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LTC1067/LTC1067-50
化经营副执行秘书办公室
3A模式
这是模式3的延伸部分，其中所述高通和
低通输出通过两个外部电阻总结
器，R
H
和R
L
，以创建一个凹口（见图7） 。 3A模式
比2模式更灵活，因为缺口频
昆西可以比中心频率更高或更低
2阶段。图7的外部运算放大器
并不总是需要的。当级联的章节
LTC1067 ，高通和低通输出端可
直接概括成下一个反相输入端
部分。
请参考应用程序下操作限制段落
阳离子的使用电容器C的导向信息
C
.
C
C
R4
R3
R2
HP
V
IN
R1
S
BP
LP
–
+
AGND
+
图7.模式3A ，二阶滤波器提供了一个高通陷波或低通陷波输出
f
f
O
=
CLK
1 + R2
比
R4
f
CLK
R
H
f
n
=
1+
比
R
L
R
G
R
G
H
OLPn
(f = 0)=
+
R
H
R
L
C
C
R4
R3
R2
HP
V
IN
R1
S
BP
LP
–
+
AGND
+
图8.模式2n个，二阶滤波器提供低通陷波输出
U
模式2N
此模式延伸模式3a的电路拓扑，以
模式2 （图8） ，其中所述高通陷波和低通
输出通过两个外部电阻总结，R
H
和R
L
，打造一个低通输出一个档次较高
频率比在模式2下该模式的槽口，如图
图8 ，是最有用的低通椭圆图案。当
级联的LTC1067的路段， highpass-
缺口和低通输出，可以直接归结为
下一节的反相输入端。
请参考应用程序下操作限制段落
阳离子的使用电容器C的导向信息
C
.
W
√
R4 F = RATIO
√
R
1
R2
Q = 1.005
(
R3
)
R2
√
R4
R3
(
1 - （比） （ 0.32） （R 4）
)
R
R
(f =
∞)
=
( )
(
R2
)
; H
(f = 0) =
( )
(
R4
)
H
R R1
R R1
f
f
O
=
CLK
比
R2
; n
f
CLK
R
H
L
OHPN
G
H
OLPn
G
L
Σ
–
注：比= 100 LTC1067
= 50 LTC1067-50
∫
R
H
∫
R
L
R
G
–
+
高通
或LOWPASS
产出缺口
外部运算放大器和输入OP
的LTC1067 ，侧面A或B AMP
1067 F07
√
√
(
)
( ) (
R2
R1
1
1 + R2
R4
1
)
Q = 1.005
(
R3
) √
1 + R2
R4
R2
R3
(
1 - （比） （ 0.32） （R 4）
)
Σ
–
注：比= 100 LTC1067
= 50 LTC1067-50
∫
R
H
∫
R
L
R
G
–
+
低通
缺口
产量
外部运算放大器或输入运算放大器
的LTC1067 ，侧面A或B
1067 F08
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