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TMS416809 ， TMS417809
2097152 -字×8位高速的DRAM
SMKS885A - 1995年12月 - 修订1996年3月
D
D
D
组织。 。 。 2 097 152
×
8
采用5 V单电源（ ± 10 ％容差）
性能范围：
ACCESS ACCESS ACCESS
时间
时间
时间
TRAC
大隘社
TAA
最大
最大
最大
60纳秒
15纳秒
30纳秒
70纳秒
18纳秒
35纳秒
80纳秒
20纳秒
40纳秒
EDO
周期
THPC
民
25纳秒
30纳秒
35纳秒
DZ包装
（顶视图）
D
D
D
D
D
D
’41x809-60
’41x809-70
’41x809-80
扩展数据输出（ EDO ）操作
CAS先于RAS （ CBR ）刷新
高阻态输出虚掩
高可靠性塑胶28引脚（ DZ后缀）
400密耳宽表面贴装小外形
J形引线（ SOJ ）封装
工作自由空气的温度范围内
0 ° C至70℃
制造使用增强性能
植入式CMOS （ EPIC
通过）技术
德州仪器（ TI
)
可选项
设备
动力
供应
5V
5V
刷新
周期
4 096的64毫秒
2 048 32毫秒
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
W
RAS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
SS
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
A11是NC（没有内部连接）的TMS417809 。
PIN NOMENCLATURE
A0 – A11
DQ0 - DQ7
CAS
NC
OE
RAS
VCC
VSS
W
地址输入
数据输入/出
列地址选通
无内部连接
OUTPUT ENABLE
行地址选通
5 V supply
地
写使能
TMS416809
TMS417809
描述
该TMS41x809系列是一套高速，
16 777 216位的动态随机存取memo-
里斯（ DRAM的）组织为2 097 152字
每个8位。它采用了TI的先进设备，最先进的
EPIC技术的高性能，高可靠性，
和低功耗。
这些器件具有最高RAS访问
60纳秒， 70纳秒，和80 ns的时间。所有的地址和
输入数据线锁存芯片，以简化系统
设计。数据输出是虚掩的，允许更大的
系统的灵活性。
该TMS41x809提供采用28引脚塑料
表面贴装封装SOJ （ DZ后缀） 。这
包装的特点是操作从0℃下
至70℃ 。
查看可用的选项表。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
EPIC和TI是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1996年，德州仪器
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
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