【SMD型N沟道Enhanceent模式场效应晶体管2N7002ESOT-23+0.12.9-0.1+】,IC型号2N7002E,2N7002E PDF资料,2N7002E经销商,ic,电子元器件-51电子网

SMD型

N沟道Enhanceent模式

场效应晶体管

2N7002E

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

MOSFET

单位：mm

+0.1

2.4

-0.1

低栅极阈值电压

低输入电容

开关速度快

低输入/输出泄漏

+0.1

1.3

-0.1

低导通电阻，R

DS （ ON）

0.95

+0.1

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

0.55

0.4

特点

+0.05

0.1

-0.01

0.97

+0.1

0.38

-0.1

+0.1

-0.1

1.Base

1门

2.Emitter

2 SOURCE

3.collector

3漏

绝对最大额定值大= 25

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

1.0 m

符号

DSS

DGR

GSS

等级

240

300

417

-55到+150

单位

栅源电压-Continuous

脉冲

漏电流 - 连续

功耗

热阻，结到环境

工作和存储温度范围

, T

英镑

电气特性TA = 25

参数

漏源击穿电压

零栅压漏电流@ T

= 25

@ T

= 125

门体漏

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻@ TJ = 25

通态漏电流

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

D（上）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

= 30V ，我

= 0.2A ，R

= 150

= 10V ，R

根

= 25

根

= 25V, V

= 0V ， F = 1.0MHz的

15V, V

= 0V

1.0

1.6

2.0

0.8

2.0

7.0

5.0

1.0

符号

DSS

Testconditons

= 0V时，我

= 10

民

典型值

1.0

500

2.5

最大

单位

= 60V, V

= 0V

= V

, I

= 250毫安

= 10V ，我

= 250毫安

= 4.5V ，我

= 200毫安

= 10V, V

= 7.5V

= 10V ，我

= 0.2A

记号

K7B

0-0.1

www.kexin.com.cn

SPICE模型： 2N7002E

2N7002E

n沟道增强型场效应

晶体管

特点

新产品

低导通电阻，R

DS （ ON）

低栅极阈值电压

低输入电容

开关速度快

低输入/输出泄漏

无铅/符合RoHS （注2 ）

顶视图

SOT-23

暗淡

民

0.37

1.20

2.30

0.89

0.45

1.78

2.80

0.013

0.903

0.45

0.085

0°

最大

0.51

1.40

2.50

1.03

0.60

2.05

3.00

0.10

1.10

0.61

0.180

8°

机械数据

案例： SOT -23

表壳材质：采用UL可燃性分类额定值94V- 0

湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级

码头：每MIL -STD- 202方法208

无铅电镀（雾锡完成退火

在合金引线框架42 ）。

终端连接：见图

标记（见第2页）： K7B

订购&日期代码信息：参见第2页

重量： 0.008克（约）

尺寸：mm

最大额定值

漏源电压

@ T

= 25 ° C除非另有说明

符号

DSS

DGR

连续

脉冲

连续

GSS

qJA

, T

英镑

价值

±20

±40

240

300

417

-55到+150

单位

° C / W

°C

特征

漏极 - 栅极电压

1.0MW

栅源电压

漏电流

总功率耗散（注1 ）

热阻，结到环境

工作和存储温度范围

注： 1。设备安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局

文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。

2.没有故意添加铅。

DS30376启5 - 2

1 4

www.diodes.com

2N7002E

Diodes公司

电气特性

@ T

= 25 ° C除非另有说明

符号

DSS

@ T

= 25°C

@ T

= 125°C

DSS

GSS

GS （ TH）

@ T

= 25°C

DS （ ON）

D（上）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

民

1.0

0.8

典型值

1.6

2.0

1.0

2.0

7.0

最大

1.0

500

±10

2.5

5.0

单位

= 30V ，我

= 0.2A,

= 150W ，V

根

= 10V,

根

= 25W

= 25V, V

= 0V

F = 1.0MHz的

测试条件

= 0V时，我

= 10毫安

= 60V, V

= 0V

= ±15V, V

= 0V

= V

, I

= 250毫安

= 10V ，我

= 250毫安

= 4.5V ，我

= 200毫安

= 10V, V

= 7.5V

= 10V ，我

= 0.2A

新产品

特征

开关特性（注3 ）

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

基本特征（注3 ）

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

通态漏电流

正向跨导

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

订购信息

设备

