【我们所有的客户关于文件中提到的名字，如三菱的变化电气和三菱XX ，瑞萨科技公司日立和三菱电机的半导体】,IC型号FY7BFH-02E,FY7BFH-02E PDF资料,FY7BFH-02E经销商,ic,电子元器件-51电子网

我们所有的客户

关于文件中提到的名字，如三菱的变化

电气和三菱XX ，瑞萨科技公司

日立和三菱电机的半导体业务转移到瑞萨

科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟

和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等

因此，虽然三菱电机，三菱电机株式会社，三菱

半导体及其他三菱品牌名称提到的文件中，这些名称

已在事实上，所有被更改为瑞萨科技公司感谢您的理解。

除了我们的企业商标，标识和公司声明，没有改变任何已经

到文档中的内容作出，而这些变化不构成任何改动的

文件本身的内容。

注：三菱电机将继续高频&光学器件的业务运营

与功率器件。

瑞萨科技公司

客户服务部

2003年4月1日

三菱N沟道功率MOSFET

FY7BFH-02E

高速开关使用

FY7BFH-02E

外形绘图

尺寸（mm）

6.4

4.4

3.0

1.1

0.275

0.65

G

2.5V驱动

G

V

DSS ................................................. .................................

20V

G

r

DS （ ON）（ MAX ） ........................................... ...................

30m

G

I

D ...........................................................................................

7A

来源

门

漏

TSSOP8

应用

锂 - 离子电池等。

最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

DA

I

S

I

SM

P

D

T

ch

T

英镑

—

（ TC = 25 ° C）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

雪崩电流（脉冲）

源出电流

源电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

重量

V

GS

= 0V

V

DS

= 0V

条件

评级

20

±10

7

49

7

1.8

7.2

1.6

–55 ~ +150

0.035

单位

V

A

W

°C

g

2001年9月

L = 10μH

典型的价值

三菱N沟道功率MOSFET

FY7BFH-02E

高速开关使用

电气特性

（总胆固醇= 25 ℃）下

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

y

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

R

第（章-a）的

t

rr

参数

漏源击穿电压

栅源击穿电压

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

门源阈值电压

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

热阻

反向恢复时间

测试条件

I

D

= 1mA时， V

GS

= 0V

I

G

=

±100A,

V

DS

= 0V

V

GS

=

±10V,

V

DS

= 0V

V

DS

= 20V, V

GS

= 0V

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 7A ，V

GS

= 4V

I

D

= 3.5A ，V

GS

= 2.5V

I

D

= 7A ，V

GS

= 4V

I

D

= 7A ，V

DS

= 10V

V

DS

= 10V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

范围

分钟。

20

±10

—

0.5

—

典型值。

—

0.9

23

30

0.161

16

1400

520

400

30

100

190

0.85

—

50

马克斯。

—

±10

0.1

1.3

30

40

0.210

—

1.1

78.1

—

单位

V

A

mA

V

m

V

S

pF

ns

V

° C / W

ns

V

DD

= 10V ，我

D

= 3.5A ，V

GS

= 4V ，R

根

= R

GS

= 50

I

S

= 1.8A ，V

GS

= 0V

渠道环境

I

S

= 1.8A ， DIS / DT = -50A /微秒

性能曲线

功耗降额曲线

2.0

功耗P

D

(W)

漏电流I

D

(A)

最大安全工作区

7

5

3

2

TW =

10s

100s

1.6

10

1

7

5

3

2

1ms

1.2

0.8

10

0

7

5

3

2

10ms

0.4

100ms

T

C

= 25°C

单脉冲

DC

2 3

5 7

10

0

2 3

5 7

10

1

2 3

5

0

10

–1

0

50

100

150

200

7

案例温度T

C

(°C)

漏源电压V

DS

(V)

输出特性

（典型值）

20

V

GS

= 5V

4V

3V

2.5V

输出特性

（典型值）

10

V

GS

= 5V

4V

3V

2.5V

2V

T

C

= 25°C

脉冲测试

1.5V

2V

漏电流I

D

(A)

16

漏电流I

D

(A)

8

T

C

= 25°C

脉冲测试

12

1.5V

6

8

4

P

D

= 1.6W

4

P

D

= 1.6W

2

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

2001年9月

三菱N沟道功率MOSFET

FY7BFH-02E

高速开关使用

导通电压VS.

栅源电压

（典型值）

1.0

漏极 - 源极导通状态

电压V

DS （ ON）

(V)

T

C

= 25°C

脉冲测试

通态电阻VS.

