三菱N沟道功率MOSFET
FY7BFH-02E
高速开关使用
栅源电压
VS.栅极电荷
（典型值）
源极 - 漏极二极管
正向特性
（典型值）
20
V
GS
= 0V
脉冲测试
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
5.0
T
C
H = 25℃
I
D
= 7A
源电流我
S
(A)
4.0
V
DS
= 7V
10V
15V
16
T
C
= 125°C
75°C
25°C
3.0
12
2.0
8
1.0
4
0
0
8
16
24
32
40
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
栅极电荷q
g
（ NC ）
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
漏源通态电阻R
DS （ ON）
(25°C)
漏源通态电阻R
DS （ ON）
（T ° C）
通态电阻VS.
通道温度
（典型值）
10
1
V
GS
= 4V
7 I
D
= 7A
5脉冲测试
3
2
阈值电压 -
通道温度
（典型值）
2.0
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
门极 - 源
电压V
GS （ TH）
(V)
1.6
1.2
10
0
7
5
3
2
0.8
0.4
10
–1
–50
0
50
100
150
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch （ ° C）
沟道温度Tch （ ° C）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
(25°C)
瞬态热阻抗Z
TH（ CH-C ）
（ ° C / W）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
（T ° C）
击穿电压VS.
通道温度
（典型值）
1.4
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
瞬态热阻抗
特征
10
2
7
5
3
2
7
5
0.5
0.2
D = 1.0
1.2
10
1
0.1
0.05
3 0.02
2
1.0
0.8
10
0
7
5
3
2
0.01
单脉冲
P
DM
tw
T
D
=
tw
T
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
10
–1 –4
10
2 3 5 7
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
脉冲宽度t
w
(s)
沟道温度Tch （ ° C）
2001年9月
