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HYS64D64020[H/G]BDL–[5/6]–C
小外形封装DDR SDRAM模块
电气特性
3
3.1
表8
参数
电气特性
工作条件
绝对最大额定值
符号
分钟。
值
典型值。
–
–
–
–
–
–
1
50
马克斯。
单位注/
条件
V
V
V
V
°C
°C
W
mA
–
–
–
–
–
–
–
–
在I / O引脚相电压
V
SS
在相对于输入电压
V
SS
电压
V
DD
相对于供应
V
SS
电压
V
DDQ
相对于供应
V
SS
工作温度（环境）
存储温度（塑料）
功耗（每SDRAM组件）
短路输出电流
V
IN
,
V
OUT
–0.5
V
IN
V
DD
V
DDQ
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
–1
–1
–1
0
-55
–
–
V
DDQ
+
0.5
+3.6
+3.6
+3.6
+70
+150
–
–
注意：该设备永久损坏，如果“绝对最大额定值”超出可能发生。这
是一个压力只有评级，以及功能操作应仅限于推荐工作
条件。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可能
影响设备的可靠性，只有超过一个值可能会造成不可逆的损害
集成电路。
表9
参数
器件的电源电压
器件的电源电压
输出电源电压
输出电源电压
电气特性及直流工作条件
符号
分钟。
值
典型值。
2.5
2.6
2.5
2.6
2.5
马克斯。
2.7
2.7
2.7
2.7
3.6
0
0.5
×
0.51
×
V
V
V
V
V
V
V
2.3
2.5
2.3
2.5
2.3
0
0.49
×
单位注/测试条件
1)
V
DD
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
EEPROM的电源电压
V
DDSPD
电源电压， I / O电源
V
SS
,
电压
V
SSQ
输入参考电压
V
REF
I / O终端电压
（系统）
f
CK
≤
166兆赫
f
CK
> 166兆赫
2)
f
CK
≤
166兆赫
f
CK
> 166兆赫
2)
—
—
3)
V
TT
V
DDQ
V
DDQ
V
REF
– 0.04
V
REF
+ 0.15
–0.3
–0.3
0.36
0.71
V
DDQ
V
REF
+ 0.04 V
V
DDQ
+ 0.3 V
V
REF
– 0.15 V
V
DDQ
+ 0.3 V
V
DDQ
+ 0.6 V
1.4
—
4)
输入高（ Logic1 ）电压
V
IH（ DC）的
输入低电平（ Logic0 ）电压
V
IL （ DC ）
输入电压电平，
CK和CK输入
输入差分电压，
CK和CK输入
VI-匹配拉
电流下拉
当前
7)
7)
7)
V
IN（直流）
V
的ID （DC）的
VI
比
7)5)
6)
数据表
14
修订版1.1 ， 2004-05
