【堆叠模块功能64兆位闪存+ 8兆位的SRAM电源2.7V至3.1V数据I / O X1666球CBG】,IC型号AT52BR6408AT,AT52BR6408AT PDF资料,AT52BR6408AT经销商,ic,电子元器件-51电子网

堆叠模块功能

64兆位闪存+ 8兆位的SRAM

电源2.7V至3.1V

数据I / O X16

66球CBGA封装

64兆位闪存产品特点

64兆位（ 4M ×16 ）快闪记忆体

2.7V - 3.1V读/写

高性能

- 异步访问时间 - 70 ， 85纳秒

扇区擦除架构

- 八4K字部门有独立的写锁定

- 32K字的主要行业有独立的写锁定

典型扇区擦除时间： 32K字的部门 - 500毫秒; 4K字部门 - 100毫秒

64M ，四平面组织，在没有任何3个平面准许并发读

被编程/擦除

- 内存平面答：内存16M其中包括八个4K字部门

- 内存面B：内存16M的32K字组成部门

- 内存平面C：内存16M的32K字组成部门

- 内存平面D：内存16M ，包括32K字部门

暂停/恢复功能的擦除和编程

- 支持读取和编程的任何扇区的数据被擦除暂停

不同部门

- 支持读取任何一个字，暂停的任何其他字编程

低功耗工作

- 30毫安活动

- 10 μA待机

1.8V的I / O选项可降低整体系统功耗

数据轮询和切换位的程序检测结束

VPP引脚为写保护和加速编程/擦除操作

RESET输入的设备初始化

顶部或底部启动块配置可用

128位注册保护

通用闪存接口（ CFI ）

64兆位闪存，

8兆位的SRAM

（ X16 I / O）

AT52BR6408A

AT52BR6408AT

初步

8兆位的SRAM产品特点

8兆位（ 512K ×16 ）

2.7V至3.1V V

手术

70 ns访问时间

低功耗

- 2 mA典型（活动）

- 1 μA典型值（待机）

工业温度范围

堆叠模块描述

该AT52BR6408A （T ）由一个64兆位闪存堆叠有一个8兆位的SRAM中一个

单CBGA封装。

堆叠模块存储器内容

设备

AT52BR6408A(T)

内存组合

64M闪存+ 8M SRAM

Flash读访问

异步页模式

修订版3425A - STKD - 1/04

66C4 –

CBGA

顶视图

A20

A16

A11

A15

A10

A21

A14

A13

I/O15

I/O13

I/O12

A12

SWE

I/O6

SCS

I/O10

GND

I/O14

I/O4

SVCC

I/O2

I/O0

I/O7

I/O5

VCC

I/O3

I/O1

SCE1

SGND RESET

VPP

A17

A19

国有企业

I/O11

I/O9

CE1

I/O8

GND

A18

销刀豆网络gurations

引脚名称

A0 - A21

I / O0 - I / O15

CE1

SCE1

SCS

OE / SOE

WE / SWE

RESET

VPP

VCC / SVCC

GND / SGND

功能

地址

数据输入/输出

闪存芯片使能

SRAM芯片使能

SRAM芯片选择

输出使能/ SRAM输出使能

写使能/ SRAM写使能

低字节控制（ SRAM ）

高字节控制（ SRAM ）

闪存复位

闪存写保护

闪存写保护和电源，用于加速

编程/擦除操作

闪光灯电源/ SRAM电源

无连接

设备接地/ SRAM地

AT52BR6408A(T)

3425A–STKD–1/04

AT52BR6408A(T)

