添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第223页 > BUK9575-100A
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
概述
N沟道增强模式的逻辑
在水平场效应功率晶体管
塑料封套使用“地沟”
技术。该器件具有非常
低通态电阻，并具有
积分齐纳二极管提供ESD
保护高达2kV的。其目的是为
在汽车和一般用途
用开关应用。
BUK9575-55
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DS （ ON）
参数
漏源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 5 V
马克斯。
55
19.7
61
175
75
单位
V
A
W
C
m
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
门
漏
来源
漏
描述
引脚配置
TAB
符号
d
g
s
1 23
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
, T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
存储&工作温度
条件
-
R
GS
= 20 k
-
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
55
55
10
19.7
13.9
79
61
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
ESD限值
符号
V
C
参数
静电放电电容
电压，所有引脚
条件
人体模型
（ 100 pF的， 1.5千欧）
分钟。
-
马克斯。
2
单位
kV
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
热阻结到
安装底座
热阻结到
环境
条件
-
在自由空气
典型值。
-
60
马克斯。
2.46
-
单位
K / W
K / W
1998年4月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
静态特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
I
DSS
I
GSS
±V
（ BR ） GSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
栅源击穿
电压
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安;
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
T
j
= 175C
T
j
= -55C
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V;
V
GS
=
±5
V; V
DS
= 0 V
I
G
=
±1
毫安;
V
GS
= 5 V ;我
D
= 10 A
T
j
= 175C
T
j
= 175C
T
j
= 175C
分钟。
55
50
1
0.5
-
-
-
-
-
10
-
-
典型值。
-
-
1.5
-
-
0.05
-
0.02
-
60
-
BUK9575-55
马克斯。
-
-
2
-
2.3
10
500
1
10
-
75
157
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
V
m
m
动态特性
T
mb
= 25 ° C除非另有说明
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
d
L
s
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反馈电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
条件
V
DS
= 25 V ;我
D
= 10 A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
分钟。
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
500
110
60
10
47
28
33
3.5
4.5
7.5
马克斯。
-
650
135
85
15
70
40
45
-
-
-
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
V
DD
= 30 V ;我
D
= 10 A;
V
GS
= 5 V ;
G
= 10
阻性负载
从螺丝接触测量
标签，模具中心
从漏极引线6毫米测
从包装到模具中心
从源测量导致6毫米
从包装到源焊盘
反向二极管极限值和特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
DR
I
DRM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续反向漏
当前
脉冲反向漏电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
分钟。
-
I
F
= 19.7 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 19.7 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= -10 V; V
R
= 30 V
-
-
-
-
典型值。
-
-
0.95
32
0.12
马克斯。
19.7
79
1.2
-
-
单位
A
A
V
ns
C
1998年4月
2
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
雪崩限值
符号
W
DSS
参数
漏源不重复
非钳位电感关断
能源
条件
I
D
= 10 A; V
DD
≤
25 V;
V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
T
mb
= 25 C
分钟。
-
典型值。
-
BUK9575-55
马克斯。
30
单位
mJ
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
100
TP =
ID / A
RDS （ ON）= VDS / ID
10us
10
1美国
100美
DC
1毫秒
10ms
100ms
1
10
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
1
VDS / V
100
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
归一化电流降额
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
第Z / （K / W）
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
ID％
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
0.1
0.02
T
0
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
0.01
1.0E-06
0.0001
T / S
0.01
1
100
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
5 V
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
1998年4月
3
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
BUK9575-55
50
ID / A
40
10.0
8.0
VGS / V =
6.0
5.4
5.0
4.8
4.6
4.4
4.2
4.0
3.8
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
10 2.0
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
跨导， GFS （ S）
30
20
10
0
0
5
0
2
4
VDS / V 6
8
10
15
漏极电流ID （ A）
20
25
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
RDS （ ON） /毫欧
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 25 V
BUK959-60
90
85
80
75
70
65
60
55
2.5
VGS / V =
4
4.2
4.4
4.6
4.8
5
a
RDS（ON） normlised到25degC
2
1.5
1
5
10
15
ID / A
20
25
0.5
-100
-50
0
50
TMB /摄氏度
100
150
200
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
25
ID / A
20
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 10 A; V
GS
= 5 V
VGS （ TO ） / V
马克斯。
2
典型值。
BUK959-60
2.5
15
1.5
分钟。
10
1
5
TJ / C =
0
0
1
175
2
25
VGS / V
3
4
5
0.5
0
-100
-50
0
50
TJ / C
100
150
200
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
1998年4月
4
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
BUK9575-55
1E-01
亚阈值传导
100
IF / A
80
1E-02
2%
典型值
98%
60
TJ / C =
40
175
25
1E-03
1E-04
1E-05
20
1E-05
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.5
VSDS / V
1
1.5
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
1
.9
.8
图14 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;条件： V
GS
= 0 V ;参数T
j
WDSS ％
120
110
100
90
80
70
西塞
数千pF的
.7
.6
.5
.4
.3
.2
.1
0
0.01
0.1
1
VDS / V
10
科斯
CRSS
100
60
50
40
30
20
10
0
20
40
60
80
100
120
TMB / C
140
160
180
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
6
VGS / V
5
VDS = 14V
4
VDS = 44V
图15 。正常化雪崩能量等级。
W
DSS
（％）= F（T
mb
） ;条件：我
D
= 17 A
+
L
VDS
VGS
0
RGS
T.U.T.
R 01
分流
VDD
3
-
-ID/100
2
1
0
0
2
4
6
QG / NC
8
10
12
图13 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
） ;条件：我
D
= 20 A;参数V
DS
图16 。雪崩能量测试电路。
2
W
DSS
=
0.5
LI
D
BV
DSS
/ （ BV
DSS
V
DD
)
1998年4月
5
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
概述
N沟道增强模式的逻辑
在水平场效应功率晶体管
塑料外壳可用
TO220AB和SOT404 。运用
“沟”技术，其特点
非常低的导通状态电阻。这是
旨在用于汽车和
一般
用途
开关
应用程序。
BUK9575-100A
BUK9675-100A
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DS （ ON）
