TMS416809 ， TMS417809
2097152 -字×8位高速的DRAM
SMKS885A - 1995年12月 - 修订1996年3月
手术
扩展数据输出
扩展数据输出（ EDO ）可高达40 MHz的60 - ns的设备数据输出速率。当保持相同的
行地址，同时随机选择地址栏，时间为行地址建立和保持，并
地址复用被淘汰。列的可访问由下式确定的最大数目
t
RASP
，最高RAS低的时间。
扩展数据输出不会在/数据数据输出引脚（ DQS）置于高阻抗状态与所述上升
中国科学院边缘。输出仍然有效的系统来锁存数据。后CAS号变高时，在DRAM解码
下一个地址。 OE和W能够控制输出阻抗。 OE和W的描述进一步解释EDO
运营效益。
地址： A0 - A11 （ TMS416809 ）和A0 - A10 （ TMS417809 ）
二十一个地址位的解码需要的2 097 152的存储单元的位置1 。对于TMS416809 ，
12行的地址位被设置在A0至A11和锁存到由该行地址选通脉冲（ RAS）的芯片。
九列地址位A8通过设立A0 。对于TMS417809 ， 11行地址位设置上
输入A0到A10和锁存到由RAS芯片。十列地址位是通过建立在A0
A9 。所有的地址必须是稳定的或RAS和CAS的下降沿之前。 RAS是一个类似芯片使能
因为它激活的读出放大器，以及行译码器。 CAS号被用作芯片选择，激活
输出缓冲器和锁存地址位进入列地址缓冲器。
输出使能（ OE ）
OE控制所述输出缓冲器的阻抗。而CAS和RAS低， W为高， OE可以带来
低或高和有效的数据和高阻抗之间的DQ过渡（参见图7）。有两种
方法放置的DQ进入高阻抗状态，并保持在CAS的时候那个状态。
第一种方法是过渡OE高之前CAS变高，并保持OE为高电平吨
CHO
（保持时间， OE
从CAS）过去CAS过渡。这将禁用DQS和他们保持禁用状态，无论OE ，直到CAS
再次下降。第二种方法是使参考低至CAS号转换为高。然后， OE脉冲可以为高一
最小的t
OEP
（预充电时间， OE）在CAS的时候随时随地，能进一步DQS的考虑
转换的OE CAS之前，再次跌倒（见图7） 。
写使能（W）的
读或写模式是通过W.选择的逻辑高电平W上选择读模式，并且一个逻辑低选择
写入模式。的数据输入被禁止时被选择的读出模式。当W去之前， CAS低
（早期写） ，数据输出保持在整个周期上的高阻抗状态时，允许写操作与
OE接地。当w变低的一个扩展数据输出读取周期中， DQS的被禁用，只要CAS高
（参见图8） 。
数据/数据输出（ DQ0 - DQ7 ）
数据写操作期间写入或读取 - 修改 - 写周期。取决于操作模式，该后来落下
CAS号或W选通数据到片上数据的边缘与安装闩锁和保持参照的存货边缘倍。
DQS的驱动有效数据符合所有访问时间后仍然有效，除非在W描述的情况下，
和OE描述。
RAS -ONLY刷新
TMS416809
刷新操作必须执行每64毫秒至少一次，以保持数据。这可以通过选通脉冲来实现
每个4 096行（ A0 - A11） 。一个正常的读或写周期刷新所有位被选中的每一行中。
甲RAS-只操作可以用来通过保持CAS号在高电平（无效）的水平，可节省作为输出功率
缓冲器保持在高阻抗状态。外部产生的地址必须被用于RAS-只
刷新。
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