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飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
BUK7515-100A
16
RDS （ ON） /毫欧
3
a
RDS（ON）标准化为25degC
15
2.5
14
2
13
1.5
12
1
11
0.5
-100
-50
0
50
100
TMB /摄氏度
150
200
10
5
10
VGS / V
15
20
图7 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（V
GS
） ;我的条件
D
= 25 A;
100
ID / A
图10 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 25 A; V
GS
= 5 V
VGS （ TO ） / V
马克斯。
BUK759-60
5
80
4
典型值。
60
3
分钟。
40
TJ / C =
20
175
25
2
1
0
0
1
2
3
VGS / V
4
5
6
7
0
-100
-50
0
50
TJ / C
100
150
200
图8 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
90
GFS / S
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
ID / A
60
80
100
图11 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
亚阈值传导
1E-01
1E-02
2%
典型值
98%
1E-03
1E-04
1E-05
1E-06
0
1
2
3
4
5
图9 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 25 V
图12 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
1998年12月
4
启1.100
