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MB84VD2108X
-85
/MB84VD2109X
-85
写周期（注3 ） （我们控制） （ SRAM ）
t
WC
地址
t
AS
t
WP
t
WR
WE
t
AW
t
CW
CE1s
CE2s
t
CW
t
BW
磅瑞银
t
ODW
t
OEW
D
OUT
注1
t
DS
t
DH
注2
D
IN
注4
有效的数据在
注4
注意事项： 1.如果CE1S变低（或CE2s变为高电平）一致或之后，我们变低时，
输出将保持在高阻抗状态。
2.如果CE1S变为高电平（或CE2s变为低电平）一致或之前，我们变高时，
输出将保持在高阻抗状态。
3，如果OE是在写入周期高电平时，输出端将保持在高阻抗状态。
4.由于I / O信号可以是在输出状态，此时，反向的输入信号
极性不能被应用。
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