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HYS[64/72]D[16x01/32x00/64x20][G/E]U-[5/6/7/8]-B
无缓冲DDR SDRAM模块
SPD内容
表17
工作，待机和刷新电流（ PC1600 ， -8 ）
（续）
HYS64D16301GU–8–B
HYS64D32300GU–8–B
HYS72D32300GU–8–B
HYS64D64320GU–8–B
编号&组织
HYS72D64320GU–8–B
512MB
×
72
2点
（十六进制）
04
0C
01
02
20
C0
A0
80
00
00
50
3C
50
32
40
B0
B0
V1.1, 2003-07
128MB
×
64
1级
（十六进制）
04
256MB
×
64
1级
（十六进制）
04
0C
01
02
20
C0
A0
80
256MB
×
72
1级
（十六进制）
04
0C
01
02
20
C0
A0
80
512MB
×
64
2点
（十六进制）
04
0C
01
02
20
C0
A0
80
字节
17
18
19
20
21
22
23
24
描述
SDRAM数
银行
支持CAS
潜伏期
CS潜伏期
WE潜伏期
SDRAM DIMM
模块属性
SDRAM设备
属性：一般
4
CAS延时= 2 & 2.5 0C
CS延迟= 0
写延时= 1
无缓冲
01
02
20
C0
A0
80
分钟。时钟周期为10ns
在CAS延时= 2
访问时间从
时钟
CL = 2
0.8纳秒
25
26
不支持的最小时钟周期
时间CL = 1.5
访问时间从
在时钟
CL = 1.5
最小行
预充电时间
不支持
00
00
00
00
00
00
00
00
27
28
29
30
31
32
33
20纳秒
50
3C
50
32
20
B0
B0
50
3C
50
32
40
B0
B0
50
3C
50
32
40
B0
B0
50
3C
50
32
40
B0
B0
最小行法。小到15 ns
排法。延迟
t
RRD
最低RAS到CAS 20纳秒
延迟
t
RCD
最低RAS脉冲
宽度
t
RAS
50纳秒
模块库密度256兆字节
（每行）
地址。和命令
建立时间
1.1纳秒
地址。和命令1.1纳秒
保持时间
数据表
30
