TMS416809 ， TMS417809
2097152 -字×8位高速的DRAM
SMKS885A - 1995年12月 - 修订1996年3月
电气特性在推荐的电源电压范围和工作的自由空气
温度（除非另有说明）
TMS416809
参数
VOH
VOL
II
IO
ICC1§
高电平的输出
电压
低电平输出电压
输入电流（泄漏）
输出电流
（泄漏）
读或写周期
当前
测试条件
IOH = - 5毫安
IOL = 4.2毫安
VCC = 5.5 V ，
VI = 0 V至6.5 V ，
所有其他= 0 V至VCC
VCC = 5.5 V ，
CAS高
VCC = 5.5 V ，
VO = 0 V至VCC ，
最小周期
’416809 - 60
民
2.4
0.4
±
10
±
10
80
最大
’416809 - 70
民
2.4
0.4
±
10
±
10
70
最大
’416809 - 80
民
2.4
0.4
±
10
±
10
60
最大
单位
V
V
A
A
mA
ICC2
待机电流
VIH = 2.4 V （ TTL ） ，
经过1存储周期，
RAS和CAS高
VIH = VCC - 0.2 V （ CMOS ）
经过1存储周期，
RAS和CAS高
VCC = 5.5 V ，
最小周期，
RAS骑自行车，
CAS高（仅RAS ） ，
RAS低CAS低（ CBR ）后
VCC = 5.5 V ，
RAS低，
THPC = MIN ，
CAS骑自行车
2
2
2
mA
1
1
1
mA
ICC3§
平均刷新电流
（ RAS只刷新或
CBR ）
EDO的平均电流
80
70
60
mA
ICC4
90
80
70
mA
对于显示为MIN / MAX的条件下，使用时序要求指定相应的值。
测量与产出开放
§衡量一个最大的地址变化，而RAS的VIL =
测得的最大地址变化，而CAS = VIH的
8
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