64兆位闪存

描述

在64兆比特的闪存被分为多个扇区和飞机进行擦除操作

系统蒸发散。该设备可读取或重新编程落单2.7V供电，使得

它们非常适合用于在系统编程。

64兆位器件被分为四个存储器平面。读操作可以发生在

其中任何一个没有被编程或擦除的三个平面的。这同时能操作

ATION允许改进的系统性能由于不需要系统等待一个

程序或擦除操作完成时实施读之前。为了进一步增加

该装置的灵活性，它包含一个擦除挂起和程序挂起功能。

此功能将把擦除或编程搁置任何的时间，让用户

读取数据或程序数据的任何剩余的扇区。没有任何理由

暂停的擦除或编程操作，如果要读取的数据是在另一个存储器

平面。编程或擦除的结束是由数据轮询或切换位检测。

VPP引脚提供数据保护和更快的编程和擦除时间。当

在V

输入低于0.8V ，编程和擦除功能被抑制。当V

在1.65V以上时，正常的编程和擦除操作可以被执行。随着V

12.0V的编程和擦除操作被加速。

随着V

在12V ，一个6字节的命令（输入单脉冲编程模式），以去除

进入三字节的程序序列的要求提供，以进一步改善

编程时间。在写CON-进入六字节码，只有单个脉冲之后

控制线都需要写入到器件中。此模式（单脉冲字

计划）是由断电装置，通过采取RESET引脚与GND或退出

在V高到低转换

输入。擦除，擦除挂起/恢复，可持计划

挂起/恢复和阅读复位命令将无法正常工作，而在这种模式下，如果进入

它们将导致数据被编程到器件中。我们不建议

6字节的代码驻留在最终产品中的软件，但只存在于外部的亲

编程代码。

设备操作

命令序列：

在读出模式的设备通电。命令

序列用于将设备在其他操作模式，如程序和

抹去。在完成一个节目或一个擦除周期后，设备进入读

模式。命令序列被写入通过应用低脉冲，在WE输入

带CE低和OE高或通过施加低向脉冲在CE输入与WE低

和OE高。的地址被锁存，在WE或CE脉冲的下降沿，而─

先出现。有效的数据被锁存，在WE或CE的脉冲的上升沿，

以先到为准。在命令序列中使用的地址不受影响

通过输入命令序列。

异步读取：

64兆位闪存访问像EPROM 。当CE

和OE为低电平和WE为高电平时，存储在由所确定的存储器位置中的数据

的地址引脚上认定的输出。输出处于高阻抗

每当国家CE或OE为高电平。这种双行控制给出了预设计的灵活性

排气总线争用。

RESET ：

复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当

RESET是处于逻辑高电平时，该设备处于其标准操作模式。低水平

于RESET引脚停止本装置的操作，并把该装置的输出端

在一个高阻抗状态。当一个高级别重申RESET引脚上的

设备返回到读取或待机模式，这取决于控制引脚的状态。

3425A–STKD–1/04

ERASE ：

前一个字可以被重新编程，必须擦除。的擦除状态

所述存储器的位是逻辑“1”。整个存储器可以通过使用芯片擦除

擦除命令或各个平面或扇区可以通过使用平面擦除要擦除

或扇区擦除命令。

芯片擦除：

芯片擦除是六总线周期操作。自动擦除开始于

最后一个WE脉冲的上升沿。芯片擦除不改变受保护的数据

部门。全片擦除后，设备将返回到读取模式。该硬

在芯片擦除器复位将停止擦除，但数据将是未知状态。

在芯片擦除，除非擦除任何命令挂起将被忽略。

飞机ERASE ：

作为一种替代全芯片擦除，该设备被组织成四个

面可单独擦除。平面擦除命令是一个六总线周期

操作。这架飞机，其地址是在第六届下降沿有效的，我们将

的平面内的扇区的擦除提供任何保护。

扇区擦除：

作为替代一全芯片擦除或一个平面擦除，该装置是

组织成多个扇区可单独擦除。扇区擦除的COM

命令是一个六总线周期操作。该部门的地址是在第六届落下有效

我们的优势将被删除只要给定扇区未保护。

WORD编程：

对器件进行编程就一个字，用字的基础。亲

编程是通过内部设备命令寄存器来实现的，并且是四总线

循环操作。编程地址和数据被锁存在所述第四周期。该

设备将自动生成所需的内部编程脉冲。请

注意， “0”不能编程回一个“1” ;只有擦除操作可以转换

“0”到“1” 。

灵活的扇区保护：

64 - Mbit的器件提供了两个部门的保护

模式中， Softlock和硬件锁。该Softlock模式优化为部门保护

