8Mb
SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
建议的直流写入/擦除条件
1
商用温度（ 0℃
≤
T
A
≤
+ 70°C ）和扩展级温度（ -40℃
≤
T
A
≤
+ 85C ） ; V
CC
= +5V ±10%
参数/条件
V
PP
写/擦除锁定电压
V
PP
写/擦除操作过程中的电压
引导块解锁电压
V
CC
写/擦除锁定电压
符号
V
PPLK
V
PPH
V
HH
V
LKO
民
–
4.5
10
2
最大
1.5
5.5
12.6
–
单位
V
V
V
V
笔记
2
3
写入/擦除电流消耗
商用温度（ 0℃
≤
T
A
≤
+ 70°C ）和扩展级温度（ -40℃
≤
T
A
≤
+ 85C ） ; V
CC
= +5V ±10%
参数/条件
WORD写电流： V
CC
供应
WORD写电流： V
PP
供应
字节写入电流： V
CC
供应
字节写入电流： V
PP
供应
擦除电流： V
CC
供应
擦除电流： V
PP
供应
擦除挂起电流： V
CC
供应
（ ERASE暂停）
擦除挂起电流： V
PP
供应
（ ERASE暂停）
符号
I
CC
9
I
PP
3
I
CC
10
I
PP
4
I
CC
11
I
PP
5
I
CC
12
I
PP
6
最大
25
20
25
20
30
40
10
200
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
笔记
4
4
5
5
6
注：1 。
写操作在V测试
PP
电压等于或小于前擦除。
2.
绝对的写/擦除保护时， V
PP
≤
V
PPLK
.
3.
当5V V
CC
和V
PP
时， V
CC
不能超过V
PP
超过500mV的写入和擦除时
操作。
4.
仅适用于MT28F800B5 。
5.
适用于MT28F008B5和MT28F800B5与BYTE ＃ =低。
6.
参数时不访问指定设备。实际的电流消耗将电流Icc
12
加读电流如果一个READ
被执行，而该设备在擦除挂起模式。
8MB智能5引导块闪存
MT28F800B5_3.fm - 修订版3 ，酒吧。 8/2002
23
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2002年，美光科技公司