2N7002E-7-F

注意事项：

（注4 ）

包装

SOT-23

航运

3000 /磁带&卷轴

3.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。

4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。

标识信息

K7B

日期代码的关键

YEAR

CODE

MONTH

CODE

JAN

FEB

2003

三月

K7B =产品型号标识代码

YM =日期代码标

Y =年份例如： P = 2003

M =月前： 9 =九月

2004

APR

五月

2005

JUN

JUL

2006

八月

2007

SEP

2008

十月

NOV

2009

DEC

DS30376启5 - 2

2 4

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2N7002E

1.0

NE瓦特产品

0.8

，漏源电流（A ）

5.5V

，漏电流（ A）

0.6

= 10V

9.0V

8.0V

7.0V

6.5V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

4.0V

3.5V

3.0V

2.5V

2.1V

2.0

10V

1.6

= -55°C

1.2

= 25°C

5.0V

0.4

0.8

= 125°C

0.2

0.4

2.1V

，漏源电压（V ）

图。 1在区域特征

，门源电压（ V）

图。 2漏电流与栅源电压

DS （ON ），

漏极 - 源极导通电阻（ W）

DS （ON ），

- 漏极 - 源极导通电阻（ W）

= 250毫安

= 4.5V

= 75毫安

= 10V

- 栅极至源极电压（ V）

图。 3 ON电阻 -

栅极至源极电压

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

，漏电流（ A）

图。 4 ON电阻 -

漏电流

350

DS （ ON）

，漏 - 源

导通电阻（

)

，功耗（毫瓦）

300

250

200

150

100

= 4.5V @ 200毫安

= 10V @ 250毫安

-75

-50 -25

100 125

150

100

125

150

175

200

，环境温度（ ° C）

图。 6 ，最大功耗与

环境温度

，结温（ ° C）

图。 5导通电阻与结温

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3 4

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2N7002E

重要通知

Diodes公司及其附属公司保留随时更改，恕不另行通知任何产品的权利在此进行更正，修改， enhance-

ments ，改进，或其他变化。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;

它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担这种风险，所有

使用并同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。

生命支持

坐落在我们的网站产品

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不推荐用于生命支持系统中使用，其中的一个发生故障或失灵

组件可能直接威胁生命或造成人身伤害不Diodes公司的明确书面批准。

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4 4

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2N7002E

2N7002E

N沟道的TrenchMOS FET

牧师02 - 2005年4月26日

产品数据表

1.产品廓

1.1概述

使用N-沟道增强型场效应晶体管（FET ）中的塑料包装

的TrenchMOS 技术。

1.2产品特点

兼容逻辑电平阈值

表面安装封装

非常快速的切换

的TrenchMOS 技术

1.3应用

逻辑电平转换

高速线路驱动器

1.4快速参考数据

≤

60 V

DSON

≤

385毫安

合计

= 0.83 W

2.管脚信息

表1：

针

钉扎

描述

栅极（G ）

源极（S ）

漏极（四）

简化的轮廓

符号

SOT23

mbb076

飞利浦半导体

2N7002E

N沟道的TrenchMOS FET

3.订购信息

表2：

订购信息

包

名字

2N7002E

TO-236AB

描述

塑料表面贴装封装; 3引线

VERSION

SOT23

类型编号

4.极限值

表3：

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号参数

DGR

GSM

合计

英镑

漏极 - 源极电压（直流）

漏极 - 栅极电压（直流）

栅极 - 源极电压（直流）

峰值栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

峰值漏极电流

总功耗

储存温度

结温

源（二极管的正向）直流（DC ）笔

= 25

°C

峰源（二极管正向）电流T

= 25

°C;

脉冲;吨

≤

脉冲;占空比= 25 ％

= 25

°C;

= 10 V;

图2

和

= 100

°C;

= 10 V;

图2

= 25

°C;

脉冲;吨

≤

科幻gure 3

= 25

°C;

图1

条件

°C ≤

≤

150

°C

°C ≤

≤

150

°C;

= 20 k

民

最大

±30

±40

385

245

1.5

0.83

+150

385

1.5

单位

°C

源极 - 漏极二极管

9397 750 14944

产品数据表

牧师02 - 2005年4月26日

2 11

飞利浦半导体

2N7002E

N沟道的TrenchMOS FET

120

DER

(%)

03aa17

120

DER

(%)