参数
漏源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 5 V
V
GS
= 10 V
马克斯。
100
23
99
175
75
55
单位
V
A
W
C
m
m
钉扎
TO220AB & SOT404
针
1
2
3
描述
门
漏
2
mb
TAB
引脚配置
符号
d
g
3
SOT404
BUK9675-100A
来源
1
标签/ MB漏
1 2 3
TO220AB
BUK9575-100A
s
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
, T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
存储&工作温度
条件
-
R
GS
= 20 k
-
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
100
100
15
23
16
91
98
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
R
日J-一
参数
热阻结到
安装底座
热阻结到
ambient(TO220AB)
热阻结到
ambient(SOT404)
条件
-
在自由空气
最小的足迹， FR4
板
典型值。
-
60
50
马克斯。
1.5
-
-
单位
K / W
K / W
K / W
2000年10月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
静态特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安;
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
T
j
= 175C
T
j
= -55C
V
DS
= 100 V; V
GS
= 0 V;
V
GS
=
±10
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 5 V ;我
D
= 10 A
V
GS
= 10 V ;我
D
= 10 A
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 10 A
T
j
= 175C
T
j
= 175C
分钟。
100
89
1
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
BUK9575-100A
BUK9675-100A
典型值。
-
-
1.5
-
-
0.05
-
2
60
-
55
61
马克斯。
-
-
2.0
-
2.3
10
500
100
75
188
72
84
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
m
m
m
m
动态特性
T
mb
= 25 ° C除非另有说明
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
d
L
d
L
s
参数
输入电容
输出电容
反馈电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
条件
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
1278
129
88
13
120
58
57
4.5
3.5
2.5
7.5
马克斯。
1704
155
120
20
168
87
86
-
-
-
-
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
nH
V
DD
= 30 V ;
负载
=1.2;
V
GS
= 5 V ;
G
= 10
从漏极引线6毫米测
从包装到模具中心
从螺丝接触测量
标签，模具中心（ TO220AB ）
从排的上边缘测量
标签，模具中心（ SOT404 ）
从测得的源导致
源焊盘
反向二极管极限值和特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
DR
I
DRM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续反向漏
当前
脉冲反向漏电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
分钟。
-
I
F
= 10 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 23 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 23 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= -10 V; V
R
= 30 V
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
0.85
1.1
63
0.22
马克斯。
23
92
1.2
-
-
-
单位
A
A
V
V
ns
C
2000年10月
2
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
雪崩限值
符号
W
DSS1
参数
漏源不重复
非钳位电感关断
能源
条件
I
D
= 14.2 ; V
DD
≤
25 V;
V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
T
mb
= 25 C
分钟。
-
BUK9575-100A
BUK9675-100A
典型值。
-
马克斯。
100
单位
mJ
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
100
RDS （ ON）= VDS / ID
ID / A
TP =
1us
10us
10
100us
DC
1ms
10ms
0
20
40
60
80
100
TMB / C
120
140
160
180
1
1
10
100
1000
VDS / V
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
ID％
归一化电流降额
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
第Z / （K / W）
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
0.1
0.01
1E-07
0
20
40
60
80
100
TMB / C
120
140
160
180
1E-05
T / S
1E-03
1E-01
1E+01
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
5 V
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
1
对于最大允许重复雪崩电流见图18 。
2000年10月
3
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
BUK9575-100A
BUK9675-100A
60
ID / A
50
40
30
20
5.0
VGS / V =
10.0
RDS （ ON）欧姆
4.0
3.8
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
75
70
65
60
55
50
10
0
0
2
4
VDS / V
6
8
2.4
2.2
10
3
4
5
6
7
VGS / V
8
9
10
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
图8 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（V
GS
） ;条件：我
D
= 25 A;
RDS （ ON） /毫欧
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
10
15
20
4.0
25
4.2
ID / A
20
4.4
4.6
4.8
5.0
15
10
TJ / C = 175
25
5
0
25
ID / A
30
35
40
0.0
1.0
2.0
VGS / V
3.0
4.0
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（V
GS
） ;条件：我
D
= 25 A;
图9 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
75
40
GFS / S
RDS （ ON）欧姆
70
65
20
30
60
10
55
50
3
4
5
6
7
VGS / V
8
9
10
0
0
10
20
ID / A
30
40
50
60
图7 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（V
GS
） ;条件：我
D
= 25 A;
图10 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 25 V
2000年10月
4
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
BUK9575-100A
BUK9675-100A
3
a
RDS（ON）标准化为25degC
3.0
2.5
2.5
电容/ NF
2
2.0
1.5
西塞
1.0
0.5
0.0
0.01
科斯
CRSS
0.1
1
VDS / V
10
100
1.5
1
0.5
-100
-50
0
50
100
TMB /摄氏度
150
200
图11 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 25 A; V
GS
= 5 V
VGS （ TO ） / V
马克斯。
2
典型值。
1.5
分钟。
1
图14 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
2.5
5
VGS / V
4
VDS = 14V
VDS = 44V
3
2
1
0.5
0
0
-100
-50
0
50
TJ / C
100
150
200
0
5
10
QG / NC
15
20
25
图12 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
亚阈值传导
图15 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
） ;条件：我
D
= 25 A;参数V
DS
1E-01
40
IF / A
1E-02
2%
典型值
98%
30
TJ / C = 150
20
25
1E-03
1E-04
10
1E-05
0
1E-05
0.0
0.2
0.4
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.6
0.8
VSDS / V
1.0
1.2
1.4
图13 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
图16 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;条件： V
GS
= 0 V ;参数T
j
2000年10月
5
启1.200
查看更多BUK9575-100APDF信息
推荐型号
BTA20D
BT138F-500G
BLM03BB100SN1
BXA30-48T05-12
B59053A0180A010
BUK474-200A
BAT15-103
BVA-12AD1.0
B43508H2687M060
B43564E2478M000
BZM55B18
BU4235G-TR
BU931ZSM
BFR90A
B5019
BLM18RK121SN1
BPJJ02AU
BW1219A
BS616LV8017DI55
B-231XT
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BUK9575-100A
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳信泰电子器材有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ：519794981 复制

