飞利浦半导体
初步speci fi cation
PNP电阻配备晶体管
PDTA144EEF
手册， halfpage
10
3
MDA924
手册， halfpage
(1)
(2)
(3)
10
1
MDA923
的hFE
VCEsat晶体管
(V)
(1)
(2)
10
2
(3)
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
10
2
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
手册， halfpage
10
MDA926
10
2
手册， halfpage
第六章（上）
MDA925
六（关闭）
(V)
(1)
(V)
10
(1)
(2)
1
(2)
(3)
(3)
1
10
1
10
2
10
1
1
IC （MA ）
10
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
V
CE
=
0.3
V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
Fig.5
输入截止电压作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.6
输入导通电压作为集电体的功能
电流;典型值。
1999年4月20日
4