03aa25

100

150

(

200

100

150

(

200

合计

DER

------------------------

100

合计

(

25 C

)

DER

--------------------

100

(

25 C

)

看图1，归一化的总功耗为

的焊点温度功能

图2.归连续漏极电流为

的焊点温度功能

03ai10

(A)

性限R

DSON

= V

/ I

= 10

100

1毫秒

-1

10毫秒

100毫秒

-2

(V)

= 25

°C;

是单脉冲

图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数

9397 750 14944

产品数据表

牧师02 - 2005年4月26日

3 11

飞利浦半导体

2N7002E

N沟道的TrenchMOS FET

5.热特性

表4：

日（J -SP ）

号（j -a）的

热特性

条件

图4

安装在印刷电路

板;最小的足迹;

垂直静止空气中

民

典型值

最大

150

350

单位

K / W

从结热阻到焊点

从结点到环境的热阻

符号参数

日（J -SP ）

K / W

= 0.5

0.2

0.1

10 0.05

0.02

03ai09

单脉冲

-1

-5

-4

-3

-2

-1

(s)

图4.瞬态结点的热阻抗焊接点，作为脉冲持续时间的函数

9397 750 14944

产品数据表

牧师02 - 2005年4月26日

4 11

飞利浦半导体

2N7002E

N沟道的TrenchMOS FET

6.特性

表5：

特征

= 25

C除非另有规定ED 。

符号参数

静态特性

（ BR ） DSS

漏源击穿电压

= 10

= 0 V

= 25

°C

55 °C

GS （ TH）

门源阈值电压

= 1毫安; V

= V

;

图9

和

= 25

°C

= 150

°C

55 °C

DSS

漏极 - 源极漏电流

= 48 V; V

= 0 V

= 25

°C

= 150

°C

GSS

DSON

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

±15

V; V

= 0 V

= 10 V ;我

= 500毫安;

图6

和

= 25

°C

= 150

°C

= 4.5 V ;我

= 75毫安;

图6

和

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

关闭

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

源极 - 漏极（二极管的正向）电压

反向恢复时间

恢复电荷

= 50 V ;

= 250

;

= 10 V;

= 50

;

= 50

= 10 V ;我

= 200毫安

= 0 V; V

= 10 V ; F = 1兆赫;

图11

100

300

7.5

0.85

1.5

2.3

4.2

3.1

5.55

0.01

100

0.6

3.5

条件

民

典型值

最大

单位

源极 - 漏极二极管

= 300毫安; V

= 0 V;

图12

= 300毫安;的dI

/ DT =

100

A / μs的;

= 0 V

9397 750 14944

产品数据表

牧师02 - 2005年4月26日

5 11

2N7002E

N沟道的TrenchMOS FET

牧师02 - 2005年4月26日

产品数据表

1.产品廓

1.1概述

使用N-沟道增强型场效应晶体管（FET ）中的塑料包装

的TrenchMOS 技术。

1.2产品特点

兼容逻辑电平阈值

表面安装封装

非常快速的切换

的TrenchMOS 技术

1.3应用

逻辑电平转换

高速线路驱动器

1.4快速参考数据

≤

60 V

DSON

≤

385毫安

合计

= 0.83 W

2.管脚信息

表1：

针

钉扎

描述

栅极（G ）

源极（S ）

漏极（四）

简化的轮廓

符号

SOT23

mbb076

飞利浦半导体

2N7002E

N沟道的TrenchMOS FET

3.订购信息

表2：

订购信息

包

名字

2N7002E

TO-236AB

描述

塑料表面贴装封装; 3引线

VERSION

SOT23

类型编号

4.极限值

表3：

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号参数

DGR

GSM

合计

英镑

漏极 - 源极电压（直流）

漏极 - 栅极电压（直流）

栅极 - 源极电压（直流）

峰值栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

峰值漏极电流

总功耗

储存温度

结温

源（二极管的正向）直流（DC ）笔

= 25

°C

峰源（二极管正向）电流T

= 25

°C;

脉冲;吨

≤

脉冲;占空比= 25 ％

= 25

°C;

= 10 V;

图2

和

= 100

°C;

= 10 V;

图2

= 25

°C;

脉冲;吨

≤

科幻gure 3

= 25

°C;

图1

条件

°C ≤

≤

150

°C

°C ≤

≤

150

°C;

