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HYS64D64020[H/G]BDL–[5/6]–C
小外形封装DDR SDRAM模块
电气特性
表11
I
DD
规范HYS64D64020 [ G / H ] BDL - 5 -C的
HYS64D64020GBDL–5–C
HYS64D64020HBDL–5–C
512MB
×64
2点
–5
单位
记
1)2)
产品类型
组织
符号
典型值。
940
1100
480
320
210
610
690
1140
1140
360
16
2020
马克斯。
1150
1310
580
450
290
720
860
1390
1470
450
17.6
2430
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
3)
3)4)
5)
5)
5)
5)
5)
3)4)
3)
3)
5)
3)4)
I
DD0
I
DD1
I
DD2P
I
DD2F
I
DD2Q
I
DD3P
I
DD3N
I
DD4R
I
DD4W
I
DD5
I
DD6
I
DD7
1 ）模块
I
DD
值计算部件的基础上
I
DD
并且可以根据DQ被测量不同
装载能力。
2 ）为最大值测试条件：
V
DD
= 2.7 V,
T
A
= 10 °C
3）模块
I
DDX
值从计算
I
DDX
该组件数据表的值如下所示：
m
×
I
DDX
[成分] +
n
×
I
DD3N
与[成分]
m
和
n
秩1和2的组件数量;
n=0
1级
模块
4 ） DQ I / O（
I
DDQ
）电流不包括在计算中（见注1）
5）模块
I
DDX
值从corrponent计算
I
DDX
数据表中数值为： （M +
n)
×
I
DDX
[成分]
数据表
17
修订版1.1 ， 2004-05
