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MB84VD2108X
-85
/MB84VD2109X
-85
写周期（ SRAM ）
参数
符号
t
WC
t
WP
t
CW
t
AW
t
BW
t
AS
t
WR
t
ODW
t
OEW
t
DS
t
DH
参数说明
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
UB
S
，磅
S
写的结束
地址建立时间
写恢复时间
WE低到输出高阻
WE高到输出有效
数据建立时间
数据保持时间
分钟。
85
55
70
70
55
0
0
0
35
0
马克斯。
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
45
