位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第694页 > HYS64D64020GU-7-B > HYS64D64020GU-7-B PDF资料 > HYS64D64020GU-7-B PDF资料1第33页
HYS[64/72]D[16x01/32x00/64x20][G/E]U-[5/6/7/8]-B
无缓冲DDR SDRAM模块
SPD内容
表18
SPD代码为PC2100模块“ -7”
（续）
HYS64D16301GU–7–B
HYS64D32300GU–7–B
HYS64D32300EU–7–B
HYS72D32300GU–7–B
HYS64D64320GU–7–B
编号&组织
HYS72D64320GU–7–B
512MB
×
72
2点
（十六进制）
0C
01
02
20
C0
75
75
00
00
50
3C
50
2D
40
90
90
50
50
V1.1, 2003-07
128MB
×
64
1级
（十六进制）
256MB
×
64
1级
（十六进制）
0C
01
02
20
C0
75
75
256MB
×
72
1级
（十六进制）
0C
01
02
20
C0
75
75
512MB
×
64
2点
（十六进制）
0C
01
02
20
C0
75
75
字节
18
19
20
21
22
23
24
描述
支持CAS
潜伏期
CS潜伏期
WE潜伏期
SDRAM DIMM
模块属性
SDRAM设备
属性：一般
CAS延时= 2 & 2.5 0C
CS延迟= 0
写延时= 1
无缓冲
01
02
20
C0
75
75
分钟。时钟周期时间7.5纳秒
在CAS延时= 2
访问时间从
时钟
CL = 2
0.75纳秒
25
26
不支持的最小时钟周期
时间CL = 1.5
访问时间从
在时钟
CL = 1.5
最小行
预充电时间
最小行法。对
排法。延迟
t
RRD
不支持
00
00
00
00
00
00
00
00
27
28
29
30
31
32
33
34
35
20纳秒
15纳秒
50
3C
50
2D
50
3C
50
2D
40
90
90
50
50
50
3C
50
2D
40
90
90
50
50
50
3C
50
2D
40
90
90
50
50
最低RAS到CAS 20纳秒
延迟
t
RCD
最低RAS脉冲
宽度
t
RAS
模块库密度
（每行）
地址。和命令
建立时间
45纳秒
128兆字节/ 256兆字节20
0.9纳秒
90
90
50
50
地址。和命令0.9纳秒
保持时间
数据输入建立时间0.5纳秒
数据输入保持时间
0.5纳秒
数据表
33
