MB84VD2108X
-85
/MB84VD2109X
-85
读周期
（ SRAM）的
参数
符号
t
RC
t
AA
t
CO1
t
CO2
t
OE
t
BA
t
COE
t
OEE
t
BE
t
OD
t
ODO
t
BD
t
OH
参数说明
读周期时间
地址访问时间
芯片使能（ CE1S ）访问时间
芯片使能（ CE2s ）访问时间
输出启用访问时间
UB
S
，磅
S
到输出有效
芯片使能（ CE1S低和CE2s高）到输出有效
输出使能低到输出有效
UB
S
，磅
S
使能低到输出有效
芯片使能（ CE1S高或低CE2s ）到输出高阻
输出使能高到输出高阻
UB
S
，磅
S
输出使能到输出高阻
输出数据保持时间
分钟。
85
5
0
0
10
马克斯。
85
85
85
45
85
35
35
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
43