化的行业，其内容经常变化。硬件锁保护模式

推荐部门，其内容很少改变。一旦这两种的

模式被使能，所选择的扇区的内容是只读的，不能被擦除

或编程。每个扇区可以被独立地编程为在Softlock

或硬件锁业保护模式。在上电和复位，所有部门都有自己的软

锁保护模式下启用。

SOFTLOCK和解锁：

该Softlock保护模式可以通过发出一个被禁用

二总线周期解锁命令到所选的扇区。一旦该扇区被解锁，其

内容可以被擦除或编程。要启用Softlock保护模式，一个六

总线周期Softlock命令必须发出到所选择的扇区。

HARDLOCK和写保护（ WP ）：

硬件锁业保护模式能操作

阿泰与写保护（ WP ）引脚相结合。硬件锁保护部门

模式可以通过发出一个六总线周期硬件锁软件命令将被启用

选定行业。写保护引脚的状态是否影响了硬件锁保护

化模式可以被覆盖。

当WP引脚为低电平和硬件锁保护模式被启用，该部门

不能解除锁定和扇区的内容是只读的。

当WP引脚为高电平时，硬件锁保护模式无效，该部门

可以通过解锁命令解锁。

AT52BR6408A(T)

3425A–STKD–1/04

AT52BR6408A(T)

要禁用硬件锁扇区保护模式下，芯片必须是复位或电源

循环。

表1中。

硬件锁和Softlock保护配置结合WP

硬

LOCK

软

LOCK

擦除/

PROG

允许？

是的

/5V

无界被锁定

部门Softlocked 。该

解锁命令可以解锁

该部门。

硬件锁保护模式

启用。该部门不能

解锁。

无界被锁定。

部门Softlocked 。该

解锁命令可以解锁

该部门。

硬件锁保护模式

覆盖和部门

未锁定。

硬件锁保护模式

覆盖和行业

可以通过解锁

解锁命令。

擦除和编程

操作不能

进行。

/5V

是的

/5V

是的

/5V

扇区保护检测：

软件方法可用于确定

部门保护Softlock或硬件锁功能已启用。当设备处于

软件产品标识模式（请参阅软件产品标识和入口

出口段）从一个扇区内的I / O0和I / O1在地址位置00002H读

将显示如果该扇区被解锁， softlocked ，或hardlocked 。

表2中。

扇区保护状态

I/O1

I/O0

扇区保护状态

部门未锁定

Softlock启用

硬件锁已启用

无论硬件锁和Softlock启用

3425A–STKD–1/04

堆叠模块功能

64兆位闪存+ 8兆位的SRAM

电源2.7V至3.1V

数据I / O X16

66球CBGA封装

64兆位闪存产品特点

64兆位（ 4M ×16 ）快闪记忆体

2.7V - 3.1V读/写

高性能

- 异步访问时间 - 70 ， 85纳秒

扇区擦除架构

- 八4K字部门有独立的写锁定

- 32K字的主要行业有独立的写锁定

典型扇区擦除时间： 32K字的部门 - 500毫秒; 4K字部门 - 100毫秒

64M ，四平面组织，在没有任何3个平面准许并发读

被编程/擦除

- 内存平面答：内存16M其中包括八个4K字部门

- 内存面B：内存16M的32K字组成部门

- 内存平面C：内存16M的32K字组成部门

- 内存平面D：内存16M ，包括32K字部门

暂停/恢复功能的擦除和编程

- 支持读取和编程的任何扇区的数据被擦除暂停

不同部门

- 支持读取任何一个字，暂停的任何其他字编程

低功耗工作

- 30毫安活动

- 10 μA待机

1.8V的I / O选项可降低整体系统功耗

数据轮询和切换位的程序检测结束

VPP引脚为写保护和加速编程/擦除操作

RESET输入的设备初始化

顶部或底部启动块配置可用

128位注册保护

通用闪存接口（ CFI ）

64兆位闪存，

8兆位的SRAM

（ X16 I / O）

AT52BR6408A

AT52BR6408AT

初步

8兆位的SRAM产品特点

8兆位（ 512K ×16 ）

2.7V至3.1V V

手术

70 ns访问时间

低功耗

- 2 mA典型（活动）

- 1 μA典型值（待机）

工业温度范围

堆叠模块描述

该AT52BR6408A （T ）由一个64兆位闪存堆叠有一个8兆位的SRAM中一个

单CBGA封装。

堆叠模块存储器内容

设备

AT52BR6408A(T)

