飞利浦半导体
PHP20N06T ; PHB20N06T
N沟道的TrenchMOS 晶体管
7.热特性
表4：
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从结点到环境的热阻
条件
垂直静止空气中; SOT78封装
安装在印刷电路板;
最小的足迹; SOT404
包
R
日（ J- MB ）
从结点到安装热阻
BASE
图4
价值
60
50
单位
K / W
K / W
2.4
K / W
7.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
1
0.2
003aaa044
0.1
0.05
10-1
P
δ
=
tp
T
0.02
单脉冲
tp
T
t
10-2
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
9397 750 07894
飞利浦电子公司2001年版权所有。
产品speci fi cation
版本01 - 2001年2月22日
4 15