= 20 k

民

最大

±30

±40

385

245

1.5

0.83

+150

385

1.5

单位

°C

源极 - 漏极二极管

9397 750 14944

产品数据表

牧师02 - 2005年4月26日

2 11

飞利浦半导体

2N7002E

N沟道的TrenchMOS FET

120

DER

(%)

03aa17

120

DER

(%)

03aa25

100

150

(

200

100

150

(

200

合计

DER

------------------------

100

合计

(

25 C

)

DER

--------------------

100

(

25 C

)

看图1，归一化的总功耗为

的焊点温度功能

图2.归连续漏极电流为

的焊点温度功能

03ai10

(A)

性限R

DSON

= V

/ I

= 10

100

1毫秒

-1

10毫秒

100毫秒

-2

(V)

= 25

°C;

是单脉冲

图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数

9397 750 14944

产品数据表

牧师02 - 2005年4月26日

3 11

飞利浦半导体

2N7002E

N沟道的TrenchMOS FET

5.热特性

表4：

日（J -SP ）

号（j -a）的

热特性

条件

图4

安装在印刷电路

板;最小的足迹;

垂直静止空气中

民

典型值

最大

150

350

单位

K / W

从结热阻到焊点

从结点到环境的热阻

符号参数

日（J -SP ）

K / W

= 0.5

0.2

0.1

10 0.05

0.02

03ai09

单脉冲

-1

-5

-4

-3

-2

-1

(s)

图4.瞬态结点的热阻抗焊接点，作为脉冲持续时间的函数

9397 750 14944

产品数据表

牧师02 - 2005年4月26日

4 11

飞利浦半导体

2N7002E

N沟道的TrenchMOS FET

6.特性

表5：

特征

= 25

C除非另有规定ED 。

符号参数

静态特性

（ BR ） DSS

漏源击穿电压

= 10

= 0 V

= 25

°C

55 °C

GS （ TH）

门源阈值电压

= 1毫安; V

= V

;

图9

和

= 25

°C

= 150

°C

55 °C

DSS

漏极 - 源极漏电流

= 48 V; V

= 0 V

= 25

°C

= 150

°C

GSS

DSON

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

±15

V; V

= 0 V

= 10 V ;我

= 500毫安;

图6

和

= 25

°C

= 150

°C

= 4.5 V ;我

= 75毫安;

图6

和

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

关闭

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

源极 - 漏极（二极管的正向）电压

反向恢复时间

恢复电荷

= 50 V ;

= 250

;

= 10 V;

= 50

;

= 50

= 10 V ;我

= 200毫安

= 0 V; V

= 10 V ; F = 1兆赫;

图11

100

300

7.5

0.85

1.5

2.3

4.2

3.1

5.55

0.01

100

0.6

3.5

条件

民

典型值

最大

单位

源极 - 漏极二极管

= 300毫安; V

= 0 V;

图12

= 300毫安;的dI

/ DT =

100

A / μs的;

= 0 V

9397 750 14944

产品数据表

牧师02 - 2005年4月26日

5 11

2N7002E

N沟道增强型网络场效晶体管

特点

低导通电阻，R

DS （ ON）

低栅极阈值电压

低输入电容

开关速度快

低输入/输出泄漏

铅，卤素和无锑，符合RoHS "Green"