内存组合

64M闪存+ 8M SRAM

Flash读访问

异步页模式

修订版3425A - STKD - 1/04

66C4 –

CBGA

顶视图

A20

A16

A11

A15

A10

A21

A14

A13

I/O15

I/O13

I/O12

A12

SWE

I/O6

SCS

I/O10

GND

I/O14

I/O4

SVCC

I/O2

I/O0

I/O7

I/O5

VCC

I/O3

I/O1

SCE1

SGND RESET

VPP

A17

A19

国有企业

I/O11

I/O9

CE1

I/O8

GND

A18

销刀豆网络gurations

引脚名称

A0 - A21

I / O0 - I / O15

CE1

SCE1

SCS

OE / SOE

WE / SWE

RESET

VPP

VCC / SVCC

GND / SGND

功能

地址

数据输入/输出

闪存芯片使能

SRAM芯片使能

SRAM芯片选择

输出使能/ SRAM输出使能

写使能/ SRAM写使能

低字节控制（ SRAM ）

高字节控制（ SRAM ）

闪存复位

闪存写保护

闪存写保护和电源，用于加速

编程/擦除操作

闪光灯电源/ SRAM电源

无连接

设备接地/ SRAM地

AT52BR6408A(T)

3425A–STKD–1/04

AT52BR6408A(T)