电话：0755-83242658
联系人：廖先生
地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
BUK9575-100A
NXP
24+
15000
TO-220
100%原装正品，只做原装正品
深圳市裕硕科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ：1909637520 复制
电话：0755-23613962/82706142
联系人：雷小姐
地址：深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
BUK9575-100A
NXP
2024+
9675
TO-220
优势现货，全新原装进口
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
BUK9575-100A
NXP
21+22+
12600
TO-220
原装正品
中科国际电子（深圳）有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1274131982 复制 点击这里给我发消息 QQ：3470449835 复制

电话：0755-23306107
联系人：业务员
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园4栋
BUK9575-100A
NXP
21+
12500
TO-220
原装正品现货
深圳和润天下电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1139848500 复制

电话：0755-83798683
联系人：许先生
地址：深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
BUK9575-100A
NXP/恩智浦
22+
93658
TO-220AB
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BUK9575-100A
NXP/恩智浦
2443+
23000
TO-220
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市易信优科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ：1281623813 复制

电话：0755-23914006/18318877587
联系人：陈佳隆
地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
BUK9575-100A
NXP/恩智浦
24+
21000
TO-220
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
深圳市芯满林科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息

电话：18926544209/18025435189
联系人：夏小姐/朱先生
地址：深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
BUK9575-100A
NXP/恩智浦
24+
32000
TO-220
百分百原装现货，价格优势，欢迎查询！
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人：李
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
BUK9575-100A
NXP/恩智浦
2418+
39482
TO-220
全新大量库存!样品可出!实单可谈!
深圳市杭湘棋科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1257051031 复制
电话：0755-83361530
联系人：朱小姐
地址：深圳褔田区华强北上步工业区201栋303A
BUK9575-100A
NXP
09+
7
TO-220
专业元器件20年 只做原装
查询更多BUK9575-100A供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！