装置（注2和4）

机械数据

案例： SOT -23

表壳材质：采用UL可燃性分类额定值94V- 0

湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级

终端：雾锡完成了退火合金引线框架42

（无铅电镀）。每MIL -STD- 202方法208

终端连接：见图

标识信息：见第3页

订购信息：见第3页

重量： 0.008克（近似值）

SOT-23

顶视图

引脚输出配置

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明

符号

DSS

DGR

连续

脉冲

连续

GSS

价值

±20

±40

240

单位

特征

漏源电压

漏极 - 栅极电压

≤

1.0MΩ

栅源电压

漏电流

热特性

= 25 ° C除非另有说明

符号

英镑

价值

300

417

-55到+150

单位

° C / W

°C

特征

总功率耗散（注1 ）

热阻，结到环境

工作和存储温度范围

电气特性

特征

开关特性（注3 ）

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

基本特征（注3 ）

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

通态漏电流

正向跨导

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

注意事项：

= 25 ° C除非另有说明

符号

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

D（上）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

民

1.0

0.8

典型值

1.6

2.0

1.0

2.0

7.0

最大

1.0

500

±10

2.5

5.0

单位

测试条件

= 0V时，我

= 10μA

= 60V, V

= 0V

= ±15V, V

= 0V

= V

, I

= 250μA

= 10V ，我

= 250毫安

= 4.5V ，我

= 200毫安

= 10V, V

= 7.5V

= 10V ，我

= 0.2A

@ T

= 25°C

@ T

= 125°C

@ T

= 25°C

= 25V, V

= 0V ， F = 1.0MHz的

= 30V ，我

= 0.2A,

= 150Ω, V

根

= 10V ，R

根

= 25Ω

1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局文件AP02001 ，它可以

在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。

2.没有故意添加铅。卤素和无锑。

3.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。

4.产品具有数据代码V12制造（第50周， 2008年）和较新的构建与绿色塑封料。之前的日期代码产品制造

V12内置非绿色塑封料，可能含有卤素或锑

阻燃剂。

2N7002E

文件编号： DS30376牧师8 - 2

1 4

www.diodes.com

2010年6月

Diodes公司

2N7002E

1.0

2.0

= -55°C

，漏源电流（A ）

0.8

1.6

，漏电流（ A）

0.6

1.2

= 25°C

= 125°C

0.4

0.8

0.2

0.4

，漏源电压（V ）

图。 1在区域特征

，门源电压（ V）

图。 2漏电流与栅源电压

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻（

)

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻（

)

= 4.5V

= 75毫安

= 250毫安

= 10V

，门源电压（ V）

图。 3导通电阻与栅源电压

0.2

0.6

0.8

0.4

，漏电流（ A）

图。 4导通电阻与漏极电流

1.0

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻（

)

