2N7002E
N沟道的TrenchMOS FET
牧师02 - 2005年4月26日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
使用N-沟道增强型场效应晶体管（FET ）中的塑料包装
的TrenchMOS 技术。
1.2产品特点
s
兼容逻辑电平阈值
s
表面安装封装
s
非常快速的切换
s
的TrenchMOS 技术
1.3应用
s
逻辑电平转换
s
高速线路驱动器
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
60 V
s
R
DSON
≤
3
s
I
D
≤
385毫安
s
P
合计
= 0.83 W
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
钉扎
描述
栅极（G ）
源极（S ）
漏极（四）
1
2
3
D
简化的轮廓
符号
G
SOT23
mbb076
S
