2Mb
SMART 3 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
建议的直流写入/擦除条件
1
商用温度（ 0℃
≤
T
A
≤
+ 70°C ）和扩展级温度（ -40℃
≤
T
A
≤
+ 85C ） ; V
CC
= +3.3V
±0.3V
参数/条件
V
PP
写/擦除锁定电压
V
PP
写/擦除操作过程中的电压
V
PP
写/擦除操作过程中的电压
V
PP
写/擦除操作过程中的电压
引导块解锁电压
V
CC
写/擦除锁定电压
符号
V
PPLK
V
PPH
1
V
PPH
2
V
PPH
3
V
HH
V
LKO
民
–
3
4.5
11.4
11.4
2
最大
1.5
3.6
5.5
12.6
12.6
–
单位备注
V
V
V
V
V
V
4
2
3
写入/擦除电流消耗
商用温度（ 0℃
≤
T
A
≤
+ 70°C ）和扩展级温度（ -40℃
≤
T
A
≤
+ 85C ） ; V
CC
= +3.3V
±0.3V
3.3V V
PP
5V V
PP
参数/条件
WORD写电流： V
CC
供应
WORD写电流： V
PP
供应
字节写入电流： V
CC
供应
字节写入电流： V
PP
供应
擦除电流： V
CC
供应
擦除电流： V
PP
供应
擦除挂起电流： V
CC
供应
（ ERASE暂停）
擦除挂起电流： V
PP
供应
（ ERASE暂停）
符号
I
CC
7
I
PP
3
I
CC
8
I
PP
4
I
CC
9
I
PP
5
I
CC
10
I
PP
6
最大
9
9
9
6
25
25
8
200
最大
9
9
9
6
25
30
8
200
单位备注
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
7
5
5
6
6
注意：
1.写操作在V测试
CC
/V
PP
电压等于或小于以前的擦除和读出操作是
测试条件： V
CC
电压等于或小于上一次写操作。
2.绝对的写/擦除时保护V
PP
≤
V
PPLK
.
3.当3.3V V
CC
和V
PP
是使用的Vcc的不能超过V
PP
超过500mV的写入和擦除操作过程中。
4.对于SmartVoltage兼容的生产编程， 12V V
PP
支持最多100个循环，并且可以
可连接多达100个累计小时。
5.仅适用于MT28F200B3 。
6.适用于MT28F002B3和MT28F200B3以字节=低。
7.参数时不访问指定设备。实际的电流消耗将是我
CC10
再加上读取电流，如果读的是
执行，而该设备在擦除挂起模式。
2MB智能3引导块闪存
F48.p65 - 修订版1/00
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2000年，美光科技公司
