三菱N沟道功率MOSFET
FY7BFH-02E
高速开关使用
电气特性
（总胆固醇= 25 ℃）下
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
R
第（章-a）的
t
rr
参数
漏源击穿电压
栅源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
反向恢复时间
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
I
G
=
±100A,
V
DS
= 0V
V
GS
=
±10V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时， V
DS
= 10V
I
D
= 7A ，V
GS
= 4V
I
D
= 3.5A ，V
GS
= 2.5V
I
D
= 7A ，V
GS
= 4V
I
D
= 7A ，V
DS
= 10V
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
范围
分钟。
20
±10
—
—
0.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
0.9
23
30
0.161
16
1400
520
400
30
100
190
190
0.85
—
50
马克斯。
—
—
±10
0.1
1.3
30
40
0.210
—
—
—
—
—
—
—
—
1.1
78.1
—
单位
V
V
A
mA
V
m
m
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
ns
V
DD
= 10V ，我
D
= 3.5A ，V
GS
= 4V ，R
根
= R
GS
= 50
I
S
= 1.8A ，V
GS
= 0V
渠道环境
I
S
= 1.8A ， DIS / DT = -50A /微秒
性能曲线
功耗降额曲线
2.0
功耗P
D
(W)
漏电流I
D
(A)
最大安全工作区
7
5
3
2
TW =
10s
100s
1.6
10
1
7
5
3
2
1ms
1.2
0.8
10
0
7
5
3
2
10ms
0.4
100ms
T
C
= 25°C
单脉冲
DC
2 3
5 7
10
0
2 3
5 7
10
1
2 3
5
0
10
–1
0
50
100
150
200
7
案例温度T
C
(°C)
漏源电压V
DS
(V)
输出特性
（典型值）
20
V
GS
= 5V
4V
3V
2.5V
输出特性
（典型值）
10
V
GS
= 5V
4V
3V
2.5V
2V
T
C
= 25°C
脉冲测试
1.5V
2V
漏电流I
D
(A)
16
漏电流I
D
(A)
8
T
C
= 25°C
脉冲测试
12
1.5V
6
8
4
P
D
= 1.6W
4
P
D
= 1.6W
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
2001年9月