漏电流

（典型值）

100

漏极 - 源极导通状态

电阻R

DS （ ON）

(m)

T

C

= 25°C

脉冲测试

0.8

80

0.6

60

0.4

I

D

= 14A

40

V

GS

= 2.5V

0.2

7A

3A

20

4V

0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

0

10

–1

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

漏电流I

D

(A)

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

传输特性

（典型值）

20

10

2

7

5

3

2

正向转移导纳

与漏电流

（典型值）

漏电流I

D

(A)

正向传递

导纳

y

fs

(S)

16

T

C

= 25°C

75°C

125°C

10

1

7

5

3

2

12

8

10

0

7

5

3

2

V

DS

= 10V

脉冲测试

5 7

10

0

2

3

5 7

10

1

2

3

5

4

0

T

C

= 25°C

V

DS

= 10V

脉冲测试

0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

10

–1

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

电容与

漏源电压

（典型值）

10

4

7

5

3

2

5

3

西塞

科斯

CRSS

开关特性

（典型值）

t

D（关闭）

t

f

t

r

10

3

7

5

3

2

切换时间（纳秒）

2

电容

西塞，科斯，的Crss （PF ）

10

2

7

5

3

2

t

D（上）

10

2

7

5

3

2

T

C

H = 25℃

F = 1MH

Z

V

GS

= 0V

10

1

–

1

10

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

漏源电压V

DS

(V)

10

1

7

5

T

C

H = 25℃

V

DD

= 10V

V

GS

= 4V

R

根

= R

GS

= 50

2

3

5 7

10

0

2

3

5 7

10

1

10

–1

漏电流I

D

(A)

2001年9月

三菱N沟道功率MOSFET

FY7BFH-02E

高速开关使用

栅源电压

VS.栅极电荷

（典型值）

源极 - 漏极二极管

正向特性

（典型值）

20

V

GS

= 0V

脉冲测试

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

5.0

T

C

H = 25℃

I

D

= 7A

源电流我

S

(A)

4.0

V

DS

= 7V

10V

15V

16

T

C

= 125°C

75°C

25°C

3.0

12

2.0

8

1.0

4

0

8

16

24

32

40

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

栅极电荷q

g

（ NC ）

源极 - 漏极电压V

SD

(V)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

(25°C)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

（T ° C）

通态电阻VS.

通道温度

（典型值）

10

1

V

GS

= 4V

7 I

D

= 7A

5脉冲测试

3

2

阈值电压 -

通道温度

（典型值）

2.0

V

DS

= 10V

I

D

= 1毫安

门极 - 源

电压V

GS （ TH）

(V)

1.6

1.2

10

0

7

5

3

2

0.8

0.4

10

–1

–50

0

50

100

150

0

–50

0

50

100

150

沟道温度Tch （ ° C）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

(25°C)

瞬态热阻抗Z

TH（ CH -C）

（ ° C / W）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

（T ° C）

击穿电压VS.

通道温度

（典型值）

1.4

V

GS

= 0V

I

D

= 1毫安

瞬态热阻抗

特征

10

2

7

5

3

2

7

5

0.5

0.2

D = 1.0

1.2

10

1

0.1

0.05

3 0.02

2

1.0

0.8

10

0

7

5

3

2

0.01

单脉冲

P

DM

tw

T

D

=

tw

T

0.6

0.4

–50

0

50

100

150

10

–1 –4

10

2 3 5 7

10

–3

2 3 5 7

10

–2

2 3 5 7

10

–1

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

脉冲宽度t

w

(s)

沟道温度Tch （ ° C）

2001年9月

三菱N沟道功率MOSFET

FY7BFH-02E

高速开关使用

FY7BFH-02E

外形绘图

尺寸（mm）

6.4

4.4

3.0

1.1

0.275

0.65

G

2.5V驱动

G

V

DSS ................................................. .................................

20V

G

r

DS （ ON）（ MAX ） ........................................... ...................

30m

G

I

D ...........................................................................................

7A

来源

门

漏

TSSOP8

应用

锂 - 离子电池等。

最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

DA

I

S

I

SM

P

D

T

ch

T

英镑

—

（ TC = 25 ° C）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

雪崩电流（脉冲）

源出电流

源电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

重量

V

GS

= 0V

V

DS

= 0V

条件

评级

20

±10

7

49

7

1.8

7.2

1.6

–55 ~ +150

0.035

单位

V

A

W

°C

g

2001年9月

L = 10μH

典型的价值

三菱N沟道功率MOSFET

FY7BFH-02E

高速开关使用

电气特性

（总胆固醇= 25 ℃）下

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

y

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

R

第（章-a）的

t

rr

参数

漏源击穿电压

栅源击穿电压

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

门源阈值电压

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

热阻

反向恢复时间

测试条件

I

D

= 1mA时， V

GS

= 0V

I

G

=

±100A,

V

DS

= 0V

V

GS

=

±10V,

V

DS

= 0V

V

DS

= 20V, V

GS

= 0V

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 7A ，V

GS

= 4V

I

D

= 3.5A ，V

GS

= 2.5V

I

D

= 7A ，V

GS

= 4V

I

D

= 7A ，V

DS

= 10V

V

DS

= 10V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

范围

分钟。

20

±10

—

0.5

—

典型值。

—

0.9

23

30

0.161

16

1400

520

400

30

100

190

0.85

—

50

马克斯。

—

±10

0.1

1.3

30

40

0.210

—

1.1

78.1

—

单位

V

A

mA

V

m

V

S

pF

ns

V

° C / W

ns

V

DD

= 10V ，我

D

= 3.5A ，V

GS

= 4V ，R

根

= R

GS

= 50

I

S

= 1.8A ，V

GS

= 0V

渠道环境

I

S

= 1.8A ， DIS / DT = -50A /微秒

性能曲线

功耗降额曲线

2.0

功耗P

D

(W)

