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堆叠模块功能
64兆位闪存+ 8兆位的SRAM
电源2.7V至3.1V
数据I / O X16
66球CBGA封装
64兆位闪存产品特点
64兆位（ 4M ×16 ）快闪记忆体
2.7V - 3.1V读/写
高性能
- 异步访问时间 - 70 ， 85纳秒
扇区擦除架构
- 八4K字部门有独立的写锁定
- 32K字的主要行业有独立的写锁定
典型扇区擦除时间： 32K字的部门 - 500毫秒; 4K字部门 - 100毫秒
64M ，四平面组织，在没有任何3个平面准许并发读
被编程/擦除
- 内存平面答：内存16M其中包括八个4K字部门
- 内存面B：内存16M的32K字组成部门
- 内存平面C：内存16M的32K字组成部门
- 内存平面D：内存16M ，包括32K字部门
暂停/恢复功能的擦除和编程
- 支持读取和编程的任何扇区的数据被擦除暂停
不同部门
- 支持读取任何一个字，暂停的任何其他字编程
低功耗工作
- 30毫安活动
- 10 μA待机
1.8V的I / O选项可降低整体系统功耗
数据轮询和切换位的程序检测结束
VPP引脚为写保护和加速编程/擦除操作
RESET输入的设备初始化
顶部或底部启动块配置可用
128位注册保护
通用闪存接口（ CFI ）
64兆位闪存，
8兆位的SRAM
（ X16 I / O）
AT52BR6408A
AT52BR6408AT
初步
8兆位的SRAM产品特点
8兆位（ 512K ×16 ）
2.7V至3.1V V
CC
手术
70 ns访问时间
低功耗
- 2 mA典型（活动）
- 1 μA典型值（待机）
工业温度范围
堆叠模块描述
该AT52BR6408A （T ）由一个64兆位闪存堆叠有一个8兆位的SRAM中一个
单CBGA封装。
堆叠模块存储器内容
设备
AT52BR6408A(T)
内存组合
64M闪存+ 8M SRAM
Flash读访问
异步页模式
修订版3425A - STKD - 1/04
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