2Mb
SMART 3 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
读时序参数
电气特性和推荐AC工作条件
商用温度（ 0℃
≤
T
A
≤
+ 70°C ）和扩展级温度（ -40℃
≤
T
A
≤
+ 85C ） ; V
CC
= +3.3V
±0.3V
AC特性
参数
读周期时间
从CE＃访问时间
从OE ＃访问时间
从地址访问时间
RP ＃高到输出有效延迟
OE ＃或CE ＃高到输出高阻
从OE ＃ ， CE ＃或地址变更输出保持时间
RP ＃低脉冲宽度
-9
符号
t
RC
t
ACE
t
AOE
t
AA
t
RWH
t
OD
t
OH
t
RP
民
90
最大
90
45
90
1,000
25
0
150
-10 ET
民
最大
100
100
50
100
1,000
45
0
150
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
1
1, 2
1, 2
1
1
1
1
1
注意：
1.在测量交流测试条件下进行测试。
2. OE＃可由延迟
t
ACE减
t
经过CE＃ AOE之前下降
t
ACE被受到影响。
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... ...... 0V到3V
输入上升和下降时间............................................. ... <10ns
输入时序参考电平1.5V ...........................................
输出时序参考电平1.5V .......................................
输出负载................................... 1 TTL门和C
L
= 50pF的
2MB智能3引导块闪存
F48.p65 - 修订版1/00
20
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2000年，美光科技公司
