8Mb
SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
写入/擦除周期
CE＃ -CONTROLLED写/擦除
V
IH
A0–A18/(A19)
V
IL
V
IH
WE＃
V
IL
V
IH
OE ＃
V
IL
V
IH
CE＃
V
IL
V
IH
V
IL
V
HH
V
IH
RP ＃
3
V
IL
V
IH
WP ＃
3
注1
TAS
TAH
TAS
A
IN
TAH
交易平台
亿千瓦时
TWC
TCP
TCPH
tWED1/2/3/4
TDH
TDS
CMD
in
TRS
TDS
CMD /
数据在
TRHS
吨WB
TDH
状态
(SR7=0)
状态
(SR7=1)
tRHH
CMD
in
DQ0–DQ7/
DQ0–DQ15
2
[解锁引导块]
[解锁引导块]
V
IL
tVPS1
V
PPH1
V
IL
写入或擦除（块）
地址生效，
将数据写入或擦除
CONFIRM发行
写或擦除
执行时，状态寄存器
检查完成
[5V V
PP
]
TVPH
V
PP
写SETUP或
清除设置的输入
命令为下
发出操作
不在乎
时序参数
商用温度（ 0℃
≤
T
A
≤
+70C)
扩展温度（ -40°C
≤
T
A
≤
+85C)
-8 / -8 ET
符号
t
t
t
-8 / -8 ET
单位
符号
t
t
t
民
最大
民
最大
单位
WC
WPH
CP
4
80
30
50
50
0
50
0
0
0
200
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
RS
RHS
WED1
1,000
100
4.5
100
100
500
200
0
0
ns
ns
s
ms
ms
ms
ns
ns
ns
t
AS
t
AH
t
t
t
t
WED2
t
WED3
t
t
t
DS
DH
WS
WED4
WB
VPH
t
WH
t
VPS1
t
RHH
注：1 。
地址输入“无关”，但必须保持稳定。
2.
如果BYTE ＃为低电平时，数据和指令是8位。如果BYTE ＃为高电平时，数据是16位和命令是8位。
3.
或者RP ＃在V
HH
或WP ＃高解锁引导块。
8MB智能5引导块闪存
MT28F800B5_3.fm - 修订版3 ，酒吧。 8/2002
26
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2002年，美光科技公司
