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飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
BUK9575-55
50
ID / A
40
10.0
8.0
VGS / V =
6.0
5.4
5.0
4.8
4.6
4.4
4.2
4.0
3.8
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
10 2.0
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
跨导， GFS （ S）
30
20
10
0
0
5
0
2
4
VDS / V 6
8
10
15
漏极电流ID （ A）
20
25
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
RDS （ ON） /毫欧
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 25 V
BUK959-60
90
85
80
75
70
65
60
55
2.5
VGS / V =
4
4.2
4.4
4.6
4.8
5
a
RDS（ON） normlised到25degC
2
1.5
1
5
10
15
ID / A
20
25
0.5
-100
-50
0
50
TMB /摄氏度
100
150
200
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
25
ID / A
20
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 10 A; V
GS
= 5 V
VGS （ TO ） / V
马克斯。
2
典型值。
BUK959-60
2.5
15
1.5
分钟。
10
1
5
TJ / C =
0
0
1
175
2
25
VGS / V
3
4
5
0.5
0
-100
-50
0
50
TJ / C
100
150
200
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
1998年4月
4
启1.100