，功耗（毫瓦）

350

300

250

200

150

100

= 4.5V @ 200毫安

= 10V @ 250毫安

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150

，结温（ ° C）

图。 5导通电阻与结温

75 100 125 150 175 200

，环境温度（ ° C）

图。 6最大功耗与环境温度

2N7002E

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2 4

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2010年6月

Diodes公司

2N7002E

订购信息

产品型号

2N7002E-7-F

注意事项：

（注5 ）

例

SOT-23

包装

3000 /磁带&卷轴

5.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。

标识信息

K7B =产品型号标识代码

YM =日期代码标

Y =年（例如： P = 2003）

M =月（例如： 9 =九月）

K7B

日期代码的关键

YEAR

CODE

MONTH

CODE

2003

JAN

2004

FEB

MAR

2005

APR

2006

2007

JUN

2008

JUL

2009

八月

SEP

2010

十月

2011

NOV

2012

DEC

五月

包装外形尺寸

B C

SOT-23

暗淡

民

最大

典型值

0.37

0.51

0.40

1.20

1.40

1.30

2.30

2.50

2.40

0.89

1.03 0.915

0.45

0.60 0.535

1.78

2.05

1.83

2.80

3.00

2.90

0.013 0.10

0.05

0.903 1.10

1.00

0.400

0.45

0.61

0.55

0.085 0.18

0.11

0°

8°

尺寸：mm

拟议的焊盘布局

尺寸值（单位：mm）

2.9

0.8

0.9

2.0

1.35

2N7002E

文件编号： DS30376牧师8 - 2

3 4

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2010年6月

Diodes公司

2N7002E

重要通知

Diodes公司不做任何明示不作出任何保证或默示的，关于这一文件，

包括但不限于适销性和适用性的暗示担保适用于特定用途

（及其任何司法管辖范围内的法律等效）。

Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利

恕不另行通知本文档以及此处所述的任何产品。 Diodes公司不承担因的任何法律责任

应用程序或使用本文件或本文所述的任何产品;同样没有Diodes公司在其专利的任何许可或

商标专用权，也没有他人的权利。本文档或产品在此类应用本文所述的任何客户或用户承担

这种使用的一切风险，并同意举行Diodes公司，其产品有代表Diodes公司所有公司

网站上，反对一切损害无害。

Diodes公司不担保或任何接受任何通过非授权渠道购买的任何产品的任何责任。

如果客户购买或使用Diodes公司的产品对任何意外或未经授权的应用程序，客户应保障

举行Diodes Incorporated及其代表的所有索赔，损失，费用和律师直接或引起的，收费无害

间接的，人身伤害或死亡索赔等意外或未经授权的应用程序相关联。

本文描述的产品可能受一个或多个美国，国际或外国专利正在申请中。产品名称和标识

注意到这里也可以覆盖一个或多个美国，国际或外国商标。

生命支持

Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件

Diodes公司的首席执行官的书面批准。如本文所用：

A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：

1.旨在植入到体内，或

2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照所提供的使用说明

标签可以合理预期造成显著伤害到用户。

B.关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件

生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。

客户表示，他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果，并

承认并同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关要求有关的产品和任何

使用Diodes公司产品在此类关键安全，生命支持设备或系统，即使有任何器件 - 或系统相关的

信息或可由Diodes公司来提供支持。此外，客户必须全额赔偿Diodes公司及其

代表因在此类关键安全，生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。

2010 ， Diodes公司

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文件编号： DS30376牧师8 - 2

4 4

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Diodes公司

2N7002E

Vishay Siliconix公司

N通道60 -V （D -S ）的MOSFET

产品概述

(V)

DS （ ON）

(W)

3 @ V

= 10 V

（MA ）

240

特点

低导通电阻： 3

门槛低： 2 V （典型值）

低输入电容： 25 pF的

快速开关速度： 7.5纳秒

低输入和输出泄漏

好处

低失调电压

低电压操作

轻松驱动无缓冲器

高速电路

低电压错误

应用

直接逻辑电平接口： TTL / CMOS

司机：继电器，螺线管，照明灯，锤子，

显示器，记忆，晶体管等。

电池供电系统

固态继电器

TO-236

(SOT-23)

标识代码： 7Ewl

E =型号代码2N7002E

=周典

=批次追踪

顶视图

订购信息： 2N7002E -T1

绝对最大额定值（T

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（T

= 150_C)

漏电流脉冲

功耗

热阻，结到环境

工作结存储温度范围

= 25_C

= 70_C

= 25_C

= 70_C

符号

thJA

, T

英镑

极限

"20

240

190

1300

0.35

0.22

357

-55到150

单位

° C / W

笔记

一。脉冲宽度有限的最高结温。

文档编号： 70860

S- 31987 -REV 。 D， 13 - OCT- 03

www.vishay.com

2N7002E

Vishay Siliconix公司

规格（T

= 25 ° C除非另有说明）

范围

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

（ BR ） DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

= 0 V，I

= 10

= V

, I

= 250

= 0 V, V

"15

= 60 V, V

= 0 V

= 60 V, V

= 0 V ，T

= 125_C

= 10 V, V

= 7.5 V

= 4.5 V, V

= 10 V

= 10 V，I

= 250毫安

= 4.5 V，I

= 200毫安

= 15 V，I

= 200毫安

= 200毫安， V

= 0 V

800

500

1300

700

1.2

1.8

600

0.85

1.2

2.5

"10

500

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

导通状态

在国家漏极电流

D( )

D（上）

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

DS （）

DS （ ON）

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

国际空间站

OSS

RSS

= 5 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

= 10 V, V

= 4.5 V

250毫安

0.4

0.06

2.5

0.6

开关

A，C

开启时间

打开-O FF时间

关闭

= 10 V ，R

= 40

250毫安V

根

= 10V

毫安，

= 10

笔记

一。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。

B 。脉冲测试： PW

v300

占空比

v2%.

。开关时间基本上是独立的工作温度。

www.vishay.com

文档编号： 70860

S- 31987 -REV 。 D， 13 - OCT- 03

2N7002E

Vishay Siliconix公司

典型特征（T

= 25 ° C除非另有说明）

1.0

输出特性

1.2

传输特性

= -55_C

= 10, 9, 8, 7, 6 V

0.8

- 漏电流（ A）

0.9

- 漏电流（ A）

25_C

125_C

0.6

0.4

0.2

0.0

- 漏极至源极电压（ V）

0.3

0.0

- 栅极 - 源极电压（ V）

导通电阻与栅源电压

3.5

3.0

导通电阻与漏电流

DS （ ON）

- 导通电阻（

)

@ 250毫安

@ 75毫安

DS （ ON）

- 导通电阻（

)

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

= 4.5 V

= 10 V

- 栅极 - 源极电压（ V）

2.0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

- 漏电流（ A）

0.4

0.2

= 250

GS （ TH）

- 方差（ V）

-0.0

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-50

导通电阻与结温

= 10 V @ 250毫安

阈值电压变化过温

DS （ ON）

- 导通电阻（

)

