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飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
雪崩限值
符号
W
DSS
参数
漏源不重复
非钳位电感关断
能源
条件
I
D
= 10 A; V
DD
≤
25 V;
V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
T
mb
= 25 C
分钟。
-
典型值。
-
BUK9575-55
马克斯。
30
单位
mJ
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
100
TP =
ID / A
RDS （ ON）= VDS / ID
10us
10
1美国
100美
DC
1毫秒
10ms
100ms
1
10
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
1
VDS / V
100
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
归一化电流降额
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
第Z / （K / W）
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
ID％
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
0.1
0.02
T
0
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
0.01
1.0E-06
0.0001
T / S
0.01
1
100
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
5 V
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
1998年4月
3
启1.100
