LTC1067/LTC1067-50
化经营副执行秘书办公室
C
C
R6
R3
R5
R2
N
V
IN
R1
S
BP
LP
–
+
AGND
+
Σ
–
∫
注：比= 100 LTC1067
= 50 LTC1067-50
f
R6
f
O
=
CLK
;f =f
RATIO （ R6 + R5 ）
N 2 O
R3
R6 ; H = - R2 ;
Q = R3
=–
R1
OBP
R1
R2 (R6 + R5)
ON
R2 R6 + R5
H
OLP
= –
R6
R1
√
√
(
图4.模式1B ，二阶滤波器提供了缺口，
带通和低通输出
R5和R6的并联组合应保持
下面5K 。
请参考应用程序下操作限制段落
阳离子的使用电容器C的导向信息
C
.
模式3
在模式3中，外部时钟频率之比为
每个第二阶段的中心频率可以是AD-
justed上面或下面部分的标称比率。图5
说明了模式3 ，经典的状态变量的配置
化，提供高通，带通和低通第二
为了过滤功能。模式3比模式1，模式慢
3 ，可用于制造高阶全极点带通
低通和高通滤波器。
请参考应用程序下操作限制段落
阳离子的使用电容器C的导向信息
C
.
模式2
模式2是模式1和模式3的组合，示于
图6.利用模式2中，时钟 - 至 - 中心频率比，
f
CLK
/f
O
，总是小于所述部件的标称比率。该
利用模式2的是它提供了对以下的灵敏度
电阻容差不超过3模式模式2有
高通陷波输出，其中陷波频率
仅仅取决于时钟频率，因此
小于该中心频率f
O
.
10
U
请参考应用程序下操作限制段落
阳离子的使用电容器C的导向信息
C
.
C
C
R4
R3
R2
W
∫
1067 F04
HP
V
IN
R1
S
BP
LP
–
+
+
Σ
–
∫
∫
1067 F05
)
AGND
f
O
=
f
CLK
比
1
R3 R2
R2
R3
√
R4 ; Q = 1.005
(
R2
) √
R4
(
1 - （比） （ 0.32） （R 4）
)
R3
H
OHP
= - R2 ;
OBP
= –
R1
R1
(
1
R3
1–
(RATIO)(0.32)(R4)
)
; H
OLP
= –
R4
R1
注：比= 100 LTC1067
= 50 LTC1067-50
图5.模式3 ，第2阶段提供
高通，带通和低通输出
C
C
R4
R3
R2
HPN
V
IN
R1
S
BP
LP
–
+
+
Σ
–
∫
∫
1067 F06
AGND
√
1 + R4 ; F = RATIO
R2
1
R3
Q = 1.005
( )
1 +
R2
√
R4
R3
(
1 - （比） （ 0.32） （R 4）
)
f
O
=
f
CLK
比
R2
n
f
CLK
H
OHPN
= –
R2
R2
（ AC增益，女>> F
O
); H
OHPN
= –
R1
R1
1
R3
1–
(RATIO)(0.32)(R4)
(
1
1 + R2
R4
)
（直流增益）
H
OBP
= –
R3
R1
(
)
; H
OLP
= – R2
R1
(
1
1 + R2
R4
)
注：比= 100 LTC1067
= 50 LTC1067-50
图6.模式2 ，二阶滤波器提供了高通
缺口，带通和低通输出