（归一化）

1.6

1.2

= 4.5 V

@ 200毫安

0.8

0.4

0.0

-50

-25

100

125

150

-25

100

125

150

- 结温（ ° C）

文档编号： 70860

S- 31987 -REV 。 D， 13 - OCT- 03

www.vishay.com

2N7002E

Vishay Siliconix公司

典型特征（T

= 25 ° C除非另有说明）

电容

1.0

= 30 V

= 0.25 A

栅极电荷

国际空间站

- 电容（pF ）

- 栅极 - 源极电压（ V）

0.8

0.6

OSS

RSS

0.4

0.2

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

- 漏极至源极电压（ V）

- 总栅极电荷（ NC）

源极 - 漏极二极管正向电压

- 源电流（ A）

= 85_C

25_C

-55_C

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

- 源极到漏极电压（V ）

www.vishay.com

文档编号： 70860

S- 31987 -REV 。 D， 13 - OCT- 03

法律免责声明

日前，Vishay

放弃

所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。

日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人

（统称为“Vishay ” ），对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任

或在任何其他公开内容有关的任何产品。

日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述

本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者

以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修

其中，适用于这些产品。

没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本

文档或任何Vishay的行为。

本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非

另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用

应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏

从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件

产品专为此类应用。

产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。

文档编号： 91000

修订： 18 -JUL- 08

www.vishay.com

2N7002E

小信号MOSFET

60伏310毫安，单N通道， SOT -23

特点

低R

DS （ ON）

小尺寸表面贴装封装

沟槽技术

这是一个Pb - Free设备

http://onsemi.com

（ BR ） DSS

60 V

DS （ ON）

最大

3.0

@ 4.5 V

2.5

@ 10 V

最大

（注1 ）

310毫安

应用

低压侧负载开关

电平转换电路

DC- DC转换器

便携式应用，即DSC ， PDA，手机，等等。

简化的原理图

N沟道

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（注1 ）

稳定状态

t<5s

功率耗散（注1 ）

稳定状态

t<5s

漏电流脉冲（T

= 10

女士）

工作结存储

温度范围

源电流（体二极管）

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

= 25°C

= 85°C

= 25°C

= 85°C

符号

DSS

价值

±20

260

190

310

220

300

420

1.2

+150

300

260

单位

（ TOP VIEW ）

标记图

＆放大器;引脚分配

漏

, T

英镑

°C

SOT23

CASE 318

21风格

703

703 W

门

=器件代码

=工作周

来源

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

热特性

特征

结到环境

稳定状态

（注1 ）

结到环境

≤

5秒（注1 ）

符号

qJA

最大

417

300

单位

° C / W

订购信息

设备

2N7002ET1G

包

SOT23

（无铅）

航运

3000 /磁带&卷轴

1.表面安装上使用1平方垫尺寸（铜区FR4板= 1.127在

平方[ 1盎司]包括痕迹）

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2007年

2007年4月，

第1版

出版订单号：

2N7002E/D

2N7002E

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

G（ TOT ）

G（ TH ）

D（上）

D（关闭）

= 25°C

= 85°C

= 10 V, V

= 30 V,

= 200毫安，R

= 10

= 5 V, V

= 10 V;

