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2SK1405
硅N沟道MOS FET
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
内置高速二极管（T
rr
= 140纳秒）
适用于电机控制，开关稳压器， DC-DC变换器
概要
TO-3PFM
D
G
1
2
3
S
1.门
2.漏
3.源
2SK1405
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在T
C
= 25°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
600
±30
15
60
15
60
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
2
2SK1405
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
栅源击穿
电压
门源漏电流
符号最小值
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
600
±30
—
—
2.0
—
9
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.35
14
3150
780
110
35
120
240
100
1.0
140
最大
—
—
±10
250
3.0
0.50
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 15 A，V
GS
= 0
I
F
= 15 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
I
D
= 8 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 3.75
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 8 A，V
GS
= 10 V *
1
I
D
= 8 A，V
DS
= 10 V *
1
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
零栅极电压漏极电流I
DSS
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
注意：
1.脉冲测试
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
| YFS |
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
3
2SK1405
功率与温度降额
60
通道耗散P沟（W）的
100
30
漏电流I
D
(A)
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.05
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
1
3
10
30
100 300 1,000
漏极至源极电压V
DS
(V)
TA = 25°C
n
(o
t
在研发
DS
离子通过
PW
at
呃资讯科技教育
p
=
LIM
10
DC
is
最高安全工作区
ar
ea
)
他的
40
1
m
s(
1
C
1
10
0
s
0
s
m
Op
e
s
ot
ra
t
离子
Sh
=
(T
pu
20
25
°
C
)
LSE
)
典型的输出特性
20
10 V
16
漏电流I
D
(A)
脉冲测试
12
4.5 V
漏电流I
D
(A)
6V
5V
16
20
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
12
8
8
4
V
GS
= 4 V
4
T
C
= 75°C
25°C
–25°C
0
4
12
16
8
20
漏极至源极电压V
DS
(V)
0
2
6
8
4
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
4
2SK1405
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
10
脉冲测试
8
20 A
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
5
脉冲测试
2
1
0.5
0.2
0.1
V
GS
= 10, 15 V
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
6
4
10 A
I
D
= 5 A
2
0
4
10
2
6
8
栅极至源极电压V
GS
(V)
0.05
1
2
5
20
50
10
漏电流I
D
(A)
100
静态漏源导通状态
电阻与温度
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
脉冲测试
1.6
正向转移导纳
yfs
(S)
2.0
50
正向转移导纳
与漏电流
20
10
5
2
1
0.5
0.2
T
C
= –25°C
25°C
75°C
1.2
10 A
0.8
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V
5A
0.4
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.5
1
2
5
10
漏电流I
D
(A)
20
0
–40
40
0
80
120
案例温度T
C
(°C)
160
5
2SK1405
硅N沟道MOS FET
REJ03G0945-0300
Rev.3.00
2006年5月15日
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
内置高速二极管（T
rr
= 140纳秒）
适用于电机控制，开关稳压器， DC-DC变换器
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003ZA -A
（包名称： TO- 3PFM ）
D
G
1.门
2.漏
3.源
S
1
2
3
Rev.3.00 2006年5月15日第1页6
2SK1405
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在T
C
= 25
°
C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)*1
I
DR
PCH
*2
总胆固醇
TSTG
评级
600
±30
15
60
15
60
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注： 3.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
600
±30
—
—
2.0
—
9
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.35
14
3150
780
110
35
120
240
100
1.0
140
最大
—
—
±10
250
3.0
0.50
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 8 A，V
GS
= 10 V *
3
I
D
= 8 A，V
DS
= 10 V *
3
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= 8 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 3.75
I
F
= 15 A，V
GS
= 0
I
F
= 15 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
Rev.3.00 2006年5月15日第2页6
2SK1405
主要特点
功率与温度降额
80
最高安全工作区
100
30
ea
ar
is
（上）
th
S
in
N Y
D
PW
蒂奥B
RA
PE螨
=
李
10
DC
is
通道耗散P沟（W）的
60
漏电流I
D
(A)
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
40
20
1
m
s
m
Op
s(
er
1
at
离子
笑
tp
(T
ULS
C
=
25
e)
°
C
)
1
10
0
s
0
s
TA = 25
°
C
1
3
10
30
100
300 1,000
0
50
100
150
200
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
20
10 V
6V
5V
脉冲测试
12
4.5 V
20
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
16
16
12
8
8
4
V
GS
= 4 V
4
T
C
= 75°C
25°C
–25°C
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
10
脉冲测试
8
20 A
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
5
脉冲测试
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
1
2
5
10
20
50
100
V
GS
= 10, 15 V
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
6
4
10 A
I
D
= 5 A
2
0
2
4
6
8
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
漏电流I
D
(A)
Rev.3.00 2006年5月15日第3页6
2SK1405
静态漏源导通状态
电阻与温度
正向转移导纳
y
fs
(S)
2.0
脉冲测试
1.6
50
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳
与漏电流
20
10
5
2
1
0.5
0.2
T
C
= –25°C
25°C
75°C
1.2
10 A
0.8
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V
5A
0.4
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.5
1
2
5
10
20
0
–40
0
