飞利浦半导体
PHP20N06T ; PHB20N06T
N沟道的TrenchMOS 晶体管
120
PDER
(%)
100
03aa16
03aa24
120
I
DER
(%)
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TMB （℃ ）
0
0
25
50
75
100
125
150
175 200
o
TMB （ C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
4.5 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
?? ！ === ？ " ！
102
导通电阻= VDS / ID
TP = 10我们
10
P
100美
δ
=
tp
T
特区
1毫秒
10毫秒
1
tp
t
T
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
单脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 07894
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产品speci fi cation
版本01 - 2001年2月22日
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