体的功能

电流;典型值。

1999年4月20日

4

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

PDTA144EEF

SOT490

D

B

E

A

X

HE

v

M

A

3

A

1

e1

e

bp

2

w

M

B

Lp

细节X

c

0

1

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

0.8

0.6

b

p

0.33

0.23

c

0.2

0.1

D

1.7

1.5

E

0.95

0.75

e

1.0

e

1

0.5

H

E

1.7

1.5

L

p

0.5

0.3

v

0.1

w

0.1

概要

VERSION

SOT490

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

SC-89

欧洲

投影

发行日期

98-10-23

1999年4月20日

5

分立半导体

数据表

M3D173

PDTA144EE

PNP电阻配备晶体管

初步speci fi cation

取代1997年的数据7月3日

在分离式半导体文件， SC04

1998年7月23日

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

特点

内置的偏置电阻R1和R2

（每个典型值47千欧）

电路设计的简化

减少了部件的数量

和电路板空间。

应用

特别适用于空间

减少接口和驱动程序

电路

逆变器电路配置

无需使用外部电阻。

描述

在PNP电阻配备晶体管

一个SC- 75塑料封装。

NPN补充： PDTC144EE 。

1

3

2

1

顶视图

手册， halfpage

PDTA144EE

3

R1

1

R2

2

MAM345

3

2

Fig.1简化外形（ SC- 75 ）和符号。

记号

TYPE

数

PDTA144EE

记号

CODE

07

钉扎

针

1

2

3

描述

底座/输入

发射器/地面（+）

集电极/输出

MGA893 - 1

Fig.2

相当于逆变器

符号。

快速参考数据

符号

V

首席执行官

I

O

I

CM

P

合计

h

FE

R1

R2

------

-

R1

参数

集电极 - 发射极电压

输出直流（DC）

峰值集电极电流

总功耗

直流电流增益

输入电阻

电阻率

T

AMB

≤

25

°C

I

C

=

5

毫安; V

CE

=

5

V

条件

开基

80

33

0.8

分钟。

47

1

典型值。

马克斯。

50

100

150

61

1.2

k

单位

V

mA

mW

1998年7月23日

2

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

V

I

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

输入电压

积极

负

I

O

I

CM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

热特性

符号

R

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

T

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE

V

CESAT

V

我（关闭）

V

我（上）

R1

R2

------

-

R1

C

c

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

输入截止电压

输入导通电压

输入电阻

电阻率

集电极电容

I

E

= i

e

= 0; V

CB

=

10

V ; F = 1 MHz的

条件

I

C

= 0; V

CB

=

50

V

I

B

= 0; V

CE

=

30

V

I

B

= 0; V

CE

=

30

V ;牛逼

j

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

=

5

V

I

C

=

5

毫安; V

CE

=

5

V

I

C

=

10

毫安;我

B

=

0.5

mA

I

C

=

100 A;

V

CE

=

5

V

I

C

=

2

毫安; V

CE

=

300

mV

分钟。

80

3

33

0.8

参数

从结点到环境的热阻

注1

条件

输出直流（DC）

峰值集电极电流

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注1

65

条件

发射极开路

开基

集电极开路

分钟。

PDTA144EE

马克斯。

50

10

+10

40

100

150

+150

150

+150

V

单位

mA

mW

°C

价值

833

单位

K / W

典型值。

1.2

1.6

47

1

MAX 。 UNIT

100

1

50

90

150

0.8

61

1.2

3

pF

mV

V

k

nA

A

1998年7月23日

3

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

PDTA144EE

手册， halfpage

10

3

MBK802

手册， halfpage

(1)

(2)

(3)

10

1

MBK801

的hFE

VCEsat晶体管

(V)

(2)

(3)

10

2

10

1

10

1

10

IC （MA ）

10

2

10

2

10

1

10

IC （MA ）

10

2

V

CE

=

5

V.

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

=

40 °C.

I

C

/I

B

= 20.

(1) T

AMB

= 100

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

=

40 °C.

Fig.3

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.4

集电极 - 发射极饱和电压为

集电极电流的函数;典型值。

手册， halfpage

10

MBK804

10

2

手册， halfpage

第六章（上）

MBK803

六（关闭）

(V)

10

(1)

(2)

(3)

1

(2)

(3)

1

10

1

10

2

10

1

IC （MA ）

10

1

10

1

10

IC （MA ）

10

2

V

CE

=

5

V.

(1) T

AMB

=

40 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 100

°C.

V

CE

=

0.3

V.

(1) T

AMB

=

40 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 100

°C.

Fig.5

输入截止电压作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.6

输入导通电压作为集电体的功能

电流;典型值。

1998年7月23日

4

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

PDTA144EE

SOT416

D

B

E

A

X

v

M

A

HE

3

Q

A

1

e1

e

bp

2

w

M

B

A1

c

Lp

细节X

0

0.5

规模

1 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

0.95

0.60

A1

最大

0.1

bp

0.30

0.15

c

0.25

0.10

D

1.8

1.4

E

0.9

0.7

e

1

e

1

0.5

H

E

1.75

1.45

L

p

0.45

0.15

Q

0.23

0.13

v

0.2

w

0.2

概要

VERSION

SOT416

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

SC-75

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1998年7月23日

5