64兆位闪存

描述

在64兆比特的闪存被分为多个扇区和飞机进行擦除操作

系统蒸发散。该设备可读取或重新编程落单2.7V供电，使得

它们非常适合用于在系统编程。

64兆位器件被分为四个存储器平面。读操作可以发生在

其中任何一个没有被编程或擦除的三个平面的。这同时能操作

ATION允许改进的系统性能由于不需要系统等待一个

程序或擦除操作完成时实施读之前。为了进一步增加

该装置的灵活性，它包含一个擦除挂起和程序挂起功能。

此功能将把擦除或编程搁置任何的时间，让用户

读取数据或程序数据的任何剩余的扇区。没有任何理由

暂停的擦除或编程操作，如果要读取的数据是在另一个存储器

平面。编程或擦除的结束是由数据轮询或切换位检测。

VPP引脚提供数据保护和更快的编程和擦除时间。当

在V

输入低于0.8V ，编程和擦除功能被抑制。当V

在1.65V以上时，正常的编程和擦除操作可以被执行。随着V

12.0V的编程和擦除操作被加速。

随着V

在12V ，一个6字节的命令（输入单脉冲编程模式），以去除

进入三字节的程序序列的要求提供，以进一步改善

编程时间。在写CON-进入六字节码，只有单个脉冲之后

控制线都需要写入到器件中。此模式（单脉冲字

计划）是由断电装置，通过采取RESET引脚与GND或退出

在V高到低转换

输入。擦除，擦除挂起/恢复，可持计划

挂起/恢复和阅读复位命令将无法正常工作，而在这种模式下，如果进入

它们将导致数据被编程到器件中。我们不建议

6字节的代码驻留在最终产品中的软件，但只存在于外部的亲

编程代码。

设备操作

命令序列：

在读出模式的设备通电。命令

序列用于将设备在其他操作模式，如程序和

抹去。在完成一个节目或一个擦除周期后，设备进入读

模式。命令序列被写入通过应用低脉冲，在WE输入

带CE低和OE高或通过施加低向脉冲在CE输入与WE低

和OE高。的地址被锁存，在WE或CE脉冲的下降沿，而─

先出现。有效的数据被锁存，在WE或CE的脉冲的上升沿，

以先到为准。在命令序列中使用的地址不受影响

通过输入命令序列。

异步读取：

64兆位闪存访问像EPROM 。当CE

和OE为低电平和WE为高电平时，存储在由所确定的存储器位置中的数据

的地址引脚上认定的输出。输出处于高阻抗

每当国家CE或OE为高电平。这种双行控制给出了预设计的灵活性

排气总线争用。

RESET ：

复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当

RESET是处于逻辑高电平时，该设备处于其标准操作模式。低水平

于RESET引脚停止本装置的操作，并把该装置的输出端

在一个高阻抗状态。当一个高级别重申RESET引脚上的

设备返回到读取或待机模式，这取决于控制引脚的状态。

3425A–STKD–1/04

ERASE ：

前一个字可以被重新编程，必须擦除。的擦除状态

所述存储器的位是逻辑“1”。整个存储器可以通过使用芯片擦除

擦除命令或各个平面或扇区可以通过使用平面擦除要擦除

或扇区擦除命令。

芯片擦除：

芯片擦除是六总线周期操作。自动擦除开始于

最后一个WE脉冲的上升沿。芯片擦除不改变受保护的数据

部门。全片擦除后，设备将返回到读取模式。该硬

在芯片擦除器复位将停止擦除，但数据将是未知状态。

在芯片擦除，除非擦除任何命令挂起将被忽略。

飞机ERASE ：

作为一种替代全芯片擦除，该设备被组织成四个

面可单独擦除。平面擦除命令是一个六总线周期

操作。这架飞机，其地址是在第六届下降沿有效的，我们将

的平面内的扇区的擦除提供任何保护。

扇区擦除：

作为替代一全芯片擦除或一个平面擦除，该装置是

组织成多个扇区可单独擦除。扇区擦除的COM

命令是一个六总线周期操作。该部门的地址是在第六届落下有效

我们的优势将被删除只要给定扇区未保护。

WORD编程：

对器件进行编程就一个字，用字的基础。亲

编程是通过内部设备命令寄存器来实现的，并且是四总线

循环操作。编程地址和数据被锁存在所述第四周期。该

设备将自动生成所需的内部编程脉冲。请

注意， “0”不能编程回一个“1” ;只有擦除操作可以转换

“0”到“1” 。

灵活的扇区保护：

64 - Mbit的器件提供了两个部门的保护

模式中， Softlock和硬件锁。该Softlock模式优化为部门保护

化的行业，其内容经常变化。硬件锁保护模式

推荐部门，其内容很少改变。一旦这两种的

模式被使能，所选择的扇区的内容是只读的，不能被擦除

或编程。每个扇区可以被独立地编程为在Softlock

或硬件锁业保护模式。在上电和复位，所有部门都有自己的软

锁保护模式下启用。

SOFTLOCK和解锁：

该Softlock保护模式可以通过发出一个被禁用

二总线周期解锁命令到所选的扇区。一旦该扇区被解锁，其

内容可以被擦除或编程。要启用Softlock保护模式，一个六

总线周期Softlock命令必须发出到所选择的扇区。

HARDLOCK和写保护（ WP ）：

硬件锁业保护模式能操作

阿泰与写保护（ WP ）引脚相结合。硬件锁保护部门

模式可以通过发出一个六总线周期硬件锁软件命令将被启用

选定行业。写保护引脚的状态是否影响了硬件锁保护

化模式可以被覆盖。

当WP引脚为低电平和硬件锁保护模式被启用，该部门

不能解除锁定和扇区的内容是只读的。

当WP引脚为高电平时，硬件锁保护模式无效，该部门

可以通过解锁命令解锁。

AT52BR6408A(T)

3425A–STKD–1/04

AT52BR6408A(T)

要禁用硬件锁扇区保护模式下，芯片必须是复位或电源

循环。

表1中。

硬件锁和Softlock保护配置结合WP

硬

LOCK

软

LOCK

擦除/

PROG

允许？

是的

/5V

无界被锁定

部门Softlocked 。该

解锁命令可以解锁

该部门。

硬件锁保护模式

启用。该部门不能

解锁。

无界被锁定。

部门Softlocked 。该

解锁命令可以解锁

该部门。

硬件锁保护模式

覆盖和部门

未锁定。

硬件锁保护模式

覆盖和行业

可以通过解锁

解锁命令。

擦除和编程

操作不能

进行。

/5V

是的

/5V

是的

/5V

扇区保护检测：

软件方法可用于确定

部门保护Softlock或硬件锁功能已启用。当设备处于

软件产品标识模式（请参阅软件产品标识和入口

出口段）从一个扇区内的I / O0和I / O1在地址位置00002H读

将显示如果该扇区被解锁， softlocked ，或hardlocked 。

表2中。

扇区保护状态

I/O1

I/O0

扇区保护状态

部门未锁定

Softlock启用

硬件锁已启用

无论硬件锁和Softlock启用

3425A–STKD–1/04