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AT52BR6408A(T)
“0” ，而擦除或编程操作仍在进行中。请参阅页的表3
11更多的细节。
V
PP
状态位：
64兆位器件提供在I / O 3的一个状态位，它提供Infor公司
息对于VPP引脚的电压电平。在编程或擦除操作，
如果在VPP引脚的电压不足够高，以执行所需操作suc-
功地中，I / O 3的状态位为“1”。一旦V
PP
状态位已被设置为“1” ，
该系统必须写产品ID退出命令返回到读模式。对
另一方面，如果电压电平足够高以执行编程或擦除操作
成功，在V
PP
状态位将输出一个“ 0 ” 。请参阅表3第11页更多
详细信息。
擦除暂停/删除简历：
擦除挂起命令允许系
统中断一个扇区擦除操作，然后程序或从不同的读数据
扇区在同一平面内。由于该装置具有多个平面架构中，有
无需使用擦除挂起功能，而擦除扇区，当你想
从在另一平面内的扇区读出的数据。擦除挂起命令成功执行后，
该装置需要15微秒的最大时间暂停的擦除操作。后
擦除操作已被中止时，包含悬浮扇区的平面
进入擦除暂停阅读的模式。然后，系统可以读取的数据或程序数据
到该设备内的任何其他扇区。擦除可持过程中不需要的地址
挂起命令。在一个扇区擦除暂停，另一扇区不能被擦除。对
恢复扇区擦除操作时，系统必须写入擦除恢复命令。
在擦除恢复命令是一总线循环命令，它确实需要的
平面地址。该器件还支持完整的芯片在擦除暂停
抹去。而芯片擦除被暂停时，用户可以从内部的任何扇区中读出
受保护存储器。对于芯片擦除命令序列暂停和节
器擦除挂起是相同的。
程序暂停/ PROGRAM简历：
该计划暂停命令允许
该系统中断编程操作，然后从不同的读数据
记忆中的单词。当程序暂停指令下达后，该装置
最多需要10微秒的暂停编程操作。在编程后
明操作已经暂停，则系统可以从任何其它的字读
内的设备。在节目期间不需要进行地址挂起操作。对
重新编程操作时，系统必须写程序的COM简历
命令。该程序挂起和恢复是一个总线周期的命令。命令
序来执行擦除挂起和程序暂停是相同的，并且该命令
序列擦除简历和简历的程序是相同的。
128位保护寄存器：
64 - Mbit的器件包含一个128位的寄存器，
可用于安全目的，在系统设计中。保护寄存器划分
成两个64位的块。这两个块被指定为块A和块B的数据
在块A是不可更改的，并在编程具有唯一编号的工厂。
在块B中的数据是由用户编程，并且可以锁定，使得在数据
该块不能被重新编程。编程块B在保护寄存器，
四总线周期程序保护寄存器命令必须使用如图所示的
在十六进制table命令定义12页的锁定B座四总线周期
锁保护寄存器命令必须使用如图中的命令定义
六角桌。数据位D1必须是在第四总线周期为零。在所有其它的数据位
第四总线周期都不用管它。要确定块B是否被锁定，该
产品ID进入命令给出接着从地址80H的读操作。如果
数据位D1是零，块B被锁定。如果数据位D1是一款B座可重现
编程。请参阅保护寄存器地址表第13页上的
地址位置保护寄存器。读保护寄存器，该产品
ID进入命令给定的后跟正常读操作从内的地址
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