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HYS[64/72]D[16x01/32x00/64x20][G/E]U-[5/6/7/8]-B
无缓冲DDR SDRAM模块
电气特性
表9
参数
DC操作条件（ SSTL_2输入）
符号
分钟。
值
马克斯。
V
DDQ
+ 0.3
V
REF
– 0.15
5
5
V
V
A
A
2)
单位
注/测试条件
1)
DC输入逻辑高
DC输入逻辑低
输入漏电流
输出漏电流
V
IH（ DC）的
V
IL （ DC ）
I
IL
I
OL
V
REF
+ 0.15
– 0.30
–5
–5
–
3)
3)
1)
V
DDQ
= 2.5 V,
T
A
= 70
°
C，电压参考
V
SS
2 ）之间的关系
V
DDQ
所述驱动装置与所述的
V
REF
该接收装置的是什么决定噪声
利润率。然而，在该情况下
V
IH （ MAX 。 ）
（输入过驱动）时，它是
V
DDQ
所引用的接收装置。在
当一个设备被实现为使得其支持SSTL_2输入，但没有SSTL_2输出（例如翻译） ，
因此，没有
V
DDQ
电源电压的连接，输入必须忍受的输入过驱动到3.0V （高角落
V
DDQ
+ 300毫伏） 。
3）在0 V测试输入引脚
≤
V
IN
≤
V
DDQ
+ 0.3 V值是每DDR SDRAM组件显示
数据表
18
V1.1, 2003-07