漏电流I

D

(A)

最大安全工作区

7

5

3

2

TW =

10s

100s

1.6

10

1

7

5

3

2

1ms

1.2

0.8

10

0

7

5

3

2

10ms

0.4

100ms

T

C

= 25°C

单脉冲

DC

2 3

5 7

10

0

2 3

5 7

10

1

2 3

5

0

10

–1

0

50

100

150

200

7

案例温度T

C

(°C)

漏源电压V

DS

(V)

输出特性

（典型值）

20

V

GS

= 5V

4V

3V

2.5V

输出特性

（典型值）

10

V

GS

= 5V

4V

3V

2.5V

2V

T

C

= 25°C

脉冲测试

1.5V

2V

漏电流I

D

(A)

16

漏电流I

D

(A)

8

T

C

= 25°C

脉冲测试

12

1.5V

6

8

4

P

D

= 1.6W

4

P

D

= 1.6W

2

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

2001年9月

三菱N沟道功率MOSFET

FY7BFH-02E

高速开关使用

导通电压VS.

栅源电压

（典型值）

1.0

漏极 - 源极导通状态

电压V

DS （ ON）

(V)

T

C

= 25°C

脉冲测试

通态电阻VS.

漏电流

（典型值）

100

漏极 - 源极导通状态

电阻R

DS （ ON）

(m)

T

C

= 25°C

脉冲测试

0.8

80

0.6

60

0.4

I

D

= 14A

40

V

GS

= 2.5V

0.2

7A

3A

20

4V

0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

0

10

–1

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

漏电流I

D

(A)

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

传输特性

（典型值）

20

10

2

7

5

3

2

正向转移导纳

与漏电流

（典型值）

漏电流I

D

(A)

正向传递

导纳

y

fs

(S)

16

T

C

= 25°C

75°C

125°C

10

1

7

5

3

2

12

8

10

0

7

5

3

2

V

DS

= 10V

脉冲测试

5 7

10

0

2

3

5 7

10

1

2

3

5

4

0

T

C

= 25°C

V

DS

= 10V

脉冲测试

0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

10

–1

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

电容与

漏源电压

（典型值）

10

4

7

5

3

2

5

3

西塞

科斯

CRSS

开关特性

（典型值）

t

D（关闭）

t

f

t

r

10

3

7

5

3

2

切换时间（纳秒）

2

电容

西塞，科斯，的Crss （PF ）

10

2

7

5

3

2

t

D（上）

10

2

7

5

3

2

T

C

H = 25℃

F = 1MH

Z

V

GS

= 0V

10

1

–

1

10

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

漏源电压V

DS

(V)

10

1

7

5

T

C

H = 25℃

V

DD

= 10V

V

GS

= 4V

R

根

= R

GS

= 50

2

3

5 7

10

0

2

3

5 7

10

1

10

–1

漏电流I

D

(A)

2001年9月

三菱N沟道功率MOSFET

FY7BFH-02E

高速开关使用

栅源电压

VS.栅极电荷

（典型值）

源极 - 漏极二极管

正向特性

（典型值）

20

V

GS

= 0V

脉冲测试

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

5.0

T

C

H = 25℃

I

D

= 7A

源电流我

S

(A)

4.0

V

DS

= 7V

10V

15V

16

T

C

= 125°C

75°C

25°C

3.0

12

2.0

8

1.0

4

0

8

16

24

32

40

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

栅极电荷q

g

（ NC ）

源极 - 漏极电压V

SD

(V)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

(25°C)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

（T ° C）

通态电阻VS.

通道温度

（典型值）

10

1

V

GS

= 4V

7 I

D

= 7A

5脉冲测试

3

2

阈值电压 -

通道温度

（典型值）

2.0

V

DS

= 10V

I

D

= 1毫安

门极 - 源

电压V

GS （ TH）

(V)

1.6

1.2

10

0

7

5

3

2

0.8

0.4

10

–1

–50

0

50

100

150

0

–50

0

50

100

150

沟道温度Tch （ ° C）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

(25°C)

瞬态热阻抗Z

TH（ CH-C ）

（ ° C / W）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

（T ° C）

击穿电压VS.

通道温度

（典型值）

1.4

V

GS

= 0V

I

D

= 1毫安

瞬态热阻抗

特征

10

2

7

5

3

2

7

5

0.5

0.2

D = 1.0

1.2

10

1

0.1

0.05

3 0.02

2

1.0

0.8

10

0

7

5

3

2

0.01

单脉冲

P

DM

tw

T

D

=

tw

T

0.6

0.4

–50

0

50

100

150

10

–1 –4

10

2 3 5 7

10

–3

2 3 5 7

10

–2

2 3 5 7

10

–1

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

脉冲宽度t

w

(s)

沟道温度Tch （ ° C）

2001年9月