飞利浦半导体
2N7002E
N沟道的TrenchMOS FET
8.修订历史记录
表6：
修订历史
发布日期
20050426
数据表状态
产品数据表
变更通知
-
文档。数
9397 750 14944
SUPERSEDES
2N7002E-01
文档ID
2N7002E_2
莫迪科幻阳离子：
这个数据表格式已重新设计，以符合新的演示文稿和
飞利浦半导体信息标准。
表5 “特色”
除了为V上限
GS （ TH）
.
产品数据
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9397 750 09095
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2N7002E-01
20020211
9397 750 14944
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产品数据表
牧师02 - 2005年4月26日
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