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飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
BUK7515-100A
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
1
D=
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0
第Z / （K / W）
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
T
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
0.001
0.00001
0.001
T / S
0.1
10
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
ID％
归一化电流降额
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
300
ID / A
250
VGS \\ V =
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
20.0
10.0
9.0
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
200
150
100
50
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
0
0
2
4
VDS / V
6
8
10
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
5 V
1000
ID / A
RDS （ ON）= VDS / ID
100
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
RDS （ ON） /毫欧
20
TP =
1uS
100uS
1mS
19
18
17
VGS / V =
16
15
10
DC
10mS
100mS
14
13
12
5.5
6.0
6.5
7.0
8.0
10.0
0
20
40
ID / A
60
80
100
1
1
10
VDS / V
100
11
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
1998年12月
3
启1.100