40
80
120
160
案例温度T
C
(°C)
体漏二极管反向
恢复时间
500
10,000
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
反向恢复时间trr （ NS ）
西塞
电容C （PF ）
200
100
50
1,000
科斯
100
20
10
5
0.2
的di / dt = 100 A / μs的，V
GS
= 0
TA = 25°C
脉冲测试
0.5
1
2
5
10
20
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
0
10
20
30
CRSS
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
1,000
V
DD
= 100 V
250 V
400 V
V
GS
20
500
开关特性
t
D（关闭）
开关时间t（ NS ）
800
16
200
t
f
100
50
t
r
t
D（上）
600
12
400
V
DS
I
D
= 15 A
V
DD
= 400 V
250 V
100 V
8
20
10
5
0.2
V
GS
= 10 V, V
DD
= 30 V
PW = 2
s,
税
≤
1 %
0.5
1
2
5
10
20
200
4
0
0
40
80
120
160
200
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
Rev.3.00 2006年5月15日第4 6
2SK1405
反向漏电流 -
源极到漏极电压
20
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
16
12
8
V
GS
=
0, –5
V
10 V
4
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
θch
- C （T ） =
γ
S（ T）
θch
– c
θch
- C = 2.08 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
u
tp
LSE
D=
PW
T
0.03
0.0
PW
T
1
1
o
sh
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW （S ）
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
VOUT
VIN
10 V
50
V
DD
= 30 V
TD （上）
10%
VOUT
MONITOR
VIN
10%
波形
90%
10%
90%
tr
90%
TD （关闭）
tf
Rev.3.00 2006年5月15日第5 6
2SK1405
硅N沟道MOS FET
REJ03G0945-0300
Rev.3.00
2006年5月15日
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
内置高速二极管（T
rr
= 140纳秒）
适用于电机控制，开关稳压器， DC-DC变换器
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003ZA -A
（包名称： TO- 3PFM ）
D
G
1.门
2.漏
3.源
S
1
2
3
Rev.3.00 2006年5月15日第1页6
2SK1405
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在T
C
= 25
°
C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)*1
I
DR
PCH
*2
总胆固醇
TSTG
评级
600
±30
15
60
15
60
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注： 3.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
600
±30
—
—
2.0
—
9
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.35
14
3150
780
110
35
120
240
100
1.0
140
最大
—
—
±10
250
3.0
0.50
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 8 A，V
GS
= 10 V *
3
I
D
= 8 A，V
DS
= 10 V *
3
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= 8 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 3.75
I
F
= 15 A，V
GS
= 0
I
F
= 15 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
Rev.3.00 2006年5月15日第2页6
2SK1405
主要特点
功率与温度降额
80
最高安全工作区
100
30
ea
ar
is
（上）
th
S
in
N Y
D
PW
蒂奥B
RA
PE螨
=
李
10
DC
is
通道耗散P沟（W）的
60
漏电流I
D
(A)
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
40
20
1
m
s
m
Op
s(
er
1
at
离子
笑
tp
(T
ULS
C
=
25
e)
°
C
)
1
10
0
s
0
s
TA = 25
°
C
1
3
10
30
100
300 1,000
0
50
100
150
200
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
20
10 V
6V
5V
脉冲测试
12
4.5 V
20
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
16
16
12
8
8
4
V
GS
= 4 V
4
T
C
= 75°C
25°C
–25°C
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
10
脉冲测试
8
20 A
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
5
脉冲测试
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
1
2
5
10
20
50
100
V
GS
= 10, 15 V
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
6
4
10 A
I
D
= 5 A
2
0
2
4
6
8
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
漏电流I
D
(A)
Rev.3.00 2006年5月15日第3页6
2SK1405
静态漏源导通状态
电阻与温度
正向转移导纳
y
fs
(S)
2.0
脉冲测试
1.6
50
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳
与漏电流
20
10
5
2
1
0.5
0.2
T
C
= –25°C
25°C
75°C
1.2
10 A
0.8
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V
5A
0.4
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.5
1
2
5
10
20
0
–40
0
40
80
120
160
案例温度T
C
(°C)
体漏二极管反向
恢复时间
500
10,000
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
反向恢复时间trr （ NS ）
西塞
电容C （PF ）
200
100
50
1,000
科斯
100
20
10
5
0.2
的di / dt = 100 A / μs的，V
GS
= 0
TA = 25°C
脉冲测试
0.5
1
2
5
10
20
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
0
10
20
30
CRSS
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
1,000
V
DD
= 100 V
250 V
400 V
V
GS
20
500
开关特性
t
D（关闭）
开关时间t（ NS ）
800
16
200
t
f
100
50
t
r
t
D（上）
600
12
400
V
DS
I
D
= 15 A
V
DD
= 400 V
250 V
100 V
8
20
10
5
0.2
V
GS
= 10 V, V
DD
= 30 V
PW = 2
s,
税
≤
1 %
0.5
1
2
5
10
20
200
4
0
0
40
80
120
160
200
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
Rev.3.00 2006年5月15日第4 6
2SK1405
反向漏电流 -
源极到漏极电压
20
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
16
12
8
V
GS
=
0, –5
V
10 V
4
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
θch
- C （T ） =
γ
S（ T）
θch
– c
θch
- C = 2.08 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
u
tp
LSE
D=
PW
T
0.03
0.0
PW
T
1
1
o
sh
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW （S ）
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
VOUT
VIN
10 V
50
V
DD
= 30 V
TD （上）
10%
VOUT
MONITOR
VIN
10%
波形
90%
10%
90%
tr
90%
TD （关闭）
tf
Rev.3.00 2006年5月15日第5 6
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