8Mb
SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
FL灰内存
特点
十一擦除块：
16KB / 8K字引导块（保护）
两个8KB / 4K字的参数块
八个主存块
智能5技术（ B5 ） ：
5V ±10% V
CC
5V ±10% V
PP
应用/
生产编程
1
先进的0.18微米CMOS浮栅工艺
兼容0.3微米的智能设备5
地址访问时间： 80ns的
100,000次擦除周期
业界标准引脚
自动写入和擦除算法
双循环写/擦除序列
TSOP和SOP封装选项
字节或字宽READ和WRITE
（ MT28F800B5 ， 1兆×8 / 512K ×16 ）
MT28F008B5
MT28F800B5
只有5V ，双电源（智能5 ）
采用0.18μm工艺技术
40引脚TSOP I型
48引脚TSOP I型
44引脚SOP
2
概述
该MT28F008B5的（x8）和MT28F800B5 （ X16 / X8 ）
是非易失性的，电的块擦除（闪存） ，
含有可编程只读存储器
8388608位组织为524288个字（ 16位）或
1,048,576字节（8位） 。写或擦除设备
用5V V做
PP
电压，而所有的操作都
用5V V进行
CC
。由于工艺技术
进步， 5V V
PP
是最佳的应用和亲
duction编程。这些设备被制造
与美光先进的0.18微米CMOS浮栅
流程。
该MT28F008B5和MT28F800B5组织
到11分别可擦除块。以确保
关键的固件被意外删除的受保护
或覆盖，该器件具有硬件保护
引导块。该块可以被用来存储代码
在低级别的系统恢复执行。该
其余的块变化的密度和写入和
删除不需要额外的安全措施。
请参考美光公司的网站（ www.micron.com/
FLASH ）
最新的数据表。
选项
时机
80ns
配置
1梅格×8
512K X 16/1梅格×8
引导块起始字地址
顶部
底部
工作温度范围
商用（ 0℃至+ 70℃ ）
扩展级（-40 ° C至+ 85°C ）
包
MT28F008B5
塑料40引脚TSOP I型
（ 10毫米x10 29毫米）
MT28F800B5
塑料48引脚TSOP I型
（12毫米X 20毫米）
塑料44引脚SOP （ 600万）
注意事项：
记号
-8
MT28F008B5
MT28F800B5
T
B
无
ET
VG
WG
SG
2
1.
这一代的设备不支持12V V
PP
兼容性产品编程;然而， 5V
V
PP
生产应用程序可以使用
在不损失性能。
2.
联系厂方。
产品编号举例：
MT28F800B5WG - 8 BET
8MB智能5引导块闪存
MT28F800B5_3.fm - 修订版3 ，酒吧。 8/2002
1
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2002年，美光科技公司
产品和规格在此讨论如有更改，美光，恕不另行通知
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