位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第694页 > HYS64D64020GU-7-B > HYS64D64020GU-7-B PDF资料 > HYS64D64020GU-7-B PDF资料1第17页

HYS[64/72]D[16x01/32x00/64x20][G/E]U-[5/6/7/8]-B
无缓冲DDR SDRAM模块
电气特性
3
3.1
表7
参数
电气特性
工作条件
绝对最大额定值
符号
分钟。
值
典型值。
–
–
–
–
–
–
1
50
马克斯。
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
0
-55
–
–
单位注/
条件
V
V
V
V
°
C
°
C
W
mA
–
–
–
–
–
–
–
–
在I / O引脚相电压
V
SS
在相对于输入电压
V
SS
电压
V
DD
相对于供应
V
SS
电压
V
DDQ
相对于供应
V
SS
工作温度(环境)
储存温度
功耗(每SDRAM组件)
短路输出电流
V
IN
,
V
OUT
V
IN
V
DD
V
DDQ
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
V
DDQ
+
0.5
+3.6
+3.6
+3.6
+70
+150
–
–
注意:如果“绝对最大额定值”,超出可能会造成永久性损坏设备。实用
操作应仅限于推荐的操作条件。超过仅一
这些值的时间过长会影响器件的可靠性,并可能导致不可逆的
损坏到集成电路。
表8
参数
器件的电源电压
器件的电源电压
输出电源电压
输出电源电压
输入参考电压
输入参考电压
终止电压
EEPROM的电源电压
电源电压电平
符号限值
分钟。
喃。
2.5
2.6
2.5
2.6
V
DDQ
单位注/测试条件
马克斯。
2.7
2.7
2.7
2.7
/2
V
V
V
V
V
V
V
V
V
DD
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
V
REF
V
REF
V
TT
2.3
2.5
2.3
2.5
0.49
×
V
DDQ
0.5
×
V
DDQ
0.51
×
V
DDQ
V
DDQ
/ 2 –50
mV
V
DDQ
/ 2 + 50
mV
f
CK
≤
166兆赫
f
CK
> 166兆赫
1)
f
CK
≤
166兆赫
2)
f
CK
> 166兆赫
1)2)
f
CK
≤
166兆赫
3)
f
CK
> 166兆赫
1)3)
4)
V
REF
– 0.04
2.3
V
REF
2.5
V
REF
+ 0.04
3.6
V
DDSPD
—
1 ) DDR400的条款适用于所有的时钟频率超过166 MHz的
2 )在任何条件下,
V
DDQ
必须小于或等于
V
DD
.
3 )峰 - 峰交流噪声的
V
REF
可能不超过±2%
V
REF ( DC )
.
V
REF
也有望在跟踪噪声的变化
V
DDQ
.
4)
V
TT
的发射设备必须跟踪
V
REF
该接收装置的。
数据表
17
V1.1, 2003-07