AH1888
微功耗，一般敏感的霍尔效应
开关
描述
该AH1888微功耗全方位极性霍尔效应开关IC
设计用于便携式和电池供电设备，如
蜂窝电话， PDA的便携PC的。基于两个
敏感的霍尔效应板和斩波稳定架构
该AH1888提供在整个一个可靠的解决方案
工作范围。为了支持便携式和电池供电
设备的设计进行了优化，工作在
1.65V的电源电压范围为3.3V ，功耗仅为12.6uW
与1.8V的电源。
输出切换与北极或对南极
足够的强度。时的磁通密度（B）是
操作比大点（ BOP）的输出被接通。该
输出被关断时， B成为比释放下
点（ BRP ） 。该输出将保持关断时，没有
磁场。该AH1888 - ZG有两个输出，输出1
拉低接通时，输出2反转。该
AH1888 - FJG提供输出之一， AH1888 - FJRG
提供输出两。
引脚分配
（顶视图）
输出2
GND
NC
1
2
3
SOT553
5
Output1
4
VDD
（顶视图）
3. GND
（顶视图）
3. GND
1. VDD
2.输出1
1. VDD
2.输出2
DFN2020-3
DFN2020R-3
特点
全极（南北极）操作
单路或双路输出选项
内部输出上拉功能
微操作
1.65V至3.3V的工作范围
斩波稳定设计提供
卓越的温度稳定性
最小切换点漂移
增强免疫力，以胁迫
良好的RF噪声抗扰度
-40 ° C至85° C的工作温度
ESD （ HBM） \u003e 4KV的SOT553
静电放电（HBM） \u003e 5KV为DFN2020-3和DFN2020R -3-
包装： SOT553 ， DFN2020-3和DFN2020R - 3
“绿色”模塑料
应用
手机
PDA
无绳电话
AH1888
文件编号： DS31565牧师6 - 2
1 11
www.diodes.com
2010年8月
Diodes公司
AH1888
微功耗，一般敏感的霍尔效应
开关
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
符号
VDD
B
Ts
PD
T
J
电源电压
磁通量密度
存储温度范围
封装功耗
最高结温
特征
值
5
无限
-65到+150
230
150
单位
V
°C
mW
°C
推荐工作条件
(T
A
= 25°C)
符号
VDD
T
A
特征
电源电压
工作温度范围
条件
操作
操作
等级
1.65 3.3
-40至+85
单位
V
°C
电气特性
(T
A
= 25 ℃， VDD = 1.8V时，除非另有规定）
符号
V
OH
V
OL
国际直拨电话（ EN ）
国际直拨电话（ DIS ）
国际直拨电话（ AVG）
Tawake
TPERIOD
特区
注意事项：
特征
输出在电压（高压侧）
在输出电压（低侧）
电源电流
清醒时间
期
占空比
条件
I
O
= -0.5mA
I
O
- 0.5毫安
芯片使能
芯片被禁止
平均电源电流
（注1 ）
（注1 ）
民
Vdd-0.2
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
2
5
7
50
50
0.1
最大
-
0.2
4
8
12
100
100
-
单位
V
V
mA
uA
uA
s
ms
%
1.当最初将电源接通时， Vdd的必须是其正确的工作范围内（ 1.65V至3.3V ），以保证输出采样。
输出状态是第二个操作周期（一般为100ms ）后有效。
AH1888
文件编号： DS31565牧师6 - 2
4 11
www.diodes.com
2010年8月
Diodes公司
AH1888
微功耗，一般敏感的霍尔效应
开关
磁特性
(T
A
= 25°C ， VDD = 1.8V 3.0V ，注2 & 3 ）
（ 1mT的= 10高斯）
符号
BOPS （南极，以品牌方）
BOPN （北极牌方）
BRPS （南极，以品牌方）
BRPN （北极牌方）
BHY （
Bopx
Brpx
)
注意事项：
特征
操作点
放点
迟滞
民
-
-79
35
-
3
典型值。
61
-61
53
-53
8
最大
79
-
-
-35
-
单位
高斯
2.典型的数据是在VDD = 3V 。
3.磁特性会因电源电压，工作温度和焊后发生变化。
输出1 （低电平有效）
（输出电压）
（输出电压）
输出1 （低电平有效）
V
dd
打开
（关闭状态）
关
（关闭状态）
关
V
dd
B
hy
B
hy
打开
（导通状态）
V
SAT
S
N
V
SAT
（导通状态）
N
B
OPN
B
RPN
0
（磁通密度B）中
0 B
RPS
B
OPS
（磁通密度B）中
S
输出2 （高电平有效）
（输出电压）
（输出电压）
输出2 （高电平有效）
V
dd
（关闭状态）
关
（关闭状态）
关
V
dd
打开
B
hy
B
hy
打开
（导通状态）
V
SAT
S
N
V
SAT
（导通状态）
N
B
OPN
B
RPN
0
（磁通密度B）中
0 B
RPS
B
OPS
（磁通密度B）中
S
AH1888
文件编号： DS31565牧师6 - 2
5 11
www.diodes.com
2010年8月
Diodes公司
QQ：2881677436 复制
