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飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
概述
N沟道增强模式
标准级场效应功率
使用晶体管在一个塑料外壳
“沟”技术，其特点
非常低的导通状态电阻。这是
旨在用于汽车和
一般
用途
开关
应用程序。
BUK7515-100A
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DS （ ON）
参数
漏源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 10 V
马克斯。
100
75
230
175
15
单位
V
A
W
C
m
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
门
漏
描述
引脚配置
TAB
符号
d
g
来源
漏
1 23
s
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
, T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
存储&工作温度
条件
-
R
GS
= 20 k
-
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
100
100
20
75
53
240
230
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
热阻结到
安装底座
热阻结到
环境
条件
-
在自由空气
典型值。
-
60
马克斯。
0.65
-
单位
K / W
K / W
1998年12月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
静态特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安;
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
T
j
= 175C
T
j
= -55C
V
DS
= 100 V; V
GS
= 0 V;
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
T
j
= 175C
T
j
= 175C
分钟。
100
89
2
1
-
-
-
-
-
-
BUK7515-100A
典型值。
-
-
3.0
-
-
0.05
-
2
12.0
-
马克斯。
-
-
4.0
-
4.4
10
500
100
15.0
40.5
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
m
m
动态特性
T
mb
= 25 ° C除非另有说明
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
d
L
s
参数
输入电容
输出电容
反馈电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
条件
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
4500
550
305
35
85
150
70
3.5
4.5
7.5
马克斯。
6000
660
400
55
125
225
100
-
-
-
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
V
DD
= 30 V ;
负载
=1.2;
V
GS
= 10 V ;
G
= 10
从螺丝接触测量
标签，模具中心
从漏极引线6毫米测
从包装到模具中心
从源测量导致6毫米
从包装到源焊盘
反向二极管极限值和特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
DR
I
DRM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续反向漏
当前
脉冲反向漏电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
分钟。
-
I
F
= 25 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 75 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 75 A; - 二
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= -10 V; V
R
= 30 V
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
0.85
1.1
80
0.35
马克斯。
75
240
1.2
-
-
-
单位
A
A
V
V
ns
C
雪崩限值
符号
W
DSS
参数
漏源不重复
非钳位电感关断
能源
条件
I
D
= 35 A; V
DD
≤
25 V;
V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
;
T
mb
= 25 C
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
120
单位
mJ
1998年12月
2
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
BUK7515-100A
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
1
D=
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0
第Z / （K / W）
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
T
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
0.001
0.00001
0.001
T / S
0.1
10
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
ID％
归一化电流降额
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
300
ID / A
250
VGS \\ V =
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
20.0
10.0
9.0
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
200
150
100
50
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
0
0
2
4
VDS / V
6
8
10
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
5 V
1000
ID / A
RDS （ ON）= VDS / ID
100
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
RDS （ ON） /毫欧
20
TP =
1uS
100uS
1mS
19
18
17
VGS / V =
16
15
10
DC
10mS
100mS
14
13
12
5.5
6.0
6.5
7.0
8.0
10.0
0
20
40
ID / A
60
80
100
1
1
10
VDS / V
100
11
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
1998年12月
3
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
BUK7515-100A
16
RDS （ ON） /毫欧
3
a
RDS（ON）标准化为25degC
15
2.5
14
2
13
1.5
12
1
11
0.5
-100
-50
0
50
100
TMB /摄氏度
150
200
10
5
10
VGS / V
15
20
图7 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（V
GS
） ;我的条件
D
= 25 A;
100
ID / A
图10 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 25 A; V
GS
= 5 V
VGS （ TO ） / V
马克斯。
BUK759-60
5
80
4
典型值。
60
3
分钟。
40
TJ / C =
20
175
25
2
1
0
0
1
2
3
VGS / V
4
5
6
7
0
-100
-50
0
50
TJ / C
100
150
200
图8 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
90
GFS / S
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
ID / A
60
80
100
图11 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
亚阈值传导
1E-01
1E-02
2%
典型值
98%
1E-03
1E-04
1E-05
1E-06
0
1
2
3
4
5
图9 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 25 V
图12 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
1998年12月
4
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
BUK7515-100A
11
10
9
8
120
110
100
90
80
70
60
西塞
WDSS ％
数千pF的
7
6
5
4
3
2
1
0
0.01
0.1
1
VDS / V
10
科斯
CRSS
100
50
40
30
20
10
0
20
40
60
80
100
120
TMB / C
140
160
180
图13 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
12
VGS / V
10
图16 。正常化雪崩能量等级。
W
DSS
（％）= F（T
mb
） ;条件：我
D
= 75 A
+
L
VDS =
14V
80V
VDD
8
VDS
VGS
0
RGS
T.U.T.
R 01
分流
6
-
-ID/100
4
2
0
0
20
40
60
QG / NC
80
100
120
图14 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
） ;条件：我
D
= 25 A;参数V
DS
100
ID / A
80
图17 。雪崩能量测试电路。
2
W
DSS
=
0.5
LI
D
BV
DSS
/ （ BV
DSS
V
DD
)
+
RD
VDS
TJ / C =
175
25
VDD
60
VGS
0
RG
T.U.T.
-
40
20
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6 0.7
VSDS / V
0.8
0.9
1
1.1
图15 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;条件： V
GS
= 0 V ;参数T
j
图18 。开关测试电路。
1998年12月
5
启1.100
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BLS6G3135S-120
BCR12PM-14LG
B43520A6827M000
BYW29E
BD1937G
BZY93C43R
B43540C5157M080
B41303J9108M002
B39881B8553P810
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    -
    -
    -
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