= 240毫安

= 10 V，I

= 240毫安

= 4.5 V，I

= 50毫安

正向跨导

收费和电容

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

漏源二极管特性

正向二极管电压

= 0 V,

= 200毫安

0.79

0.7

1.2

26.7

= 0 V ， F = 1MHz时，

= 25 V

4.6

2.9

0.81

0.31

0.48

0.08

1.7

1.2

4.8

3.6

= 5 V，I

= 200毫安

= 0 V,

= 60 V

= 25°C

= 125°C

= 0 V，I

= 250

500

±100

1.0

4.4

0.86

1.1

2.5

3.0

2.5

毫伏/°C的

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

负阈值温度

系数

漏极至源极导通电阻

= 0 V, V

±20

= V

, I

= 250

开关特性，V

= V

（注3）

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

3.开关特性是独立的工作结点温度

http://onsemi.com

2N7002E

典型特征

2.0

1.6

1.2

0.8

3.0 V

0.4

2.5 V

2.0 V

，漏极至源极电压（ V）

= 10 V

9.0 V

8.0 V

7.0 V

6.0 V

5.0 V

4.5 V

4.0 V

，漏电流（ A）

0.8

1.2

，漏电流（ A）

3.5 V

0.4

= 25°C

= 125°C

55°C

，栅 - 源极电压（ V）

图1.区域特征

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

2.4

= 4.5 V

2.0

1.6

= 25°C

1.2

0.8

0.4

55°C

= 125°C

= 85°C

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

2.4

图2.传输特性

= 10 V

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

= 125°C

= 85°C

= 25°C

55°C

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

，漏电流（ A）

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

图3.导通电阻与漏电流和

温度

1.6

DS （ ON）

，漏 - 源

电阻（标准化）

2.2

图4.导通电阻与漏电流和

温度

= 0.2 A

1.8

= 250毫安

1.2

= 75毫安

= 4.5 V

= 10 V

1.4

0.8

1.0

0.4

0.6

100

125

150

，栅 - 源极电压（ V）

，结温（ ° C）

图5.导通电阻与栅极 - 源

电压

图6.导通电阻变化与

温度

http://onsemi.com

2N7002E

典型特征

，栅 - 源极电压（ V）

国际空间站

= 25°C

= 0 V

= 25°C

= 0.25 A

C，电容（pF ）

OSS

RSS

0.2

0.4

0.6

0.8

栅极 - 源极或漏极至源极电压（ V）

QG ，总栅极电荷（ NC）

图7.电容变化

= 0 V

，源电流（ A）

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

= 85°C

0.1

= 25°C

0.01

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

，源极到漏极电压（V ）

图9.二极管的正向电压与电流

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2N7002E

包装尺寸

SOT- 23 （ TO- 236 ）

CASE 318-08

AH发行

注意事项：

1.尺寸和公差

符合ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.最大引线厚度INCLUDES

铅涂层厚度。最低

引线厚度是最小

厚度基体材料。

4. 318-03和

过时了，新

标准318-08 。

暗淡

英寸

民

最大

0.1102 0.1197

0.0472 0.0551

0.0350 0.0440

0.0150 0.0200

0.0701 0.0807

0.0005 0.0040

0.0034 0.0070

0.0140 0.0285

0.0350 0.0401

0.0830 0.1039

0.0177 0.0236

MILLIMETERS

民

最大

2.80

3.04

1.20

1.40

0.89

1.11

0.37

0.50

1.78

2.04

0.013 0.100

0.085 0.177

0.35

0.69

0.89

1.02

2.10

2.64

0.45

0.60

B·S

风格21 ：

PIN 1. GATE

2.源

3.排水

焊接足迹*

0.95

0.037

0.95

0.037

2.0

0.079

0.9

0.035

0.8

0.031

*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息

详细信息，请下载安森美半导体焊接与

安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

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和

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2N7002E/D

DIP型

SMD

TYPE

MOSFET

产品speci fi cation

2N7002E

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

单位：mm

+0.1

2.4

-0.1

低栅极阈值电压

低输入电容

开关速度快

低输入/输出泄漏

+0.1

1.3

-0.1

低导通电阻，R

DS （ ON）

0.95

+0.1

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

0.55

0.4

特点

+0.05

0.1

-0.01

0.97

+0.1

0.38

-0.1

+0.1

-0.1

1.Base

1门

2.Emitter

2 SOURCE

3.collector

3漏

绝对最大额定值大= 25

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

1.0 m

符号

DSS

DGR

GSS

等级

240

300

417

-55到+150

单位

栅源电压-Continuous

脉冲

漏电流 - 连续

功耗

热阻，结到环境

工作和存储温度范围

, T

英镑

电气特性TA = 25

参数

漏源击穿电压

零栅压漏电流@ T

= 25

@ T

= 125

门体漏

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻@ TJ = 25

通态漏电流

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

D（上）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

= 30V ，我

= 0.2A ，R

= 150

= 10V ，R

根

= 25

根

= 25V, V

= 0V ， F = 1.0MHz的

15V, V

= 0V

1.0

1.6

2.0

0.8

2.0

7.0

5.0

1.0

符号

DSS

Testconditons

= 0V时，我

= 10

民

典型值

1.0

500

2.5

最大

单位

= 60V, V

= 0V

= V

, I

= 250毫安

= 10V ，我

= 250毫安

= 4.5V ，我

= 200毫安

= 10V, V

= 7.5V

= 10V ，我

= 0.2A

记号

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