飞利浦半导体
2N7002E
N沟道的TrenchMOS FET
5.热特性
表4：
R
日（J -SP ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
图4
安装在印刷电路
板;最小的足迹;
垂直静止空气中
民
-
-
典型值
-
-
最大
150
350
单位
K / W
K / W
从结热阻到焊点
从结点到环境的热阻
符号参数
10
3
Z
日（J -SP ）
K / W
10
2
δ
= 0.5
0.2
0.1
10 0.05
0.02
P
03ai09
δ
=
t
p
T
1
单脉冲
t
p
t
T
10
-1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
p
(s)
10
图4.瞬态结点的热阻抗焊接点，作为脉冲持续时间的函数
9397 750 14944
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牧师02 - 2005年4月26日
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